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公开(公告)号：CN107636812A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201580080102.1
申请日：2015-06-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/373
CPC classification number: H01L23/29 , H01L21/563 , H01L23/18 , H01L23/31 , H01L23/3737 , H01L23/48 , H01L25/07
Abstract: 一些实施例涉及电子封装。电子封装包括第一管芯和堆叠到第一管芯上的第二管芯。第一密封剂位于第一管芯和第二管芯之间。第一密封剂包括覆盖第一管芯与第二管芯之间的第一体积的第一材料。第二密封剂位于第一管芯与第二管芯之间。第二密封剂包括覆盖第一管芯与第二管芯之间的第二体积的第二材料。所述第一材料具有比第二材料更高的导热率，并且与第一材料相比较，第二材料更有效地促进第一管芯与第二管芯之间的电连接。
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公开(公告)号：CN102893256B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201080064002.7
申请日：2010-10-27
Applicant: 英特尔公司
CPC classification number: G06F9/3834 , G06F9/30076 , G06F9/3836 , G06F9/3851 , G06F9/3857 , G06F9/3861 , G06F9/461 , G06F9/467 , G06F9/4812 , G06F2209/481
Abstract: 在一个实施例中，本发明包括一种方法，该方法用于在无约束事务存储器(UTM)事务的执行期间在内核模式中经由环转换从用户线程接收控制，更新与用户线程相关联的事务状态寄存器(TSR)的状态，并存储TSR连同用户线程的上下文，以及以后在从内核模式到用户线程的转换期间还原上下文。这样，UTM事务可以在用户线程的重新开始时继续。描述并要求保护了其它实施例。
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公开(公告)号：CN107636812B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201580080102.1
申请日：2015-06-17
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/373
Abstract: 一些实施例涉及电子封装。电子封装包括第一管芯和堆叠到第一管芯上的第二管芯。第一密封剂位于第一管芯和第二管芯之间。第一密封剂包括覆盖第一管芯与第二管芯之间的第一体积的第一材料。第二密封剂位于第一管芯与第二管芯之间。第二密封剂包括覆盖第一管芯与第二管芯之间的第二体积的第二材料。所述第一材料具有比第二材料更高的导热率，并且与第一材料相比较，第二材料更有效地促进第一管芯与第二管芯之间的电连接。
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公开(公告)号：CN102460376B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN200980160097.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： G·谢弗 , J·格雷 , B·史密斯 , A-R·阿德-塔巴塔巴伊 , R·杰瓦 , V·巴辛 , D·卡拉汉 , Y·倪 , B·萨哈 , M·泰列费尔 , S·赖金 , K·山田 , L·王 , A·基尚
CPC classification number: G06F9/3004 , G06F9/30087 , G06F9/30185 , G06F9/30189 , G06F9/3834 , G06F9/3851 , G06F9/3857 , G06F9/528 , G06F12/1036 , G06F12/1045 , G06F12/109 , G06F2212/401
Abstract: 本文描述了用于优化无约束事务存储器(UTM)系统的方法和装置。提供了对于监视、缓冲和元数据的硬件支持，其中针对元数据的正交的抽象地址空间可以分别与线程和/或线程内的软件子系统相关联。此外，元数据可以相对于数据以压缩方式、对软件透明地用硬件来保持。此外，响应于元数据访问指令/操作，硬件能够支持强制的元数据值以允许事务执行的多个模式。然而，如果检测到监视、缓冲数据、元数据或其它信息丢失或者冲突，则硬件提供丢失指令的变型，其能够针对这种丢失或冲突来轮询事务状态寄存器，并且响应于检测到该丢失或冲突而将执行跳转到标签。相似地，提供了提交指令的多种变型，用于允许软件定义提交条件和提交之后要清除的信息。此外，硬件提供支持以在环等级转变时允许事务的挂起和恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102460376A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200980160097.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 英特尔公司
Inventor： G·谢弗 , J·格雷 , B·史密斯 , A-R·阿德-塔巴塔巴伊 , R·杰瓦 , V·巴辛 , D·卡拉汉 , Y·倪 , B·萨哈 , M·泰列费尔 , S·赖金 , K·山田 , L·王 , A·基尚
CPC classification number: G06F9/3004 , G06F9/30087 , G06F9/30185 , G06F9/30189 , G06F9/3834 , G06F9/3851 , G06F9/3857 , G06F9/528 , G06F12/1036 , G06F12/1045 , G06F12/109 , G06F2212/401
Abstract: 本文描述了用于优化无约束事务存储器(UTM)系统的方法和装置。提供了对于监视、缓冲和元数据的硬件支持，其中针对元数据的正交的抽象地址空间可以分别与线程和/或线程内的软件子系统相关联。此外，元数据可以相对于数据以压缩方式、对软件透明地用硬件来保持。此外，响应于元数据访问指令/操作，硬件能够支持强制的元数据值以允许事务执行的多个模式。然而，如果检测到监视、缓冲数据、元数据或其它信息丢失或者冲突，则硬件提供丢失指令的变型，其能够针对这种丢失或冲突来轮询事务状态寄存器，并且响应于检测到该丢失或冲突而将执行跳转到标签。相似地，提供了提交指令的多种变型，用于允许软件定义提交条件和提交之后要清除的信息。此外，硬件提供支持以在环等级转变时允许事务的挂起和恢复。
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公开(公告)号：CN1238887C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN01821179.8
申请日：2001-11-13
Applicant: 英特尔公司
Inventor： L·王
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76826 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02318 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/7684
Abstract: 一种多孔介质，诸如低介电常数薄膜，可以被制成聚集材料来在提供一个暂时增加的机械强度。这可以通过，例如多孔介质的前序调整处理实现。通过向多孔介质的空隙组分引入辅助成分，机械特性被暂时提高以便使多孔薄膜具有类似于更坚硬的薄膜的机械特性。根据本发明的方法允许对Cu大马士革互连技术中的高度多孔夹层介电质(ILD)的有效处理。一旦处理操作诸如要求比由多孔薄膜单独提供的机械强度大的机械强度的Cu化学机械抛光(CMP)完成之后，可以通过诸如替代或者溶解的方法村除去辅助成分。
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公开(公告)号：CN1502123A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN01821179.8
申请日：2001-11-13
Applicant: 英特尔公司
Inventor： L·王
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76826 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02318 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76807 , H01L21/7684
Abstract: 一种多孔介质，诸如低介电常数薄膜，可以被制成聚集材料来在提供一个暂时增加的机械强度。这可以通过，例如多孔介质的前序调整处理实现。通过向多孔介质的空隙组分引入辅助成分，机械特性被暂时提高以便使多孔薄膜具有类似于更坚硬的薄膜的机械特性。根据本发明的方法允许对Cu大马士革互连技术中的高度多孔夹层介电质(ILD)的有效处理。一旦处理操作诸如要求比由多孔薄膜单独提供的机械强度大的机械强度的Cu化学机械抛光(CMP)完成之后，可以通过诸如替代或者溶解的方法村除去辅助成分。
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公开(公告)号：CN113013115A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011009982.2
申请日：2020-09-23
Applicant: 英特尔公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18 , H01L25/16 , H01L21/98
Abstract: 实施例涉及封装半导体器件。更特别地，实施例涉及具有不同高度的管芯和用以解决管芯高度差异的导热层的三维构造的半导体器件。实施例包括半导体封装和形成这样的封装的方法。一种半导体封装包括封装衬底上的第一、第二和第三微电子器件。第一微电子器件具有与第二微电子器件的顶表面基本上共面的顶表面。第三微电子器件具有高于第一和第二微电子器件的顶表面的顶表面。半导体封装包括第一和第二微电子器件上的第一传导层，以及第三微电子器件上的第二传导层。第二传导层具有比第一传导层的厚度更小的厚度，以及与第一传导层的顶表面基本上共面的顶表面。半导体包括第一和第二传导层上的热界面材料。第一和第二传导层由铜、银、氮化硼或石墨烯组成。
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