公开(公告)号：CN105047663A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510271608.2

申请日：2015-02-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： Y·曹 ,  U·格拉泽 ,  M-M·黑尔 ,  J·勒邦 ,  M·迈尔霍费尔 ,  A·迈泽 ,  M·施特歇尔 ,  J·威尔门

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/15

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L27/0292 ,  H02H9/046 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/15

Abstract: 说明一种具有ESD保护结构和光子源的集成电路。一种实施方式包括电路部分，它与第一连接端子和与第二连接端子连接并且可在第一连接端子和第二连接端子之间的电压差大于+10V和小于-10V的情况下运行。此外该集成电路包括ESD保护结构，其适合保护电路部分免遭在第一连接端子和第二连接端子(108)之间的静电放电，其中该ESD保护结构能够以第一和第二连接端子之间大于+10V和小于-10V的电压差运行而不点燃。ESD保护结构与光子源电气和光学耦合，使得在ESD脉冲负荷的情况下从光子源发射的光子可在ESD保护结构内被吸收并且借助通过被吸收的光子产生的电子空穴对可引起雪崩击穿。

公开(公告)号：CN104425484A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410453701.0

申请日：2014-09-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·威尔门 ,  曹轶群 ,  U·格拉瑟 ,  M-M·赫尔 ,  J·勒邦 ,  M·迈尔霍弗 ,  A·梅瑟 ,  M·施特歇尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L31/173 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/15 ,  H01L29/808 ,  H02H3/20

Abstract: 本发明涉及半导体部件以及触发雪崩击穿的方法。半导体部件包括配置以发射辐射的辅助半导体器件。半导体部件进一步包括半导体器件。在辅助半导体器件和半导体器件之间的电耦合和光耦合配置以，通过辅助半导体器件来触发辐射的发射，以及通过半导体器件中的对辐射的吸收来触发半导体器件中的雪崩击穿。半导体器件包括在第一导电类型的第一层与第二导电类型的掺杂半导体区之间的PN结，该第一层埋在半导体本体的表面下方，该掺杂半导体区之设置在该表面与第一层之间。

公开(公告)号：CN113517329A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110380972.8

申请日：2021-04-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·施特歇尔 ,  H·格鲁伯 ,  T·欣德雷

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L23/64

Abstract: 本申请的实施例涉及具有两个电压域的装置和方法。所提供的装置具有被隔离屏障分离的第一电压域和第二电压域。此外，该装置包括划痕检测电路，该划痕检测电路包括间距小于2μm的第一和第二电极。

公开(公告)号：CN105047663B

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201510271608.2

申请日：2015-02-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： Y·曹 ,  U·格拉泽 ,  M-M·黑尔 ,  J·勒邦 ,  M·迈尔霍费尔 ,  A·迈泽 ,  M·施特歇尔 ,  J·威尔门

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/15

Abstract: 说明一种具有ESD保护结构和光子源的集成电路。一种实施方式包括电路部分，它与第一连接端子和与第二连接端子连接并且可在第一连接端子和第二连接端子之间的电压差大于+10V和小于‑10V的情况下运行。此外该集成电路包括ESD保护结构，其适合保护电路部分免遭在第一连接端子和第二连接端子(108)之间的静电放电，其中该ESD保护结构能够以第一和第二连接端子之间大于+10V和小于‑10V的电压差运行而不点燃。ESD保护结构与光子源电气和光学耦合，使得在ESD脉冲负荷的情况下从光子源发射的光子可在ESD保护结构内被吸收并且借助通过被吸收的光子产生的电子空穴对可引起雪崩击穿。

公开(公告)号：CN104425484B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201410453701.0

申请日：2014-09-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·威尔门 ,  曹轶群 ,  U·格拉瑟 ,  M-M·赫尔 ,  J·勒邦 ,  M·迈尔霍弗 ,  A·梅瑟 ,  M·施特歇尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L31/173 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/15 ,  H01L29/808 ,  H02H3/20

Abstract: 本发明涉及半导体部件以及触发雪崩击穿的方法。半导体部件包括配置以发射辐射的辅助半导体器件。半导体部件进一步包括半导体器件。在辅助半导体器件和半导体器件之间的电耦合和光耦合配置以，通过辅助半导体器件来触发辐射的发射，以及通过半导体器件中的对辐射的吸收来触发半导体器件中的雪崩击穿。半导体器件包括在第一导电类型的第一层与第二导电类型的掺杂半导体区之间的PN结，该第一层埋在半导体本体的表面下方，该掺杂半导体区之设置在该表面与第一层之间。