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公开(公告)号：CN118068598A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410501422.0
申请日：2024-04-25
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司 , 苏州易缆微半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于慢波电极的薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法，包括硅衬底和薄膜铌酸锂波导层，所述薄膜铌酸锂波导层包括马赫曾德尔结构，在马赫曾德尔结构每条波导分支臂的两侧分别设置信号电极和接地电极，其特征在于，所述信号电极包括慢波电极段和条形电极段，所述慢波电极段与所述条形电极段相连接；通过调整条形电极段的宽度以及条形电极段与接地电极的间距来调整条形电极段的特征阻抗，使其与慢波电极段的特征阻抗相匹配；通过调整慢波电极段的长度以及条形电极段的长度，使得光波群时延与微波群时延相等，实现速度匹配。进而实现高带宽、低驱压的薄膜铌酸锂电光调制器。
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公开(公告)号：CN117393655A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311680929.9
申请日：2023-12-08
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司 , 苏州易缆微半导体技术有限公司
摘要： 本公开提供了一种用于硅光芯片和有源器件的高精度贴装方法及系统，涉及硅光芯片集成技术，方法包括：确定硅基底表面和待贴装有源器件；确定引脚点式贴装的有源器件和集成面式贴装的有源器件；将待贴装有源器件贴装硅基底表面，当为引脚点式贴装，确定第一精度指标；当为集成面式贴装，确定第二精度指标；按照第一精度指标和第二精度指标对实时贴装数据集进行贴装精度识别，根据贴装精度识别结果生成贴装反馈数据进行贴装精度校正。能够解决由于硅光芯片和有源器件的贴装质量检测方法检测精度较低，导致贴装精度识别结果的准确性和实用性较低的技术问题，可以提高贴装精度识别结果获得的准确率，从而可以提高贴装精度校正的准确性。
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公开(公告)号：CN117393655B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311680929.9
申请日：2023-12-08
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司 , 苏州易缆微半导体技术有限公司
摘要： 本公开提供了一种用于硅光芯片和有源器件的高精度贴装方法及系统，涉及硅光芯片集成技术，方法包括：确定硅基底表面和待贴装有源器件；确定引脚点式贴装的有源器件和集成面式贴装的有源器件；将待贴装有源器件贴装硅基底表面，当为引脚点式贴装，确定第一精度指标；当为集成面式贴装，确定第二精度指标；按照第一精度指标和第二精度指标对实时贴装数据集进行贴装精度识别，根据贴装精度识别结果生成贴装反馈数据进行贴装精度校正。能够解决由于硅光芯片和有源器件的贴装质量检测方法检测精度较低，导致贴装精度识别结果的准确性和实用性较低的技术问题，可以提高贴装精度识别结果获得的准确率，从而可以提高贴装精度校正的准确性。
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公开(公告)号：CN116072589A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310210013.0
申请日：2023-03-07
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司 , 苏州易缆微半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及光模块封装的技术领域，特别是涉及一种集成光模块封装设备，其能够对光模块进行快速封装，提升封装效率；包括：加工台，加工台中部固定安装有驱动箱，驱动箱上转动安装有多功能吸嘴，多功能吸嘴上设置有分别用于吸取封盖、硅片、基座的吸嘴；加工台上以多功能吸嘴旋转的轴线为轴呈圆周阵列设置有封盖置物台、硅片置物台、基座置物台和封装台，封盖置物台用于整齐摆放光模块的封盖，硅片置物台用于整齐摆放光模块的内部硅片，基座置物台用于整齐摆放光模块的基座，封装台用于依次承接基座、硅片和封盖，并配合吊装在加工台上方的热处理单元，热处理至硅片固定在基底为止，并将封盖与基座热熔合并。
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公开(公告)号：CN118897415A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411234835.3
申请日：2024-09-04
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司 , 苏州易缆微半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种集成频域均衡结构的薄膜铌酸锂差分电光调制器，包括铌酸锂层，所述铌酸锂层设置有薄膜铌酸锂波导，所述薄膜铌酸锂波导包括马赫曾德尔结构，马赫曾德尔结构包括2个波导分支臂，马赫曾德尔结构的调制区至少分为三段，包括基本调制段、同相调制段与反相调制段，2个波导分支臂在基本调制段产生一定的相位差，2个波导分支臂在同相调制段产生与在基本调制段产生的相位差同相的相位差，2个波导分支臂在反相调制段产生与在基本调制段产生的相位差反相的相位差，同相调制段和反相调制段长度相等。集成频域均衡结构可以使得薄膜铌酸锂调制器实现更高的电光调制带宽。
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公开(公告)号：CN118068598B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410501422.0
申请日：2024-04-25
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司 , 苏州易缆微半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于慢波电极的薄膜铌酸锂电光调制器及制备方法，包括硅衬底和薄膜铌酸锂波导层，所述薄膜铌酸锂波导层包括马赫曾德尔结构，在马赫曾德尔结构每条波导分支臂的两侧分别设置信号电极和接地电极，其特征在于，所述信号电极包括慢波电极段和条形电极段，所述慢波电极段与所述条形电极段相连接；通过调整条形电极段的宽度以及条形电极段与接地电极的间距来调整条形电极段的特征阻抗，使其与慢波电极段的特征阻抗相匹配；通过调整慢波电极段的长度以及条形电极段的长度，使得光波群时延与微波群时延相等，实现速度匹配。进而实现高带宽、低驱压的薄膜铌酸锂电光调制器。
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公开(公告)号：CN114371561A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111664187.1
申请日：2021-12-31
申请人： 苏州易缆微半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种自对准高精度铌酸锂调制器的制备方法，包括以下步骤：S1:对有基底、下包层、薄膜铌酸锂构成的晶圆通过前序工艺沉积金属层；S2:采用光刻技术将波导的金属掩膜和电极的图形转移至金属层；S3:经铌酸锂刻蚀工艺在波导两侧刻蚀沟槽形成铌酸锂波导；S4:通过半导体工艺在金属层上制备保护层；S5:对保护层图形化，电极上面的保护图形将电极包覆，而波导上面的金属掩膜裸露在外；S6:去除裸露在外的金属掩膜；S7:去除保护电极的保护图形；S8:制备上包层。本发明在图形化金属层时，同时将制备波导所需的金属掩膜和电极同时转移至金属层，实现两者之间自对准高精度效果，避免采用套刻工艺带来误差。
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公开(公告)号：CN112034638A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010970699.X
申请日：2020-09-16
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种偏振无关光学移相器，二维光栅耦合器通过模斑转换器与波导连接，移相区电极放置于波导周围；所述二维光栅耦合器接收/输出任意偏振态的光，模斑转换器实现波导与二维光栅耦合器之间的耦合；所述电极位于两波导臂周围，与所述波导组成的调制区域内，实现对波导内传输光波的相位调制。本发明通过采用二维光栅耦合器，实现了任意偏振态的光波耦合进波导后仅存在单一模式光波的传输，极大的简化了光学移相器系统的复杂度，扩展了光学移相器的应用范围。通过采用基于等离子体色散效应、材料热光效应和电光效应的原理，实现对传输光波相位的调制，提高了不同应用场景下光学移相器制作方案的选择性。
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公开(公告)号：CN106526752A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611033025.7
申请日：2016-11-23
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司
IPC分类号： G02B6/28
CPC分类号： G02B6/2813
摘要： 本发明公开了一种用于多模光波导3dB分束的定向耦合器及耦合方法，包括两组密集波导阵列，每组密集波导阵列由两根以上掩埋型矩形光波导并排构成；两组密集波导阵列分为输入区、第一渐变锥形区、耦合区、第二渐变锥形区、输出区；输入区通过第一渐变锥形区与耦合区一端相连，耦合区的另一端通过第二渐变锥形区与输出区相连；通过第一渐变锥形区、第二渐变锥形区调节输入区、输出区、耦合区的掩埋型矩形光波导的宽度以及掩埋型矩形光波导之间的距离。本发明通过基于密集波导阵列结构的多模光波导的定向耦合器，同时实现多个模式的3dB分束，具有结构紧凑、简单，易于加工实现等效果，可应用于模分复用集成光路。
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公开(公告)号：CN106199859A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610738431.7
申请日：2016-08-29
申请人： 苏州易缆微光电技术有限公司
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： G02B6/4246 , G02B6/4286 , G02B6/4287
摘要： 本发明公开了一种有源光缆的集成光收发模块及其制备方法，该模块包括至少一个矩形氧化硅光波导、两个45°的V型槽、至少一个垂直腔面激光器、至少一个光子探测器。垂直腔面激光器以及探测器均通过焊点与金属电极相连，折射率匹配胶起到折射率匹配作用。本发明相比于传统收发模块具有封装小，速率高，功耗低，可批量制作等优点，因此可以大大提高系统稳定性和可靠性，并且有利于多通道的集成。
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