本发明公开了一种多层结构的晶界扩散薄膜、钕铁硼磁体的制备方法；上述多层结构的晶界扩散薄膜包括依次从下往上设置的第一辅助扩散层、重稀土扩散源层、第二辅助扩散层和功能保护层，本发明在制备钕铁硼磁体的过程中，第一辅助扩散层在毛细血管效应作用下沿晶界相向磁体内部扩散从而构建了适合重稀土扩散的扩散通道，第二辅助扩散层中的材料熔化后不断扩散到重稀土扩散层中，对重稀土扩散层中的材料形成包覆，减少了重稀土扩散层中的材料与磁体表面的直接接触，避免了重稀土的过渡浪费，磁体的矫顽力得到提高；功能保护层的耐高温和抗氧化特性，避免了扩散物质的氧化，降低了HRE扩散源的消耗，防止磁体与磁体产生的粘连现象，提高装载量。