公开(公告)号：CN107634003A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710576245.2

申请日：2017-07-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯 ,  罗兰德·鲁普

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/77 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/30625 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

Abstract: 根据不同的实施方式，方法能够包括：加工半导体晶片(102，202)，所述半导体晶片具有第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b)，所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置；其中半导体晶片(102，202)在第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s)，所述电路区域具有至少一个电子电路。根据不同的实施方式，用于加工半导体晶片(102，202)的方法能够包括：形成至少部分地包围至少一个电路区域(102s)的加固结构(106)，所述加固结构加固半导体晶片(102，202)，其中加固结构(106)至少在至少一个电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a)；从第二主工艺侧(102b)起打薄具有加固结构(106)的半导体晶片(102，202)。

公开(公告)号：CN103304129A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310073477.8

申请日：2013-03-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 亚历山大·布赖迈斯塞尔 ,  弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯 ,  卡斯滕·冯科布林斯基 ,  安德烈·布罗克迈耶

IPC: C03B11/00

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81C2201/034 ,  C03B11/082 ,  C03B40/02 ,  C03B2215/07 ,  C03B2215/79 ,  G02B2006/12038 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24479 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及玻璃片和制造玻璃片的方法及制造微型射流系统的方法、制造集成光学装置的方法、制造具有玻璃片的半导体器件的方法。基于玻璃的源材料，其被设置在塑模衬底的工作表面上。该塑模衬底由单晶材料制成。在工作表面中形成腔体。该源材料被压在塑模衬底上。按压期间，控制源材料的温度和源材料上施加的压力，从而使源材料流体化。流体化的源材料流入该腔体。再固化的源材料形成具有突出物的玻璃片，该突出物延伸进入腔体。在再固化以后，玻璃片可以被结合到塑模衬底。在玻璃片上，能够形成突出物和腔体，其倾斜角小于80度，具有不同倾斜角，不同深度和10微米或更宽的宽度。

公开(公告)号：CN107634003B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201710576245.2

申请日：2017-07-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯 ,  罗兰德·鲁普

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/77 ,  H01L27/04 ,  H01L21/82

Abstract: 根据不同的实施方式，方法能够包括：加工半导体晶片(102，202)，所述半导体晶片具有第一主工艺侧(102t)和第二主工艺侧(102b)，所述第二主工艺侧与所述第一主工艺侧(102t)相对置；其中半导体晶片(102，202)在第一主工艺侧(102t)上具有至少一个电路区域(102s)，所述电路区域具有至少一个电子电路。根据不同的实施方式，用于加工半导体晶片(102，202)的方法能够包括：形成至少部分地包围至少一个电路区域(102s)的加固结构(106)，所述加固结构加固半导体晶片(102，202)，其中加固结构(106)至少在至少一个电路区域(102s)的一部分之上具有留空部(106a)；从第二主工艺侧(102b)起打薄具有加固结构(106)的半导体晶片(102，202)。

公开(公告)号：CN107968070A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201711417729.9

申请日：2013-03-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 亚历山大·布赖迈斯塞尔 ,  弗朗西斯科·哈维尔·桑托斯罗德里格斯 ,  卡斯滕·冯科布林斯基 ,  安德烈·布罗克迈耶

IPC: H01L21/77

CPC classification number: B81C99/008 ,  B81C2201/034 ,  C03B11/082 ,  C03B40/02 ,  C03B2215/07 ,  C03B2215/79 ,  G02B2006/12038 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3178 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24479 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底的台面部中形成半导体元件，其中半导体元件是晶体管，二极管，场效应管，IGBT，逻辑电路，激励电路，处理器电路和存储电路中之一；在半导体衬底的工作表面中形成腔体；使得半导体衬底接触玻璃片，玻璃片由玻璃材料制成并且具有突出物，其中，玻璃片和半导体衬底设置成使得所述突出物延伸进入所述腔体；和将玻璃片结合到所述半导体衬底。在玻璃片上，能够形成突出物和腔体，其倾斜角小于80度，具有不同倾斜角，不同深度和10微米或更宽的宽度。