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公开(公告)号：CN108630763A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810603167.5
申请日：2018-06-12
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/02167 , H01L31/04 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1868
Abstract: 本发明实施例公开了一种光电转换装置及其制备方法，该光电转换装置包括P型半导体衬底，以及位于P型半导体衬底上依次设置的介质膜层、高掺杂半导体层和位于高掺杂半导体层上的第一金属电极，其中，介质膜层的禁带宽度比P型半导体衬底的禁带宽度至少大2.5eV，且介质膜层与P型半导体衬底的导带失配大于0.1eV。本发明实施例提供的一种光电转换装置及其制备方法，通过将P型半导体衬底经介质膜层进行钝化，降低其开路电压损失，再通过在介质膜层上设置高掺杂半导体层，减少载流子的传输路径，以减少电阻损失，从而获得高效的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN108582527A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201711481367.X
申请日：2017-12-30
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于制备切割硅片的基础硅片，所述基础硅片的表面为正方形或带倒角的正方形，所述基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影平行于所述基础硅片的一组相对边长，所述基础硅片为单晶硅片。本发明提供的制备切割硅片的基础硅片的自然裂解方向在基础硅片的表面的投影(110)平行于所述基础硅片的一组相对边长，在基础硅片制备切割硅片的时候，裂纹方向沿着平行于所述基础硅片边长的方向，能够减少破片率，且切片方向不变；减少了切割位置细小裂纹的产生，能够有效地降低组件的衰减，延长组件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN108198767A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711481405.1
申请日：2017-12-30
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例公开了一种电池片品质确定方法及装置，该方法通过根据电池片的转换效率，获得该电池片的效率品质级别，在根据电池片的品质参数，计算该电池片的填充因子损失比，最终由该电池片的效率品质级别和填充因子损失比，确定出该电池片的品质级别。本发明实施例提供的电池片品质确定方法及装置，通过对电池片确定电池片的转换效率后，再将转换效率相匹配的电池片按照其填充因子损失比进行划分，从而确定出电池片最终的品质级别，以使得采用相同品质级别的电池片制备的光伏组件之间具有相同的填充因子损失比，进而保证电池片之间的匹配关系，进一步提高采用该品质确定方法划分的电池片制备的光伏组件的弱光响应，并提升光伏组件发电能力。
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公开(公告)号：CN108198757A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711463248.1
申请日：2017-12-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种单面去除硅片掺杂层的方法，所述方法包括如下步骤：(1)将硅片的待刻蚀面向上放置；(2)将硅片水平自旋，同时滴加刻蚀液，刻蚀除去掺杂层；(3)刻蚀完毕，保持硅片水平自旋，滴加清洗液，清洗残留刻蚀液。本发明采用自旋方式，使刻蚀液平铺在硅片待刻蚀面的表面，反应去除掺杂层，由于刻蚀液能够较快速的在硅片表面流动，刻蚀时间短，能够抑制刻蚀液与绒面的反应，保护绒面结构，能够通过控制滴加速度、旋转速度等条件控制刻蚀液在硅片上的停留时间和停留量，从而控制刻蚀反应的程度，尽可能保护绒面结构。
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公开(公告)号：CN108196110A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711465621.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法及装置，该金属半导体界面复合电流密度的测试方法包括：提供测试样品组，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品；检测第一态样品中第一表面的第一电流密度；在第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；第一金属层包括N个相似的金属图案，不同所述金属图案对应的第一面积比不同；检测第二态样品中各金属图案对应的第二电流密度；基于第一电流密度、各金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度。本发明提供的方案实现了简单快速地进行金属半导体界面复合电流密度测试，且测试结果真实准确的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108120869B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201711460517.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法，该金属半导体界面复合电流密度的测试方法包括：提供测试样品组，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品；检测第一态样品中第一表面的第一电流密度；在第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；第一金属层包括N个相似的金属图案，不同所述金属图案对应的第一面积比不同；利用Suns‑Voc测试仪检测第二态样品中各金属图案对应的第二电流密度；基于第一电流密度、各金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度。本发明提供的方案实现了简单快速地进行金属半导体界面复合电流密度测试，且测试结果真实准确的效果。
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公开(公告)号：CN112234108A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910576223.5
申请日：2019-06-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种条形电池片、太阳能电池片及其制备方法、光伏组件及其制备方法，条形电池片包括硅基、位于所述硅基背面的背电场和接触电极，所述接触电极位于所述硅基的一侧边缘，至少部分所述接触电极突出所述背电场设置。通过至少部分所述接触电极突出所述背电场设置，可以使导电胶与接触电极充分接触，减少接触电阻，增加组件功率，同时解决EL明暗片不良的问题。
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公开(公告)号：CN108198767B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201711481405.1
申请日：2017-12-30
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明实施例公开了一种电池片品质确定方法及装置，该方法通过根据电池片的转换效率，获得该电池片的效率品质级别，在根据电池片的品质参数，计算该电池片的填充因子损失比，最终由该电池片的效率品质级别和填充因子损失比，确定出该电池片的品质级别。本发明实施例提供的电池片品质确定方法及装置，通过对电池片确定电池片的转换效率后，再将转换效率相匹配的电池片按照其填充因子损失比进行划分，从而确定出电池片最终的品质级别，以使得采用相同品质级别的电池片制备的光伏组件之间具有相同的填充因子损失比，进而保证电池片之间的匹配关系，进一步提高采用该品质确定方法划分的电池片制备的光伏组件的弱光响应，并提升光伏组件发电能力。
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公开(公告)号：CN109712905B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201811638818.0
申请日：2018-12-29
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池片的双面率异常分析方法，收集数据并统计形成数据库；测试获取异常电池片各特定参数的测试值，并从数据库中获取该异常电池片所述效率档位对应的各特定参数的特征值计算；再将双面率偏差分解为若干差异项，建立算式，计算得到各差异项影响该异常电池片双面率偏差的权重。本发明双面率异常分析方法能够得到对应不同特定参数的差异项影响异常电池片双面率偏差的权重，方便对主要的材料、工艺因素进行优先排查，更快地找出前述异常电池片的发生双面率偏差的原因，有助于现场对电池片双面率指标的监控，保证产品质量。
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公开(公告)号：CN108198771B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201711456622.5
申请日：2017-12-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/228 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种流量控制方法及流量控制装置，该流量控制方法包括：获取扩散炉中当前扩散工艺的运行序数；根据扩散工艺的运行序数和小氮流量值的对应关系以及当前扩散工艺的运行序数，得到当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值；按照当前执行扩散工艺所需要的小氮流量值，向扩散炉输入小氮。本发明实施例提供的流量控制方法不需要进行人工调节，有利于自动化生产，解决了现有技术中向扩散炉中通入恒定流量的小氮，再通过调节推进温度调节方阻，增加人力成本但得到的硅片方阻波动大，批次间硅片方阻均匀性差的问题，实现节约人力成本，批次间硅片方阻值均匀性良好的目的。
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