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公开(公告)号：CN117766422B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410001136.8
申请日：2024-01-02
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/306
摘要： 本发明提供了一种用于蚀刻薄层的方法和设备，其方法包括：步骤1：获取蚀刻任务，并根据蚀刻任务基于蚀刻液层对待蚀刻薄层进行蚀刻，同时，实时监测待蚀刻薄层的第一状态信息与蚀刻液层的第二状态信息；步骤2：将第二状态信息输入至蚀刻分析模型中进行分析，并基于分析结果输出蚀刻校准参数；步骤3：基于蚀刻校准参数对蚀刻液层的浓度进行调整，并实时监测待蚀刻薄层的第一状态信息对应的第三状态信息，且当第三状态信息与基准状态信息一致时，完成蚀刻任务；保障对待蚀刻薄层进行蚀刻的蚀刻效率、蚀刻准确性以及蚀刻质量。
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公开(公告)号：CN117936425A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410107349.9
申请日：2024-01-26
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置和方法，其中蚀刻装置包括：等离子体刻蚀腔用于待去除薄膜的晶圆在等离子体的作用下进行薄膜刻蚀；设置在等离子体刻蚀腔一侧的观察窗；信息采集模块设置在观察窗外，通过观察窗采集等离子体刻蚀腔内等离子体的初始特性信息；信息处理模块用于对等离子体的特性信息进行处理，获得经过信息处理后的最终特性信息；所述信息反馈模块根据经过信息处理后的最终特性信息获得调整参数，将所述调整参数反馈至等离子体控制模块；所述等离子体控制模块根据调整参数调整等离子体刻蚀腔的反应参数。本方案基于信息采集模块以及信息处理模块精确的对刻蚀腔内的等离子体进行特性捕捉，提升刻蚀和去除薄膜的精准性。
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公开(公告)号：CN117373988B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311593057.2
申请日：2023-11-27
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于伯努利卡盘的晶圆保持装置，包括：卡盘，其顶面形成有环形吸附区域；转动组件，设置在卡盘的下方，转动组件上设有用于为卡盘提供气流以形成环形吸附区域的进气通道，转动组件上设有出气通道；卡盘的中部设有与出气通道连通的通孔；检测模块，用于获取通孔内气体的第一流量以及出气通道远离通孔一端内气体的第二流量，并判断卡盘以预设间隙距离在预设气体流量下对晶圆夹持时，转动组件是否发生泄漏。环形吸附区域各处负压均衡，为晶圆提供稳定吸附力；检测模块能够监测气体流量的情况，并对供气流量进行适应性调节，保证对晶圆的稳定夹持和蚀刻的均匀性，防止溶液对晶圆边缘污染，提升刻蚀质量。
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公开(公告)号：CN117727662A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311745517.9
申请日：2023-12-19
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种具有刻蚀腔室加热装置的晶圆刻蚀系统和控制方法，包括：加热装置、检测模块，刻蚀模块及调节模块，对晶圆刻蚀过程进行检测，根据对晶圆的刻蚀情况，对初始刻蚀条件进行优化调整，便于提高刻蚀速率及刻蚀准确性。
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公开(公告)号：CN117672801B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311647778.7
申请日：2023-12-05
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种温度控制的等离子刻蚀系统及方法，包括：无接触检测晶圆上表面温度及晶圆下底面温度，检测刻蚀过程等离子体温度分布及聚合副产物聚集区域温度；分析判定晶圆上表面温度差异值超常点及晶圆下底面温度差异值超常点，筛选出等离子体温度分布差异超常空间区域，选取聚合副产物聚集厚度超常刻蚀腔区域；对晶圆上表面及晶圆下底面进行温度补偿控制，并进行等离子体温度分布空间均衡控制及聚合副产物热剥离控制；进行超常点红外聚焦温度补偿及底面局部热导温度补偿，并进行等离子体温度分布空间均衡；对聚合副产物聚集厚度超常刻蚀腔区域加热使聚合副产物热剥离；进行等离子刻蚀晶圆双温补偿空间均衡过程防护。
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公开(公告)号：CN117954340A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410033292.2
申请日：2024-01-10
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种选择性蚀刻方法及装置，其方法包括：步骤1：获取蚀刻工艺图案，并基于蚀刻工艺图案确定对待蚀刻物进行蚀刻的保护区域与蚀刻区域；步骤2：在反应舱中基于蚀刻剂对蚀刻区域进行蚀刻的过程进行实时监测，并当蚀刻过程不满足蚀刻标准时，生成蚀刻干预方案；基于蚀刻干预方案对蚀刻过程进行蚀刻干预，直至完成选择性蚀刻；步骤3中，在完成选择性蚀刻后在蚀刻区域基于保护区域的表面属性确定清洗策略，且基于清洗策略对保护区域的表面进行清洗。有利于保障对待蚀刻物进行选择性蚀刻的有效性与准确性；保障对待蚀刻物进行蚀刻的质量。
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公开(公告)号：CN117542758A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311594787.4
申请日：2023-11-28
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体刻蚀技术领域，公开了一种单片晶圆半导体刻蚀设备及刻蚀方法，包括：设置在台板上的外罩，外罩内侧形成刻蚀腔；设置在刻蚀腔内的支撑部，支撑部上转动设有旋转部件，旋转部件的顶部用于夹持待刻蚀晶圆；设置在旋转部件上方的溶液输送装置；支撑部的顶面设有环形出气口，环形出气口能够向支撑部与待刻蚀晶圆形成的间隙处提供设定压力的惰性气体；外罩的一侧设有与抽气装置连接的排气口。抽气装置对刻蚀腔内气体抽吸，防止刻蚀产生的化学气体停留在刻蚀腔内；环形出气口提供的惰性气体使间隙处形成出气压力，阻止化学气体、废液和杂质从间隙进入，防止对晶圆产生腐蚀和污染，避免化学气体和废液逃逸扩散至外部。
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公开(公告)号：CN117954340B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410033292.2
申请日：2024-01-10
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/308 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种选择性蚀刻方法及装置，其方法包括：步骤1：获取蚀刻工艺图案，并基于蚀刻工艺图案确定对待蚀刻物进行蚀刻的保护区域与蚀刻区域；步骤2：在反应舱中基于蚀刻剂对蚀刻区域进行蚀刻的过程进行实时监测，并当蚀刻过程不满足蚀刻标准时，生成蚀刻干预方案；基于蚀刻干预方案对蚀刻过程进行蚀刻干预，直至完成选择性蚀刻；步骤3中，在完成选择性蚀刻后在蚀刻区域基于保护区域的表面属性确定清洗策略，且基于清洗策略对保护区域的表面进行清洗。有利于保障对待蚀刻物进行选择性蚀刻的有效性与准确性；保障对待蚀刻物进行蚀刻的质量。
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公开(公告)号：CN117936425B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410107349.9
申请日：2024-01-26
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种精确刻蚀和去除薄膜的蚀刻装置和方法，其中蚀刻装置包括：等离子体刻蚀腔用于待去除薄膜的晶圆在等离子体的作用下进行薄膜刻蚀；设置在等离子体刻蚀腔一侧的观察窗；信息采集模块设置在观察窗外，通过观察窗采集等离子体刻蚀腔内等离子体的初始特性信息；信息处理模块用于对等离子体的特性信息进行处理，获得经过信息处理后的最终特性信息；所述信息反馈模块根据经过信息处理后的最终特性信息获得调整参数，将所述调整参数反馈至等离子体控制模块；所述等离子体控制模块根据调整参数调整等离子体刻蚀腔的反应参数。本方案基于信息采集模块以及信息处理模块精确的对刻蚀腔内的等离子体进行特性捕捉，提升刻蚀和去除薄膜的精准性。
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公开(公告)号：CN117542758B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311594787.4
申请日：2023-11-28
申请人： 苏州恩腾半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及半导体刻蚀技术领域，公开了一种单片晶圆半导体刻蚀设备及刻蚀方法，包括：设置在台板上的外罩，外罩内侧形成刻蚀腔；设置在刻蚀腔内的支撑部，支撑部上转动设有旋转部件，旋转部件的顶部用于夹持待刻蚀晶圆；设置在旋转部件上方的溶液输送装置；支撑部的顶面设有环形出气口，环形出气口能够向支撑部与待刻蚀晶圆形成的间隙处提供设定压力的惰性气体；外罩的一侧设有与抽气装置连接的排气口。抽气装置对刻蚀腔内气体抽吸，防止刻蚀产生的化学气体停留在刻蚀腔内；环形出气口提供的惰性气体使间隙处形成出气压力，阻止化学气体、废液和杂质从间隙进入，防止对晶圆产生腐蚀和污染，避免化学气体和废液逃逸扩散至外部。
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