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公开(公告)号：CN117790366B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202311799771.7
申请日：2023-12-26
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明提出了一种从晶圆表面移除氮化硅的装置及方法，包括：获取模块获取晶圆上表面的第一氮化硅层的属性信息，根据所述属性信息查询预设数据库确定第一移除时长；第一处理模块将晶圆浸入氢氟酸中预设时长后，用清水冲洗；第二处理模块在将冲洗后的晶圆浸入热磷酸中第一移除时长后，检测晶圆上表面的第一氮化硅层的去除信息；在确定第一氮化硅层去除后，对晶圆进行上下翻转，检测晶圆下表面的第二氮化硅层的去除参数，并与预设去除参数进行比较；在确定去除参数大于预设去除参数时，确定未去除区域的特征参数；根据未去除区域的特征参数确定冲洗参数，基于冲洗参数对未去除区域进行冲洗。提高对晶圆上下表面的氮化硅层的清洗速率。
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公开(公告)号：CN117153712A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311198666.8
申请日：2023-09-18
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供半导体清洗设备腔室内部的综合监控系统及方法，其系统包括：监控设备布设模块，用于根据半导体清洗设备的腔室内部结构，布设若干个具有数据采集功能的传感器；监控数据获取模块，用于基于传感器获取半导体清洗设备的清洗过程中的监控类项参数数据，并进行接续处理后，获得综合监控数据；监控数据处理模块，用于根据预设的半导体清洗设备清洗工作综合监控管理平台，对综合监控数据进行分析，并根据分析结果进行应对处理。本发明通过在半导体清洗设备腔室内部布设多种性能类型的传感器，采集温度、湿度、晶圆水平角度、气体和振动数据，并实时监控处理，可提高对半导体清洗设备清洗过程的监控质量和半导体清洗设备清洗工作的效率。
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公开(公告)号：CN117727662B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311745517.9
申请日：2023-12-19
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法，包括：加热装置、检测模块，刻蚀模块及调节模块，对晶圆刻蚀过程进行检测，根据对晶圆的刻蚀情况，对初始刻蚀条件进行优化调整，便于提高刻蚀速率及刻蚀准确性。
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公开(公告)号：CN117153712B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311198666.8
申请日：2023-09-18
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供半导体清洗设备腔室内部的综合监控系统及方法，其系统包括：监控设备布设模块，用于根据半导体清洗设备的腔室内部结构，布设若干个具有数据采集功能的传感器；监控数据获取模块，用于基于传感器获取半导体清洗设备的清洗过程中的监控类项参数数据，并进行接续处理后，获得综合监控数据；监控数据处理模块，用于根据预设的半导体清洗设备清洗工作综合监控管理平台，对综合监控数据进行分析，并根据分析结果进行应对处理。本发明通过在半导体清洗设备腔室内部布设多种性能类型的传感器，采集温度、湿度、晶圆水平角度、气体和振动数据，并实时监控处理，可提高对半导体清洗设备清洗过程的监控质量和半导体清洗设备清洗工作的效率。
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公开(公告)号：CN117373988A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311593057.2
申请日：2023-11-27
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于伯努利卡盘的晶圆保持装置，包括：卡盘，其顶面形成有环形吸附区域；转动组件，设置在卡盘的下方，转动组件上设有用于为卡盘提供气流以形成环形吸附区域的进气通道，转动组件上设有出气通道；卡盘的中部设有与出气通道连通的通孔；检测模块，用于获取通孔内气体的第一流量以及出气通道远离通孔一端内气体的第二流量，并判断卡盘以预设间隙距离在预设气体流量下对晶圆夹持时，转动组件是否发生泄漏。环形吸附区域各处负压均衡，为晶圆提供稳定吸附力；检测模块能够监测气体流量的情况，并对供气流量进行适应性调节，保证对晶圆的稳定夹持和蚀刻的均匀性，防止溶液对晶圆边缘污染，提升刻蚀质量。
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公开(公告)号：CN117672801B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311647778.7
申请日：2023-12-05
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种温度控制的等离子刻蚀系统及方法，包括：无接触检测晶圆上表面温度及晶圆下底面温度，检测刻蚀过程等离子体温度分布及聚合副产物聚集区域温度；分析判定晶圆上表面温度差异值超常点及晶圆下底面温度差异值超常点，筛选出等离子体温度分布差异超常空间区域，选取聚合副产物聚集厚度超常刻蚀腔区域；对晶圆上表面及晶圆下底面进行温度补偿控制，并进行等离子体温度分布空间均衡控制及聚合副产物热剥离控制；进行超常点红外聚焦温度补偿及底面局部热导温度补偿，并进行等离子体温度分布空间均衡；对聚合副产物聚集厚度超常刻蚀腔区域加热使聚合副产物热剥离；进行等离子刻蚀晶圆双温补偿空间均衡过程防护。
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公开(公告)号：CN117690826B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311694219.1
申请日：2023-12-12
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆处理系统及方法，包括：对晶圆清洗液进行喷淋前均匀混合及增压除气过滤；智能识别晶圆表面实时高清图像，监测晶圆表面清洗液分布状态；检测导流管清洗液流量及清洗液各成分浓度；分析清洗液喷淋流量及清洗液喷淋液滴分布；控制清洗液各成分导入量；根据清洗液喷淋流量及清洗液喷淋液滴分布，进行晶圆处理过程清洗液一致性平衡喷淋及均匀分布喷淋。
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公开(公告)号：CN117954340A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410033292.2
申请日：2024-01-10
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种选择性蚀刻方法及装置，其方法包括：步骤1：获取蚀刻工艺图案，并基于蚀刻工艺图案确定对待蚀刻物进行蚀刻的保护区域与蚀刻区域；步骤2：在反应舱中基于蚀刻剂对蚀刻区域进行蚀刻的过程进行实时监测，并当蚀刻过程不满足蚀刻标准时，生成蚀刻干预方案；基于蚀刻干预方案对蚀刻过程进行蚀刻干预，直至完成选择性蚀刻；步骤3中，在完成选择性蚀刻后在蚀刻区域基于保护区域的表面属性确定清洗策略，且基于清洗策略对保护区域的表面进行清洗。有利于保障对待蚀刻物进行选择性蚀刻的有效性与准确性；保障对待蚀刻物进行蚀刻的质量。
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公开(公告)号：CN117690826A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311694219.1
申请日：2023-12-12
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆处理系统及方法，包括：对晶圆清洗液进行喷淋前均匀混合及增压除气过滤；智能识别晶圆表面实时高清图像，监测晶圆表面清洗液分布状态；检测导流管清洗液流量及清洗液各成分浓度；分析清洗液喷淋流量及清洗液喷淋液滴分布；控制清洗液各成分导入量；根据清洗液喷淋流量及清洗液喷淋液滴分布，进行晶圆处理过程清洗液一致性平衡喷淋及均匀分布喷淋。
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公开(公告)号：CN117542758A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311594787.4
申请日：2023-11-28
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体刻蚀技术领域，公开了一种单片晶圆半导体刻蚀设备及刻蚀方法，包括：设置在台板上的外罩，外罩内侧形成刻蚀腔；设置在刻蚀腔内的支撑部，支撑部上转动设有旋转部件，旋转部件的顶部用于夹持待刻蚀晶圆；设置在旋转部件上方的溶液输送装置；支撑部的顶面设有环形出气口，环形出气口能够向支撑部与待刻蚀晶圆形成的间隙处提供设定压力的惰性气体；外罩的一侧设有与抽气装置连接的排气口。抽气装置对刻蚀腔内气体抽吸，防止刻蚀产生的化学气体停留在刻蚀腔内；环形出气口提供的惰性气体使间隙处形成出气压力，阻止化学气体、废液和杂质从间隙进入，防止对晶圆产生腐蚀和污染，避免化学气体和废液逃逸扩散至外部。
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