公开(公告)号：CN108695393B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201810294405.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K-H.巴赫 ,  C.卡姆彭 ,  D.科茨 ,  A.迈泽 ,  A.C.G.伍德 ,  M.聪德尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

Abstract: 本发明公开了包括沟槽结构中的场电极和栅电极的半导体器件及制造方法。一种半导体器件，包括半导体主体，所述半导体主体包括第一导电类型的半导体衬底和在所述半导体衬底上的第一导电类型的半导体层。沟槽结构从第一表面延伸到半导体主体中。沟槽结构包括栅电极和布置在栅电极与沟槽结构的底部侧之间的至少一个场电极。第二导电类型的主体区邻接沟槽结构。主体区从晶体管单元区域横向延伸到边缘末端区域中。pn结位于主体区和半导体层之间。主体区和半导体层中的至少一个在边缘末端区域中的pn结的横向端部处的掺杂浓度，与所述主体区和半导体层中的至少一个在晶体管单元区域中的pn结处的掺杂浓度相比下降。

公开(公告)号：CN110400831A

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201910338363.9

申请日：2019-04-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M.聪德尔 ,  K-H.巴赫 ,  P.布兰德尔 ,  F.希尔勒 ,  A.C.G.伍德

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 描述一种具有至少一个晶体管单元（10）的晶体管器件，该晶体管单元具有：在半导体本体（100）中的漂移区（11），源极区（12），体区（13）和漏极区（14），其中体区（13）布置在源极区（12）和漂移区（11）之间并且漂移区（11）布置在体区（13）和漏极区（14）之间;栅电极（21），其与体区（13）相邻布置并通过栅极电介质（22）与体区（13）介电绝缘;和场电极（31），其与漂移区（11）相邻布置并通过场电极电介质（22）与漂移区（11）介电绝缘。场电极电介质（22）具有沿漏极区（14）方向至少逐段增加的厚度，并且漂移区（11）在与场电极（31）相邻的台面区（111）中具有沿漏极区（14）方向至少逐段增加的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN108695393A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810294405.9

申请日：2018-03-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K-H.巴赫 ,  C.卡姆彭 ,  D.科茨 ,  A.迈泽 ,  A.C.G.伍德 ,  M.聪德尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

Abstract: 本发明公开了包括沟槽结构中的场电极和栅电极的半导体器件及制造方法。一种半导体器件，包括半导体主体，所述半导体主体包括第一导电类型的半导体衬底和在所述半导体衬底上的第一导电类型的半导体层。沟槽结构从第一表面延伸到半导体主体中。沟槽结构包括栅电极和布置在栅电极与沟槽结构的底部侧之间的至少一个场电极。第二导电类型的主体区邻接沟槽结构。主体区从晶体管单元区域横向延伸到边缘末端区域中。pn结位于主体区和半导体层之间。主体区和半导体层中的至少一个在边缘末端区域中的pn结的横向端部处的掺杂浓度，与所述主体区和半导体层中的至少一个在晶体管单元区域中的pn结处的掺杂浓度相比下降。