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公开(公告)号：CN119167879B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411412788.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/0442 , G06N10/40 , H10H20/841
Abstract: 本发明公开了一种DBR和Micro‑LED的结构设计方法及电子设备，DBR结构设计方法包括：步骤1：获取当前取值范围；步骤2：确定n的最优值；步骤3：确定第一折射层与第二折射层的厚度的最优值；步骤4：确定当前最优DBR结构并获取其透射率与入射角度的关系曲线图，记作第一关系曲线图；步骤5：对第一关系曲线图所对应的当前最优DBR结构的准直效果进行评估，得到第一评估结果，若第一评估结果满足预设条件，将第一关系曲线图对应的当前最优DBR结构的参数作为最优设计参数；若第一评估结果不满足预设条件，则返回步骤1重新获取当前取值范围，直至第一评估结果满足预设条件。本发明的结构设计方法，保证设计的DBR结构能够使Micro‑LED具有良好的出光效果和准直度。
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公开(公告)号：CN119167879A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411412788.7
申请日：2024-10-11
Applicant: 苏州大学
IPC: G06F30/398 , G06F30/23 , G06F30/27 , G06N3/0442 , G06N10/40 , H01L33/46
Abstract: 本发明公开了一种DBR和Micro‑LED的结构设计方法及电子设备，DBR结构设计方法包括：步骤1：获取当前取值范围；步骤2：确定n的最优值；步骤3：确定第一折射层与第二折射层的厚度的最优值；步骤4：确定当前最优DBR结构并获取其透射率与入射角度的关系曲线图，记作第一关系曲线图；步骤5：对第一关系曲线图所对应的当前最优DBR结构的准直效果进行评估，得到第一评估结果，若第一评估结果满足预设条件，将第一关系曲线图对应的当前最优DBR结构的参数作为最优设计参数；若第一评估结果不满足预设条件，则返回步骤1重新获取当前取值范围，直至第一评估结果满足预设条件。本发明的结构设计方法，保证设计的DBR结构能够使Micro‑LED具有良好的出光效果和准直度。
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公开(公告)号：CN116203660B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310062143.4
申请日：2023-01-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种三维等离激元超透镜、基于其生成手性和非手性成像方法，三维等离激元超透镜包括二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底的上表面设置有金属层；若干纳米柱，穿过所述金属层并设置于二氧化硅衬底上，其中，若干所述纳米柱具有不同高度且纳米柱的横截面呈椭圆形，每个所述纳米柱的椭圆形横截面具有不同的横轴长度和纵轴长度，每个所述纳米柱横截面以x轴所在直线旋转到纳米柱横截面纵轴长度所在直线形成的方位角不同，每个纳米柱椭圆形横截面与其相邻纳米柱椭圆形横截面中心点之间的距离相同；每个所述纳米柱的上表面设置有金属膜。本发明的三维等离激元超透镜可以同时用于手性和非手性成像、以及偏振检测。
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公开(公告)号：CN118377134A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410493862.6
申请日：2024-04-23
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高激光损伤阈值的聚焦超构透镜的设计与制备方法。按聚焦相位计算得到用于超构透镜聚焦所需的相位面分布函数；对用于超构透镜设计的不同构型和尺寸的纳米柱进行参数扫描，计算得到各纳米柱形状参数对应的相位和透过率；按得到的相位面分布函数排布纳米柱结构阵列的图案；以兼具高损伤阈值和高折射率的宽禁带半导体材料为基底，一体化排布同质的纳米柱阵列，设计得到一种高激光损伤阈值的聚焦超构透镜；采用电子束蒸发镀膜、反应耦合等离子体刻蚀等工艺制备聚焦超构透镜。本发明采用同质结构设计，超构透镜结构与基底具有相同的热膨胀系数，在激光照射下产生相同程度的形变，大幅度提高器件的激光诱导损伤阈值，并具有较好的聚焦效果。
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公开(公告)号：CN118311767A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410178616.1
申请日：2024-02-09
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本发明涉及一种基于逆向设计的全可见光消色差液晶超透镜的设计方法。将透镜设置为宽度相等的同心圆环分布，0～2π相位等分为若干份，得到各同心圆环与相位变化相关的多阶取向的液晶超透镜的优化参数，与多阶离散化传播梯度相匹配构建仿真模型，依据标量角谱衍射理论，计算得到多阶取向的相位面所对应的沿入射光传播方向在不同焦平面处的光场分布，经优化迭代，得到满足设计要求的多阶相位面，采用激光直写工艺制备液晶超透镜。本发明采用逆向设计的方法，通过基于神经网络的BP优化算法计算和优化，得到在全可见光范围内不同波长具有共同焦平面的透镜位相分布，实现全可见光波段消色差成像。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110703577B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911150832.0
申请日：2019-11-21
Applicant: 苏州大学
IPC: G03H1/02
Abstract: 本发明涉及超表面彩色全息的制备方法，包括以像素结构或者像素分布为依据，将彩色目标物像分别分层提取获得相应的多层图层；根据多层图层分别获取各图层各自对应的微纳结构、微纳结构组合，并得到各层之间微纳结构以及微纳结构组合的变化关系；根据前述多层图层中任一层的微纳结构以及基色微纳结构组合，利用空间或/和位相调制的光刻，实现该图层的层内多像素微纳结构的同时制备；再依据各图层之间微纳结构以及微纳结构组合的变化关系，利用空间或/和位相实时调控，分时实现其余各层的微纳结构以及微纳结构组合的同时制备。本发明实现了多像素微纳结构的同时制备以及分层像素组合的分时制备，从而能实现彩色全息的大幅面快速制备。
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公开(公告)号：CN108845384B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201810691569.5
申请日：2016-08-29
Applicant: 苏州大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN111162147A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010079228.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件，包括GaN薄膜层、AlN溅射层、石墨烯层、金属电极层；本发明还公开了一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件的制备方法，通过外延生长方式制备，将GaN作为半导体提供局域载流子，AlN溅射层作为电介质层以实现隧穿，石墨烯作为金属电极提供与半导体产生作用的载流子。该发明的有益效果是：制备方法简单容易实现，对于衬底无特殊要求，可以轻易实现柔性，能置于任意柔性衬底并可正常使用，在柔性条件下GaN基MIS器件的性能基本不受影响，而且成本低廉、易于实现。
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