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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110224951A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910152815.4
申请日：2019-02-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种方法，根据一个实施例，该方法包括：接收发射信号并通过驱控具有多个开关的发射机的输出级将发射信号转换成相应的总线信号。在此，对输出级的驱控取决于影响输出级的开关的开关行为的参数组。该方法还包括：将总线信号转换为相应的接收信号，其中，接收信号中的边沿相对于发射信号中的相应边沿延迟一个环路延迟；确定该环路延迟的测量值；以及修改参数组，以匹配该环路延迟。此外，本发明还涉及一种相应的总线驱动器。
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公开(公告)号：CN110224951B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201910152815.4
申请日：2019-02-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种方法，根据一个实施例，该方法包括：接收发射信号并通过驱控具有多个开关的发射机的输出级将发射信号转换成相应的总线信号。在此，对输出级的驱控取决于影响输出级的开关的开关行为的参数组。该方法还包括：将总线信号转换为相应的接收信号，其中，接收信号中的边沿相对于发射信号中的相应边沿延迟一个环路延迟；确定该环路延迟的测量值；以及修改参数组，以匹配该环路延迟。此外，本发明还涉及一种相应的总线驱动器。
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公开(公告)号：CN104425484A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410453701.0
申请日：2014-09-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L31/173 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L27/15 , H01L29/808 , H02H3/20
Abstract: 本发明涉及半导体部件以及触发雪崩击穿的方法。半导体部件包括配置以发射辐射的辅助半导体器件。半导体部件进一步包括半导体器件。在辅助半导体器件和半导体器件之间的电耦合和光耦合配置以，通过辅助半导体器件来触发辐射的发射，以及通过半导体器件中的对辐射的吸收来触发半导体器件中的雪崩击穿。半导体器件包括在第一导电类型的第一层与第二导电类型的掺杂半导体区之间的PN结，该第一层埋在半导体本体的表面下方，该掺杂半导体区之设置在该表面与第一层之间。
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公开(公告)号：CN113542082A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110438304.6
申请日：2021-04-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及总线收发器。下面描述用于驱控网络节点中的双线线路的集成的驱动器电路。根据一个实施例，驱动器电路具有第一接头和第二接头，两者都可以连接至控制器芯片。驱动器电路还具有至少一个可连接到总线线路的总线接头。驱动器电路的控制电路被设计为在第一模式或第二模式中工作，并且控制电路被设计为在第二模式中在第二接头处输出接收信号并且在第一模式中占据低功耗状态，该接收信号表示在总线接头处接收到的总线信号。控制电路还被设计为，当在第一接头或第二接头处检测到第一命令时从第一模式变换到第二模式，并且当在预定时间段内总线信号不显示任何数据时从第二模式变换到第一模式。
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公开(公告)号：CN104425484B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201410453701.0
申请日：2014-09-05
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L31/173 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L27/15 , H01L29/808 , H02H3/20
Abstract: 本发明涉及半导体部件以及触发雪崩击穿的方法。半导体部件包括配置以发射辐射的辅助半导体器件。半导体部件进一步包括半导体器件。在辅助半导体器件和半导体器件之间的电耦合和光耦合配置以，通过辅助半导体器件来触发辐射的发射，以及通过半导体器件中的对辐射的吸收来触发半导体器件中的雪崩击穿。半导体器件包括在第一导电类型的第一层与第二导电类型的掺杂半导体区之间的PN结，该第一层埋在半导体本体的表面下方，该掺杂半导体区之设置在该表面与第一层之间。
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