公开(公告)号：CN102636967B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201210116763.3

申请日：2012-04-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王钦华 ,  陈根华 ,  楼益民 ,  曹冰 ,  许富洋

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体纳米光刻结构，包括上基底层、下基底层、共振腔和金属光栅层，所述共振腔和金属光栅层设于所述上基底层和下基底层之间，所述共振腔包括第一金属层、第二金属层和光刻胶层，所述光刻胶层设于所述第一金属层和第二金属层之间，所述金属光栅层包括第一光栅层和第二光栅层，所述第一光栅层位于所述上基底层和第一金属层之间，所述第二光栅层位于所述下基底层和第二金属层之间。本发明还公开了一种表面等离子体纳米光刻方法。利用第一光栅层和第二光栅层来激发第一金属层与光刻胶层以及第二金属层与光刻胶层界面的表面等离子波，从而可以大大提高光刻技术的分辨率；另外，本发明采用双光束曝光，可以实现良好的曝光深度和可见度。

公开(公告)号：CN102636967A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210116763.3

申请日：2012-04-19

Applicant: 苏州大学

Inventor： 王钦华 ,  陈根华 ,  楼益民 ,  曹冰 ,  许富洋

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种表面等离子体纳米光刻结构，包括上基底层、下基底层、共振腔和金属光栅层，所述共振腔和金属光栅层设于所述上基底层和下基底层之间，所述共振腔包括第一金属层、第二金属层和光刻胶层，所述光刻胶层设于所述第一金属层和第二金属层之间，所述金属光栅层包括第一光栅层和第二光栅层，所述第一光栅层位于所述上基底层和第一金属层之间，所述第二光栅层位于所述下基底层和第二金属层之间。本发明还公开了一种表面等离子体纳米光刻方法。利用第一光栅层和第二光栅层来激发第一金属层与光刻胶层以及第二金属层与光刻胶层界面的表面等离子波，从而可以大大提高光刻技术的分辨率；另外，本发明采用双光束曝光，可以实现良好的曝光深度和可见度。