公开(公告)号：CN117594569A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310887155.0

申请日：2023-07-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·A·埃尔舍比尼 ,  K·V·瓦拉瓦拉 ,  全箕玟 ,  S·M·利夫 ,  J·M·斯万 ,  D·马利克 ,  F·埃德 ,  X·F·布伦 ,  B·J·克里希纳崔亚

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L25/00

Abstract: 本发明题为“准单片管芯架构”。本文公开了微电子组件、相关装置和方法。在一些实施例中，一种微电子组件可包括：具有一个或多个传导迹线和表面的电介质层；在电介质层的表面上的微电子子组件，该微电子子组件包括第一管芯和被电介质材料围绕的贯穿电介质通孔(TDV)，其中第一管芯在电介质层的表面；在第一管芯上并且通过具有小于10微米间距的互连而被电耦合到第一管芯的第二管芯和第三管芯，并且其中TDV在第一端处被电耦合到电介质层并在相对的第二端处被电耦合到第二管芯；以及在第二和第三管芯上并耦合到第二和第三管芯的衬底；以及在电介质层的表面上并且在微电子子组件周围的绝缘材料。

公开(公告)号：CN111886690A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980021959.4

申请日：2019-06-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·阿莱克索夫 ,  J·M·斯万

IPC: H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/528 ,  H01L23/13

Abstract: 本文公开了微电子组件以及相关的设备和方法。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括具有高带宽互连的封装基板、具有耦合到封装基板的高带宽电路的第一插入物，其中，第一插入物的高带宽电路电耦合到高带宽互连，以及具有耦合到封装基板的高带宽电路的第二插入物，其中，第二插入物的高带宽电路电耦合到高带宽互连，并且其中，第一插入物经由高带宽互连电耦合到第二插入物。

公开(公告)号：CN114203683A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110948205.2

申请日：2021-08-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·A·埃尔舍比尼 ,  K·巴拉特 ,  K·P·奥布里恩 ,  全箕玟 ,  邓汉威 ,  M·E·卡比尔 ,  G·S·帕斯达斯特 ,  F·埃德 ,  A·亚列索夫 ,  J·M·斯万 ,  S·M·利夫

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/64 ,  H01L23/482

Abstract: 本公开涉及具有直接键合区中的电感器的微电子组装件。本文公开了包括通过直接键合而耦合在一起的微电子组件的微电子组装件以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组装件可以包括第一微电子组件和通过直接键合区与第一微电子组件耦合的第二微电子组件，其中，直接键合区包括电感器的至少一部分。

公开(公告)号：CN104380041A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380004607.0

申请日：2013-06-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Q·马 ,  F·埃德 ,  K·林 ,  J·M·斯万 ,  W·H·德 ,  V·R·劳

IPC: G01C19/56 ,  G01C19/5776

CPC classification number: G01C19/56 ,  G01C19/5776

Abstract: 本发明涉及使用磁驱动和/或感测架构的感应式惯性传感器。实施例中，平移陀螺仪利用作为在磁场存在时驱动穿过线圈的时变电流的函数而使得在第一维度振动的导电线圈。感测线圈记录作为第二维度的角速度的函数而变化的电感。在实施例中，振动线圈导致感测线圈中的第一和第二互感作为角速度的函数而彼此偏离。在实施例中，与一对曲折线圈关联的自感作为第二维度的角速度的函数而变化。在实施例中，利用封装叠层来制造感应式惯性传感器，使封装级集成惯性传感在小形状因子的计算平台、如移动装置中处于优势。

公开(公告)号：CN114203684A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110948262.0

申请日：2021-08-18

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·A·埃尔舍尔比尼 ,  K·巴拉特 ,  邓汉威 ,  K·君 ,  A·阿列克索夫 ,  M·E·卡比尔 ,  S·M·利夫 ,  J·M·斯万 ,  F·埃德

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/482

Abstract: 本文公开了包括直接接合的微电子组件，以及相关的结构和技术。例如，在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和通过直接接合区耦合到第一微电子部件的第二微电子部件，其中直接接合区包括第一子区和第二子区，以及第一子区，并且第一子区具有比第二子区更大的金属密度。在一些实施例中，微电子组件可以包括第一微电子部件和通过直接接合区耦合到第一微电子部件的第二微电子部件，其中直接接合区包括第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触具有比第二金属接触更大的面积，并且第一金属接触电耦合到第一微电子部件的电源/接地平面。

公开(公告)号：CN104380041B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201380004607.0

申请日：2013-06-19

Applicant: 英特尔公司

Inventor： Q·马 ,  F·埃德 ,  K·林 ,  J·M·斯万 ,  W·H·德 ,  V·R·劳

IPC: G01C19/56 ,  G01C19/5776

Abstract: 本发明涉及使用磁驱动和/或感测架构的感应式惯性传感器。实施例中，平移陀螺仪利用作为在磁场存在时驱动穿过线圈的时变电流的函数而使得在第一维度振动的导电线圈。感测线圈记录作为第二维度的角速度的函数而变化的电感。在实施例中，振动线圈导致感测线圈中的第一和第二互感作为角速度的函数而彼此偏离。在实施例中，与一对曲折线圈关联的自感作为第二维度的角速度的函数而变化。在实施例中，利用封装叠层来制造感应式惯性传感器，使封装级集成惯性传感在小形状因子的计算平台、如移动装置中处于优势。