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公开(公告)号：CN102306901A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110234336.0
申请日：2007-06-25
申请人： 英特尔公司 , 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01S5/30 , G02B2006/12121 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34
摘要： 一种电泵浦混合消逝激光器的装置和方法。例如，装置包括置于硅中的光波导。有源半导体材料置于所述光波导上，在所述光波导和所述有源半导体材料之间限定消逝耦合界面，使得由所述光波导引导的光模式与所述光波导和所述有源半导体材料均交叠。穿过所述有源半导体材料而限定的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述有源半导体材料的电泵浦、响应于沿与所述光模式至少部分交叠的所述电流注入路径的电流注入而产生光。
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公开(公告)号：CN101507065B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200780019542.1
申请日：2007-06-25
申请人： 英特尔公司 , 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01S5/30 , G02B2006/12121 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34
摘要： 一种电泵浦混合消逝激光器的装置和方法。例如，装置包括置于硅中的光波导。有源半导体材料置于所述光波导上，在所述光波导和所述有源半导体材料之间限定消逝耦合界面，使得由所述光波导引导的光模式与所述光波导和所述有源半导体材料均交叠。穿过所述有源半导体材料而限定的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述有源半导体材料的电泵浦、响应于沿与所述光模式至少部分交叠的所述电流注入路径的电流注入而产生光。
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公开(公告)号：CN101507065A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200780019542.1
申请日：2007-06-25
申请人： 英特尔公司 , 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01S5/30 , G02B2006/12121 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0424 , H01S5/0425 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/141 , H01S5/2214 , H01S5/223 , H01S5/34
摘要： 一种电泵浦混合消逝激光器的装置和方法。例如，装置包括置于硅中的光波导。有源半导体材料置于所述光波导上，在所述光波导和所述有源半导体材料之间限定消逝耦合界面，使得由所述光波导引导的光模式与所述光波导和所述有源半导体材料均交叠。穿过所述有源半导体材料而限定的电流注入路径，并且所述电流注入路径至少部分地与所述光模式交叠，使得响应于所述有源半导体材料的电泵浦、响应于沿与所述光模式至少部分交叠的所述电流注入路径的电流注入而产生光。
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公开(公告)号：CN104205533A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071826.6
申请日：2012-03-26
申请人： 英特尔公司
发明人： H·朴
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , G02B6/122 , H01S5/026 , H01S5/0422 , H01S5/1032 , H01S5/2027 , H01S5/343 , H01S5/34306
摘要： 描述了包括包含抗谐振波导的混合激光器的装置和系统以及用于制作这种装置和系统的方法的实施例。混合激光器装置可包括：第一半导体区域，包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；以及与该第一半导体区域耦合并且具有光波导的第二半导体区域，第一沟槽被布置在该光波导的第一侧，并且第二沟槽被布置在该光波导的与该第一侧相对的第二侧。可描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN104205533B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201280071826.6
申请日：2012-03-26
申请人： 英特尔公司
发明人： H·朴
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , G02B6/122 , H01S5/026 , H01S5/0422 , H01S5/1032 , H01S5/2027 , H01S5/343 , H01S5/34306
摘要： 描述了包括包含抗谐振波导的混合激光器的装置和系统以及用于制作这种装置和系统的方法的实施例。混合激光器装置可包括：第一半导体区域，包括选自III族、IV族或V族半导体的一层或多层半导体材料的有源区域；以及与该第一半导体区域耦合并且具有光波导的第二半导体区域，第一沟槽被布置在该光波导的第一侧，并且第二沟槽被布置在该光波导的与该第一侧相对的第二侧。可描述和/或要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN111052345A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201780094240.4
申请日：2017-09-30
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 描述了导电过孔和金属线端制造。在示例中，一种互连结构包括在硬掩模层上的第一层间电介质(ILD)，其中，ILD包括第一ILD开口和第二ILD开口。互连结构还包括ILD层上的蚀刻停止层(ESL)，其中，ESL包括与第一ILD开口对准以形成第一过孔开口的第一ESL开口，并且其中，ESL层包括与第二ILD开口对准的第二ESL开口。互连结构还包括第一过孔开口中的第一过孔；第一ESL上的第二ILD层；第二ILD层中的金属线，其中，金属线与第一过孔接触，并且其中，金属线包括第一金属开口，并且其中，金属线包括与第二ILD开口和第二ESL开口对准以形成第二过孔开口的第二金属开口。互连结构还包括第一金属开口中的金属线端，并进一步包括金属线中的第二过孔，其中，第二过孔在第二过孔开口中。
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公开(公告)号：CN105474481B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201380078899.2
申请日：2013-09-16
申请人： 英特尔公司
摘要： 所描述的是包括抗谐振光波导的混合式光学装置以及用于制造此类装置和系统的方法的实施例。在一个实施例中，混合式光学装置可以包括第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区包括一层或多层半导体材料的有源区，第二半导体区与第一半导体区耦合。第二半导体区可以包括光波导，该光波导配置成用于传输由光输入组件输入的光。光波导可以由第一沟槽和第二沟槽限定，第一沟槽设置在波导的第一侧上，第二沟槽设置在波导的与第一侧相对的第二侧上。每一个沟槽的宽度可以沿装置的长度变化以控制沿光波导被传输的光的光功率密度。可以描述并要求保护其他实施例。
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公开(公告)号：CN105474481A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201380078899.2
申请日：2013-09-16
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G02B6/12 , B82Y20/00 , G02B6/12004 , G02B2006/121 , G02B2006/12128 , H01L31/02327 , H01L33/58 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/1014 , H01S5/14 , H01S5/2031 , H01S5/50 , Y10S977/755
摘要： 所描述的是包括抗谐振光波导的混合式光学装置以及用于制造此类装置和系统的方法的实施例。在一个实施例中，混合式光学装置可以包括第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区包括一层或多层半导体材料的有源区，第二半导体区与第一半导体区耦合。第二半导体区可以包括光波导，该光波导配置成用于传输由光输入组件输入的光。光波导可以由第一沟槽和第二沟槽限定，第一沟槽设置在波导的第一侧上，第二沟槽设置在波导的与第一侧相对的第二侧上。每一个沟槽的宽度可以沿装置的长度变化以控制沿光波导被传输的光的光功率密度。可以描述并要求保护其他实施例。
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