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公开(公告)号：CN113299803B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110657401.4
申请日：2021-06-11
申请人： 苏州大学
摘要： 本申请提供一种Mi cro LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置，该微米发光二极管(M i cro‑LED)芯片的制备方法包括:将蓝光外延片制作成Mi cro‑LED晶粒阵列结构；在Mi cro‑LED晶粒侧面及凹槽内沉积绝缘层；在Mi cro‑LED晶粒阵列表面沉积电流扩展层；在Mi cro‑LED晶粒阵列外围沉积两圈电极作为阳极与阴极，其中内圈电极置于电流扩展层之上，外圈电极置于N型GaN之上，所有晶粒共用阳极与阴极。该方式利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，同时可实现特定区域内的Mi cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN117233922A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311012637.8
申请日：2023-08-11
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种用于车灯的大视场物方远心投影成像方法及镜头。入射光线经两片大孔径弯月球面透镜进行汇聚；汇聚后的光线经过由第一片负双凹透镜和第一片正双凸透镜组成的双胶合透镜组缩小结构、减少像差；经第二片负弯月透镜进一步汇聚光线，使光线全部进入光阑；采用三胶合透镜矫正色差，进一步降低像差，同时孔径光阑位于三胶合透镜物侧面上，可以矫正球差；再采用两片双凸透镜组进一步汇聚光路、减少畸变，光线进入TIR全反射棱镜，透过保护玻璃，在DMD像面上清晰成像。本发明提供的成像方法，其光学系统通过各个透镜之间的条件式和正负焦度的配合，可实现在大视场下物方远心投影成像，且成像清晰度高。
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公开(公告)号：CN111668089A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010546964.1
申请日：2020-06-16
申请人： 苏州大学
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明属于半导体领域，为降低外延生长氮化镓的位错密度，公开了一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、石墨烯掩膜层、衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹，石墨烯掩膜层上通过金属有机物化学气相沉积生长氮化镓层。有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯是二维材料，可以降低掩膜层带来的低角度晶界缺陷；同时也利用石墨烯散热性好的特点，从而大幅提高氮化镓器件的散热性能；石墨烯掩膜层与氮化镓层由弱的范德华力结合的特点也使得氮化镓层易于剥离。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III-V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN108845384A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810691569.5
申请日：2016-08-29
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G02B5/30
摘要： 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，偏振器包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm-1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm-1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN108802872A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810692087.1
申请日：2016-07-17
申请人： 苏州大学
CPC分类号： G02B5/008 , G02B5/3058 , G02B27/28
摘要： 本发明提供了一种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器的制备方法，包括透光基底以及位于基底上的金属层；金属层由晶胞单元阵列组成；晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和一个手性结构；手性结构由Z型结构单元阵列构成；其中，线偏振片的透过率为85%以上，消光比50dB以上；右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%，左旋圆偏振光的透过率为4%，圆二向色性可以达到56%，可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106019451B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201610560622.9
申请日：2016-07-17
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明提供了种基于表面等离子基元的全斯托克斯矢量偏振器及其制备方法,包括透光基底以及位于基底上的金属层;金属层由晶胞单元阵列组成;晶胞单元包括0°趋向的金属线栅结构、90°趋向的金属线栅结构、45°趋向的金属线栅结构和个手性结构;手性结构由Z型结构单元阵列构成;其中,线偏振片的透过率为85%以上,消光比50dB以上;右旋圆偏振光在1.6μm波长处透过率为60%,左旋圆偏振光的透过率为4%,圆二向色性可以达到56%,可以实现实时全偏振成像。本发明具有波段较宽,结构简单,易于制作的特点,在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中,具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN106154388B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201610746267.4
申请日：2016-08-29
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G02B5/30
摘要： 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器及其制备方法，包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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公开(公告)号：CN103219439B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310144195.2
申请日：2013-04-24
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由工作区衬底n型区、p型区、量子阱和纳米颗粒阵列结构组成的。本发明的主要特征是在LED的出光表面上直接制备纳米颗粒阵列，由纳米颗粒构成线光栅的偏振结构，以获得偏振出光，其光栅周期为50～400nm,占空比为0.2～0.9，厚度为50～400nm纳米，纳米颗粒的直径为5～200nm。与现有技术线光栅偏振器相比，本发明提供的偏振出光发光二极管制备简便，降低成本，且具有良好的偏振消光比和透过率。
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公开(公告)号：CN103323896B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310290506.6
申请日：2013-07-11
申请人： 苏州大学
摘要： 本发明公开了一种基于纳米压印技术的周期式啁啾结构等离子激元光谱吸收装置，所述装置包括基底、依次位于基底上的第一金属层、绝缘体层和第二金属层，所述第一金属层、绝缘体层和第二金属层构成若干等离子谐振腔，所述等离子激元光谱吸收装置具有若干基于纳米压印技术压印而成的压缩腔，压缩腔之间形成有若干光栅结构，所述光栅周期至少在沿X方向或Z方向或同时两个方向上是线性啁啾的。本发明通过适当调整光栅啁啾系数和上金属层/绝缘体层/下金属层谐振腔的模压深度来实现和拓宽整个禁带的带宽，给实现低且平坦的反射禁带提供了可能。在相位匹配和亚波长尺寸的限制条件下，通过适当的设计，可以实现宽带的近完美吸收。
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公开(公告)号：CN102981205B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210575507.0
申请日：2012-12-26
申请人： 苏州大学
IPC分类号： G02B5/30
摘要： 本发明公开了一种亚波长矩形环阵列四分之一波片及其制作方法，该波片包括SiO2基片及位于所述基片上的银膜，银膜由若干周期性的二维环形孔径阵列构成，二维环形孔径中相邻的两个孔径长度L1、L2相等、宽度W1、W2不等，当入射的线偏振光以偏振方位角从基片下方入射时，通过基片和银膜后的透射场沿两正交方向分量的位相满足或并且当时，振幅分量Ex、Ey相等。本发明提供的等离子1/4波片结构简单、易于集成，在光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。
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