公开(公告)号：CN118553728A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410197093.5

申请日：2024-02-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·埃尔多尔 ,  W·哈特纳 ,  P·布伦纳 ,  S·康普罗布斯特 ,  G·维斯

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的实施例涉及包括屏蔽结构的半导体封装件。一种半导体封装件包括半导体芯片，该半导体芯片包括多个射频通道。半导体封装件还包括信号端口，该信号端口布置在半导体芯片外部并且与多个射频通道中的一个射频通道相关联。半导体封装件还包括屏蔽结构，当在第一方向上观察时，该屏蔽结构至少部分围绕信号端口，其中屏蔽结构被配置为减少干扰信号在垂直于第一方向的第二方向上来自和/或去往信号端口的传播。

公开(公告)号：CN118553729A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410198808.9

申请日：2024-02-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·康普罗布斯特 ,  T·埃尔多尔 ,  W·哈特纳

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/482

Abstract: 本公开涉及射频半导体器件及用于制作射频半导体器件的方法。提供了一种用于处理操作频率范围内的RF信号的射频(RF)半导体器件，包括：半导体芯片，包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及侧壁，半导体芯片包括有源芯片区域；再分布层，包括第一侧，再分布层的第一侧面向半导体芯片的第一表面；有源芯片区域外部的RF吸收层，其中RF吸收层包括掺杂半导体材料。

公开(公告)号：CN117438388A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310886554.5

申请日：2023-07-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·埃尔多尔 ,  W·哈特纳 ,  P·布伦纳 ,  S·康普罗布斯特 ,  M·迈尔

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: 本公开涉及包括射频吸收性特征的射频器件。公开了一种射频器件和用于制造射频器件的方法。一种器件包括射频芯片和布置在射频芯片之上的散热片。器件还包括布置在射频芯片和散热片之间的层堆叠体。层堆叠体包括包含第一材料的第一层、热界面材料，以及布置在第一材料和热界面材料之间的金属层。

公开(公告)号：CN119170604A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202410785885.4

申请日：2024-06-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·康普罗布斯特 ,  T·埃尔多尔 ,  W·哈特纳

IPC: H01L23/552 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开涉及射频半导体设备和制造射频半导体设备的方法。根据本发明的示例，一种用于处理工作频率范围内的射频RF信号的RF半导体设备包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一表面、第二表面、侧壁和有源芯片区域。第一表面和第二表面沿横向方向延伸并且侧壁沿竖直方向延伸。位于有源芯片区域外部的金属层面向半导体芯片的第二表面。金属层的厚度低于对应于工作频率范围的趋肤深度。