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公开(公告)号：CN117026052A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310931564.6
申请日：2023-07-27
申请人： 苏州磁亿电子科技有限公司
IPC分类号： C22C28/00 , H01F1/057 , H01F41/02 , B22D11/06 , B22F9/02 , B22F9/04 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/16 , C22C38/14
摘要： 本发明公开了一种晶界扩散源及制备方法、钕铁硼磁体的制备方法，所述晶界扩散源是以原子百分比计为(RE1‑x‑yHRExYy)70(MⅠ1‑zMⅡz)30的合金粉末；所述RE选自La、Ce、Pr或Nd的一种或多种；HRE选自Dy或Tb的一种或多种，所述MⅠ和MⅡ为选自Fe、Co、Al、Mg、Cu、Zn、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta或W中的一种或多种；其中，0≤x≤1，0≤y≤0.3，0≤z≤1，x(RE)+x(HRE)+x(Y)＝70at.％，x(MⅠ)+x(MⅡ)＝30at.％，本发明采用了晶界扩散工艺，向烧结磁体中渗透Dy/Tb和Y等元素，在剩磁的降低幅度不大的前提下，由于Dy/Tb和Y的协同作用，可以制备高矫顽力和低退磁因子的磁体，同时由于Y元素的成本低，故可以很好的降低生产成本，还能保证磁铁的高温性能和热稳定性。
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公开(公告)号：CN115910521A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310005209.6
申请日：2023-01-04
申请人： 苏州磁亿电子科技有限公司
IPC分类号： H01F10/12 , H01F10/14 , H01F10/18 , H01F41/14 , H01F41/02 , H01F1/057 , B22F1/107 , B22F3/22 , C22C38/00 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16
摘要： 本发明公开了一种薄膜状HRE扩散源及制备方法、钕铁硼磁体制备方法，薄膜状HRE扩散源包括附着在基带上的HRE薄膜，基带为可剥离的柔性载体，一种扩散钕铁硼磁体制备方法，包括如下步骤：1）制备HRE扩散源；2）制备钕铁硼磁铁毛坯；3）将钕铁硼磁铁毛坯加工为晶界扩散处理的基片，按一层HRE扩散源、一层基片的方式叠层在石墨盒内；4）叠层好的基片及扩散源在高温热处理和低温回火处理后得到钕铁硼磁体，本发明采用流延成膜的方式制得厚度均一的柔性薄膜状HRE扩散源，解决了钕铁硼永磁体性能提升不一致的问题，HRE扩散源能被裁剪成任意形状贴附在磁体上，提高扩散源的使用率，采用HRE扩散源一层、基片一层的叠层方式制备钕铁硼磁体，提高了磁铁的矫顽力。
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公开(公告)号：CN117038313A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311095021.1
申请日：2023-08-29
申请人： 苏州磁亿电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶界扩散源及高性能高丰度稀土磁体的制备方法，该晶界扩散源，包括(HRExLa1‑x)68(M1‑yGay)32合金粉末，HRE选自Dy或Tb的一种或多种，M选自Fe、Co、Al、Ca、Cu、Ni、Ge、Zr、Ti、Nb、Mo、Hf、Ta或W中的一种或多种；其中，0≤x≤1，0≤y≤1，x(HRE)+x(La)＝68at.％，x(M)+x(Ga)＝32at.％，本发明的晶界扩散源，在晶界中La原子部分取代Ce可以减少甚至抑制CeFe2相的生成，有助于Tb/Dy元素的扩散，La元素会形成Ia3_‑RE2O3晶界相，该相的润湿性易于形成光滑完整的晶间相有利于减弱近邻主相晶粒之间的交换耦合作用从而提高磁体的矫顽力；Ga元素扩散后生成的RE6(Fe,M)14相能降低晶界相中的α‑Fe含量，从而提高磁体的矫顽力，并且RE6(Fe,M)14相具有的反铁磁特性能提高磁体的矫顽力；La元素的价格远低于Tb元素的价格，成本低廉。
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公开(公告)号：CN117004903A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310931626.3
申请日：2023-07-27
申请人： 苏州磁亿电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种薄膜状晶界扩散源及制备方法、钕铁硼磁体制备方法，该薄膜状晶界扩散源包括柔性耐高温载体；柔性耐高温载体的两侧贴附有HRE扩散源薄膜；两个HRE扩散源薄膜的外表面上分别贴附有微孔膜；本发明通过电泳沉积制备的HRE扩散源对磁铁进行晶界扩散，能有效提高磁铁的矫顽力，同时二次电泳沉积制备的微孔膜不会阻碍HRE扩散源向磁铁内部的扩散，同时还能避免HRE扩散源与磁铁表面大面积的接触，减少了过厚壳层的形成，提高了HRE利用率；柔性耐高温载体的耐高温和抗氧化特性，避免了扩散物质的氧化，降低了HRE的不必要消耗；由于柔性耐高温载体的存在，磁体与磁体的接触不会产生粘连现象，进而提高了装载量，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN116705486A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310639589.9
申请日：2023-06-01
申请人： 苏州磁亿电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种多层结构的晶界扩散薄膜、钕铁硼磁体的制备方法；上述多层结构的晶界扩散薄膜包括依次从下往上设置的第一辅助扩散层、重稀土扩散源层、第二辅助扩散层和功能保护层，本发明在制备钕铁硼磁体的过程中，第一辅助扩散层在毛细血管效应作用下沿晶界相向磁体内部扩散从而构建了适合重稀土扩散的扩散通道，第二辅助扩散层中的材料熔化后不断扩散到重稀土扩散层中，对重稀土扩散层中的材料形成包覆，减少了重稀土扩散层中的材料与磁体表面的直接接触，避免了重稀土的过渡浪费，磁体的矫顽力得到提高；功能保护层的耐高温和抗氧化特性，避免了扩散物质的氧化，降低了HRE扩散源的消耗，防止磁体与磁体产生的粘连现象，提高装载量。
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公开(公告)号：CN116855131A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310639381.7
申请日：2023-06-01
申请人： 苏州磁亿电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种RE金属油墨及制备方法、制备钕铁硼磁体的方法，上述RE金属油墨包括：20～80wt.％的RE金属纳米颗粒、15～80wt.％的有机溶剂以及0‑5wt.％的附着力促进剂；上述制备钕铁硼磁体的方法，包括如下步骤：S10制备用于晶界扩散处理的烧结钕铁硼毛坯；S20将烧结钕铁硼毛坯加工为晶界扩散处理的基片；S30采用喷墨印刷机将RE金属油墨按照设定的分区打印到基片表面，得到待扩散磁体；S40将待扩散磁体进行扩散热处理后得到扩散磁体，本发明采用喷墨打印进行选区晶界扩散加工从而能控制选区扩散的精度，实现多种扩散源的协同作用，降低HRE的用量；对多区域、多浓度梯度、多种扩散源协同作用的选区扩散容易实现大规模、自动化的生产，涂层厚度易控制。
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公开(公告)号：CN116682663A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310639380.2
申请日：2023-06-01
申请人： 苏州磁亿电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种采用旋涂法进行晶界扩散制备高性能磁体的方法，包括如下步骤：S1)制备用于晶界扩散处理的烧结钕铁硼毛坯；S2)将烧结钕铁硼毛坯加工为晶界扩散的基片，并经过表面处理；S3)采用旋涂法在基片表面旋涂得到扩散源薄膜；S4)将镀有扩散源薄膜的基片烘干后得到待扩散磁体；S5)将待扩散磁体进行扩散热处理，得到扩散磁体,本发明通过旋涂法制备扩散源薄膜能够有效控制扩散的精度，提高生产效率，降低HRE的用量；同时成膜厚度均匀性高，与基体的结合力强，能提高扩散物质的扩散深度和扩散均匀性使得钕铁硼永磁体性能提升的一致性高；另外基片的表面光滑，表面波动小，制备出高矫顽力高磁能积的商用钕铁硼磁体。
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公开(公告)号：CN220031440U
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202321240297.X
申请日：2023-05-22
申请人： 苏州磁亿电子科技有限公司
IPC分类号： B41F15/08
摘要： 本实用新型公开了一种晶界扩散排版用工装治具，包括承载部，承载部包括底座，底座内开有凹槽，凹槽的相邻两端设有相连设置的第一限位板和第二限位板构成；吸力增强部件设置在凹槽内，并通过第一限位板和第二限位板进行限位；软磁片可拆卸的吸附在吸力增强部件的上表面，且软磁片的两端通过第一限位板和第二限位板进行限位；磁铁沿着第一限位板和第二限位板限位后分布在软磁片上，本实用新型中吸力增强部件和软磁片为可拆卸的设置在凹槽内，可以将不同规格产品放置在软磁片上后进行丝网印刷，通用性好；通过吸力增强部件和软磁片对磁铁进行强有力吸附，磁铁不会被浆料粘黏，软磁片背面磁性弱，可便捷的将软磁片和吸力增强部件分离，加工效率高。
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