公开(公告)号：CN115377252A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

公开(公告)号：CN115207167A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202211125312.6

申请日：2022-09-16

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 徐卓 ,  王红芳 ,  王平 ,  张文辉 ,  于全庆 ,  李锋 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。

公开(公告)号：CN115207167B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211125312.6

申请日：2022-09-16

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 徐卓 ,  王红芳 ,  王平 ,  张文辉 ,  于全庆 ,  李锋 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。

公开(公告)号：CN115910772A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211097850.9

申请日：2022-09-08

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 夏新中 ,  潘明翠 ,  郎芳 ,  孟庆超 ,  王红芳 ,  翟金叶

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L31/068 ,  B08B5/02

摘要： 本发明提供了一种硅片背面及侧面硼硅玻璃的去除方法及太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括：硼扩散后的硅片刻蚀时，使热风从硅片的正上方垂直吹向硅片的正面，加热硅片，扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，去除硅片背面和侧面的硼硅玻璃。本发明热风直接吹到硅片的正面，在硅片的背面和侧面形成了快速的化学反应过程，进而提升刻蚀速度，提升了硅片背面和侧面硼硅玻璃的去除速度，提升了太阳能电池的生产效率，降低了氢氟酸刻蚀液的消耗，降低了资源消费，降低了企业的生产成本；同时能够扫除溅射到硅片正面的刻蚀液，避免硅片正面被腐蚀和刻蚀，在去除背面和侧面硼硅玻璃的同时，对硅片正面起到保护的作用。

公开(公告)号：CN115241330B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202211134022.8

申请日：2022-09-19

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 夏新中 ,  潘明翠 ,  孟庆超 ,  郎芳 ,  王红芳 ,  翟金叶

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  C30B33/10 ,  C30B29/06

摘要： 本发明提供了一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，属于半导体器件技术领域。本发明提供的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，包括刻蚀组件及加热组件，刻蚀组件包括传输轨道及酸液槽，硅片放置在传输轨道上，硅片的下端面与氢氟酸接触；加热组件包括导体线圈与电源件，电源件设置在导体线圈的两端，导体线圈沿着传输轨道的传送方向设置，导体线圈设置在硅片的外侧，电源件供电产生交流电流，导体线圈在交流电流的作用下产生交变的磁场，所产生的磁场穿过硅片引起感应电动势和涡流，涡流使硅片发热，温度升高。本发明提供的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，通过提高了反应温度，提高了生产效率，提升了产能。

公开(公告)号：CN115377252B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司(CN) ,  英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源(中国)有限公司(CN)

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

公开(公告)号：CN115497856A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211197604.0

申请日：2022-09-29

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司

发明人： 夏新中 ,  孟庆超 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  翟金叶 ,  郎芳

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/677

摘要： 本发明提供了一种消除太阳能电池绕扩、绕度的装置，属于半导体器件技术领域。本发明提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的装置，包括载片舟及沉积炉，载片舟包括舟体，舟体上设置有多组插片槽，插片槽的宽度大于硅片的厚度；沉积炉包括炉管主体、旋转组件以及驱动件，旋转组件包括转轴和用于支撑固定舟体的底托，转轴与炉管主体转动连接，转轴沿竖直方向贯穿炉管主体的底部，底托设置在转轴顶部，驱动件驱动转轴转动。本发明提供的一种消除太阳能电池绕扩、绕度的装置，硅片插入插片槽中，硅片背面贴紧插片槽远离舟体中心一侧的舟壁上，载片舟设置在底托上，转轴转动，利用离心力将硅片紧贴在舟壁上，避免绕扩或绕镀的发生，提升了生产效率。

公开(公告)号：CN115274928A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210923601.4

申请日：2022-08-02

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司

发明人： 翟金叶 ,  王子谦 ,  王红芳 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  王平 ,  徐卓 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供了一种MWT太阳能电池的制备方法，属于光伏电池的制备技术领域，包括在n型基底正面的制绒面上进行磷掺杂形成一层n+掺杂层；在n型基底背面进行硼掺杂形成一层p+掺杂层；利用激光在完成掺杂后的硅片上设置贯穿孔；利用激光在贯穿孔周围刻划形成一个去除p+掺杂层的闭合环形槽；采用化学清洗去除制备过程中的损伤层并进行钝化处理；将完成减反钝化层制备后的硅片上进行贯穿孔的金属化、背面金属化电极和正面金属化电极制备。本发明制备的电池能够解决常规n型MWT电池正面栅线导引至背面过程中pn结导通漏电，并随着时间延长和测试次数增加，漏电逐渐增大，最终电池衰减速度快，使用寿命短的问题。

公开(公告)号：CN115241330A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202211134022.8

申请日：2022-09-19

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 夏新中 ,  潘明翠 ,  孟庆超 ,  郎芳 ,  王红芳 ,  翟金叶

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  C30B33/10 ,  C30B29/06

摘要： 本发明提供了一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，属于半导体器件技术领域。本发明提供的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，包括刻蚀组件及加热组件，刻蚀组件包括传输轨道及酸液槽，硅片放置在传输轨道上，硅片的下端面与氢氟酸接触；加热组件包括导体线圈与电源件，电源件设置在导体线圈的两端，导体线圈沿着传输轨道的传送方向设置，导体线圈设置在硅片的外侧，电源件供电产生交流电流，导体线圈在交流电流的作用下产生交变的磁场，所产生的磁场穿过硅片引起感应电动势和涡流，涡流使硅片发热，温度升高。本发明提供的一种氢氟酸刻蚀太阳能电池用半导体硅片装置，通过提高了反应温度，提高了生产效率，提升了产能。

公开(公告)号：CN218827154U

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202222023214.3

申请日：2022-08-02

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司

发明人： 翟金叶 ,  王子谦 ,  郎芳 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  李锋 ,  史金超 ,  赵松林

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/068

摘要： 本实用新型提供了一种MWT太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括：n型基底；n型基底的正面设有n+掺杂层前场、正面减反钝化膜和正面金属栅线；n型基底的背面设有p+掺杂层发射极、背面减反钝化膜以及背面金属栅线和正负汇流电极；正面金属栅线与背面的汇流负电极通过金属化过孔相连接；汇流负电极周围设有一个去除p+掺杂层的闭合环形槽，实现与电池正极之间的隔断。本实用新型提供的电池，由于pn结在电池的背面，利用闭合环形槽对pn结的隔断实现正负极绝缘，方式更简便，绝缘效果更优异，漏电流更低，且不会随着时间延长漏电变大，降低了MWT电池衰减速度，提升了电池的使用寿命。