Invention Grant
- Patent Title: 一种选择性蚀刻方法及装置
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Application No.: CN202410033292.2Application Date: 2024-01-10
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Publication No.: CN117954340BPublication Date: 2024-08-02
- Inventor: 朴灵绪 , 陈建福 , 付正超 , 高帅 , 刘强 , 王琪 , 陈亮 , 金信浩 , 韩在善
- Applicant: 苏州恩腾半导体科技有限公司
- Applicant Address: 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼
- Assignee: 苏州恩腾半导体科技有限公司
- Current Assignee: 苏州恩腾半导体科技有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市漕湖街道春耀路21号硕贝德科技园1号楼
- Agency: 北京冠和权律师事务所
- Agent 郑延斌
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66 ; H01L21/308 ; H01L21/67

Abstract:
本发明提供了一种选择性蚀刻方法及装置,其方法包括:步骤1:获取蚀刻工艺图案,并基于蚀刻工艺图案确定对待蚀刻物进行蚀刻的保护区域与蚀刻区域;步骤2:在反应舱中基于蚀刻剂对蚀刻区域进行蚀刻的过程进行实时监测,并当蚀刻过程不满足蚀刻标准时,生成蚀刻干预方案;基于蚀刻干预方案对蚀刻过程进行蚀刻干预,直至完成选择性蚀刻;步骤3中,在完成选择性蚀刻后在蚀刻区域基于保护区域的表面属性确定清洗策略,且基于清洗策略对保护区域的表面进行清洗。有利于保障对待蚀刻物进行选择性蚀刻的有效性与准确性;保障对待蚀刻物进行蚀刻的质量。
Public/Granted literature
- CN117954340A 一种选择性蚀刻方法及装置 Public/Granted day:2024-04-30
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