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公开(公告)号：CN111816713A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201910281638.X
申请日：2019-04-09
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光伏电池，设有硅衬底、形成在硅衬底表面的第一膜层、覆盖于第一膜层表面的第二膜层以及形成于第二膜层表面的第三膜层，所述第一膜层含氧化硅且直接与硅衬底接触，所述第二膜层含氧化铝且直接与第一膜层接触，所述第三膜层含氢且直接与第二膜层接触。本发明通过含氧化硅(SiO2)的第一膜层、含氧化铝(Al2O3)的第二膜层、以及含氢(H)的第三膜层，通过这三层的共同作用实现更好的表面钝化效果，氧化硅(SiO2)本身的致密性优于氧化铝(Al2O3)，一定程度上可以降低PID风险，氧化铝(Al2O3)的界面钝化可借助氧化硅(SiO2)来共同完成，实现更好的钝化效果。
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公开(公告)号：CN108120869A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711460517.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法，该金属半导体界面复合电流密度的测试方法包括：提供测试样品组，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品；检测第一态样品中第一表面的第一电流密度；在第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；第一金属层包括N个相似的金属图案，不同所述金属图案对应的第一面积比不同；利用Suns-Voc测试仪检测第二态样品中各金属图案对应的第二电流密度；基于第一电流密度、各金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度。本发明提供的方案实现了简单快速地进行金属半导体界面复合电流密度测试，且测试结果真实准确的效果。
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公开(公告)号：CN108196110A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711465621.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法及装置，该金属半导体界面复合电流密度的测试方法包括：提供测试样品组，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品；检测第一态样品中第一表面的第一电流密度；在第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；第一金属层包括N个相似的金属图案，不同所述金属图案对应的第一面积比不同；检测第二态样品中各金属图案对应的第二电流密度；基于第一电流密度、各金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度。本发明提供的方案实现了简单快速地进行金属半导体界面复合电流密度测试，且测试结果真实准确的效果。
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公开(公告)号：CN108120869B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201711460517.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法，该金属半导体界面复合电流密度的测试方法包括：提供测试样品组，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品；检测第一态样品中第一表面的第一电流密度；在第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；第一金属层包括N个相似的金属图案，不同所述金属图案对应的第一面积比不同；利用Suns‑Voc测试仪检测第二态样品中各金属图案对应的第二电流密度；基于第一电流密度、各金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度。本发明提供的方案实现了简单快速地进行金属半导体界面复合电流密度测试，且测试结果真实准确的效果。
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公开(公告)号：CN111341877A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811542588.8
申请日：2018-12-17
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供了一种双面PERC电池的制备方法，包括依次进行的镀膜、开槽、印刷以及烧结步骤，所述烧结步骤包括烘干阶段、第一升温阶段、第二升温阶段与第三升温阶段；所述第二升温阶段的起始温度为480～520℃，所述第二升温阶段的终止温度为550～580℃，且该第二升温阶段的升温速率设置为7～25℃/s。本发明制备方法通过设置相对缓慢的升温区间，既利于铝背场BSF的形成，又合理缩减“烧铝”反应时间，减小背极铝浆的侵蚀，有利于提高双面PERC电池的开路电压及转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108196110B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201711465621.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: G01R19/08
Abstract: 本发明公开了一种金属半导体界面复合电流密度的测试方法及装置，该金属半导体界面复合电流密度的测试方法包括：提供测试样品组，所述测试样品为具有第一表面和第二表面的第一态样品；检测第一态样品中第一表面的第一电流密度；在第一表面上形成第一金属层，以形成第二态样品；第一金属层包括N个相似的金属图案，不同所述金属图案对应的第一面积比不同；检测第二态样品中各金属图案对应的第二电流密度；基于第一电流密度、各金属图案的第一面积比以及对应的第二电流密度，得到第一金属层与半导体界面的复合电流密度。本发明提供的方案实现了简单快速地进行金属半导体界面复合电流密度测试，且测试结果真实准确的效果。
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公开(公告)号：CN109714001A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811614859.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池切割损伤的检测方法，所述检测方法包括：通过测试太阳能电池切片前和切片后的开路电压，从而检测太阳能电池切割损伤，所述测试用仪器的光照强度为0.01-0.1sun；检测方法简单、稳定性高、灵敏度好，能够用于检测影响太阳能电池光转化效率的损伤。
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公开(公告)号：CN210866198U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201922258194.6
申请日：2019-12-16
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
Abstract: 本实用新型公开了一种PERC双面电池及光伏组件，所涉及PERC双面电池包括硅片，所述硅片背面设置有钝化层，所述PERC双面电池还具有设置于所述钝化层背面的背电极，所述背电极包括若干沿第一方向间隔设置的焊盘组，每一所述焊盘组包括若干沿垂直于所述第一方向的第二方向间隔分布的焊盘，在以所述焊盘为原点、以沿所述第一方向延伸的直线为横轴、以沿所述第二方向延伸的直线为纵轴的坐标系中，所述背电极还包括四根均连接至该所述焊盘且朝四个不同象限延伸的电极副栅；基于本实用新型中所涉及背电极的具体设计结构，能够有效优化PERC双面电池背面电流的传输路径，进而可有效提高PERC双面电池的电池效率。
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公开(公告)号：CN210607208U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201922115685.5
申请日：2019-11-29
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨舟片及石墨舟，该石墨舟片包括本体和卡点，本体上设有多个配合孔，多个配合孔沿本体的长度方向间隔分布，本体上设有环绕配合孔设置的搭接部，搭接部用于支撑硅片，搭接部上设有缺口或者开孔以减小搭接部与硅片的接触面积，卡点为多个，多个卡点均位于搭接部的外侧，多个卡点用于卡接硅片。本实用新型实施例的石墨舟片，由于与硅片接触的搭接部上设有开孔或者缺口，在保证了石墨舟片能够稳定承载硅片的同时减小了石墨舟片与硅片的接触面积，从而减小硅片上的舟印面积，有效地改善了电池片膜色差异问题。
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公开(公告)号：CN210516688U
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201922051463.1
申请日：2019-11-25
Applicant: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团有限公司
IPC: H01L21/673 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型涉及太阳能电池片加工技术领域，尤其涉及一种石英舟。石英舟包括相对设置的两个连接板及连接于两个所述连接板之间的底部支撑部，所述底部支撑部上沿其长度方向设置有多个第一卡槽，所述第一卡槽能够同时容纳两张硅片，所述石英舟还包括相对设置的两个侧部支撑杆，连接于两个所述连接板之间，两个所述侧部支撑杆中的一个上沿其长度方向设置有多个第二卡槽，另一个沿其长度方向设置有多个第三卡槽，所述第二卡槽和所述第三卡槽沿所述侧部支撑杆的长度方向错开设置，以使位于同一所述第一卡槽内的两张硅片中的一张卡入所述第二卡槽内、另一张卡入所述第三卡槽内。该石英舟可以在不影响石英舟承载硅片数量的基础上，实现硅片双面扩散。
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