发明公开
- 专利标题: 一种集成频域均衡结构的薄膜铌酸锂差分电光调制器
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申请号: CN202411234835.3申请日: 2024-09-04
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公开(公告)号: CN118897415A公开(公告)日: 2024-11-05
- 发明人: 殷祥 , 吴星宇 , 陈伟 , 张建军 , 陈朋鑫
- 申请人: 苏州易缆微光电技术有限公司 , 苏州易缆微半导体技术有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市常熟高新技术产业开发区东南大道68号1幢;
- 专利权人: 苏州易缆微光电技术有限公司,苏州易缆微半导体技术有限公司
- 当前专利权人: 苏州易缆微光电技术有限公司,苏州易缆微半导体技术有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市常熟高新技术产业开发区东南大道68号1幢;
- 代理机构: 常州佰业腾飞专利代理事务所
- 代理商 王清
- 主分类号: G02F1/035
- IPC分类号: G02F1/035 ; G02F1/03 ; G02F1/01
摘要:
本发明公开了一种集成频域均衡结构的薄膜铌酸锂差分电光调制器,包括铌酸锂层,所述铌酸锂层设置有薄膜铌酸锂波导,所述薄膜铌酸锂波导包括马赫曾德尔结构,马赫曾德尔结构包括2个波导分支臂,马赫曾德尔结构的调制区至少分为三段,包括基本调制段、同相调制段与反相调制段,2个波导分支臂在基本调制段产生一定的相位差,2个波导分支臂在同相调制段产生与在基本调制段产生的相位差同相的相位差,2个波导分支臂在反相调制段产生与在基本调制段产生的相位差反相的相位差,同相调制段和反相调制段长度相等。集成频域均衡结构可以使得薄膜铌酸锂调制器实现更高的电光调制带宽。