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公开(公告)号：CN113130296B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110300393.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN113373552B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110728672.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维及其制备方法和应用。该制备方法包括：将造孔剂加入到聚丙烯腈溶液中，配制成前驱体混合溶液；向前驱体混合溶液中盐酸，形成均匀的溶液并进行静电纺丝，得到静电纺丝纤维样品；将电纺丝纤维样品进行预氧化处理和碳化处理，研磨形成粉末；将粉末浸泡于氢氧化钾溶液中，经过搅拌、清洗、抽滤、烘干；将烘干后的粉末与氢氧化钾混合，进行退火处理，经过清洗、抽滤、烘干，得到碳纤维。由上述制备方法制备得到的碳纤维可以用于电催化、锂离子电池、锂硫电池等中。
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公开(公告)号：CN113373552A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110728672.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明提供了一种碳纤维及其制备方法和应用。该制备方法包括：将造孔剂加入到聚丙烯腈溶液中，配制成前驱体混合溶液；向前驱体混合溶液中盐酸，形成均匀的溶液并进行静电纺丝，得到静电纺丝纤维样品；将电纺丝纤维样品进行预氧化处理和碳化处理，研磨形成粉末；将粉末浸泡于氢氧化钾溶液中，经过搅拌、清洗、抽滤、烘干；将烘干后的粉末与氢氧化钾混合，进行退火处理，经过清洗、抽滤、烘干，得到碳纤维。由上述制备方法制备得到的碳纤维可以用于电催化、锂离子电池、锂硫电池等中。
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公开(公告)号：CN113241297A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110345111.6
申请日：2021-03-31
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/32 , H01L21/3205
Abstract: 本发明公开了一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、掩膜层与衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长有石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹结构，在衬底层上通过金属有机化学气相沉积生长了氮化镓层，石墨烯掩膜层在氮化镓层生长过程中分解消失留下空气间隙。本发明的有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯掩膜层在生长过程分解消失，降低了掩膜给氮化镓带来的应力和小角度晶界缺陷。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN113445074A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110730615.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/054 , C25B11/065 , C25B11/031 , C25B11/075 , C25B1/27 , D04H1/4382 , D04H1/728 , D06C7/04
Abstract: 本发明提供了一种钼单原子催化剂及其制备方法和应用。该制备方法包括：将钼源加入静电纺丝溶液中，制成前驱体混合溶液；将前驱体混合溶液进行静电纺丝，形成电纺丝薄膜；将电纺丝薄膜进行烘干干燥，将干燥后的电纺丝薄膜进行预氧化处理、碳化处理，得到钼原子催化剂。由上述制备方法制备得到的钼单原子催化剂可以有效的催化氮气还原制备氨。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130296A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110300393.8
申请日：2021-03-22
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法，采用化学气相沉积法，在铜箔上生长得到六方氮化硼；降温处理使其表面出现连续且均匀的褶皱；将铜箔上具有褶皱的六方氮化硼转移到其它衬底上作为生长氮化镓的插入层；利用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱；采用金属有机化学气相沉积法，生长低V/III比氮化镓成核层；采用金属有机化学气相沉积法，生长高V/III比氮化镓层。本发明采用氧等离子体处理六方氮化硼褶皱，在六方氮化硼褶皱处形成缺陷和原子台阶，以六方氮化硼褶皱边缘为成核点，侧向生长形成完整连续的氮化镓薄膜。侧向生长的过程也减少了外延层中的位错，进一步提高了氮化镓的晶体质量，具有很强的实用性。
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公开(公告)号：CN113445074B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110730615.X
申请日：2021-06-29
Applicant: 苏州大学
IPC: C25B11/054 , C25B11/065 , C25B11/031 , C25B11/075 , C25B1/27 , D04H1/4382 , D04H1/728 , D06C7/04
Abstract: 本发明提供了一种钼单原子催化剂及其制备方法和应用。该制备方法包括：将钼源加入静电纺丝溶液中，制成前驱体混合溶液；将前驱体混合溶液进行静电纺丝，形成电纺丝薄膜；将电纺丝薄膜进行烘干干燥，将干燥后的电纺丝薄膜进行预氧化处理、碳化处理，得到钼原子催化剂。由上述制备方法制备得到的钼单原子催化剂可以有效的催化氮气还原制备氨。
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公开(公告)号：CN111668089A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010546964.1
申请日：2020-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体领域，为降低外延生长氮化镓的位错密度，公开了一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法，包括氮化镓层、石墨烯掩膜层、衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹，石墨烯掩膜层上通过金属有机物化学气相沉积生长氮化镓层。有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯是二维材料，可以降低掩膜层带来的低角度晶界缺陷；同时也利用石墨烯散热性好的特点，从而大幅提高氮化镓器件的散热性能；石墨烯掩膜层与氮化镓层由弱的范德华力结合的特点也使得氮化镓层易于剥离。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III-V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN214797333U
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202120651499.8
申请日：2021-03-31
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/32 , H01L21/3205
Abstract: 本实用新型公开了一种石墨烯掩膜生长氮化镓的衬底，包括基底层与石墨烯掩膜层，所述石墨烯掩膜层沉积于基底层上；石墨烯掩膜层刻蚀有光栅状条纹结构，光栅状条纹结构的凹槽部为用于生长氮化镓层的窗口区域，光栅状条纹结构的凸起部为掩膜区域。本实用新型的有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯掩膜层在生长过程分解消失，降低了掩膜给氮化镓带来的应力和小角度晶界缺陷。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
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公开(公告)号：CN213071068U
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202021109584.3
申请日：2020-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本实用新型属于半导体领域，公开了一种石墨烯掩膜法生长氮化镓的半导体结构，包括氮化镓层、石墨烯掩膜层、衬底层，衬底层上通过等离子体增强化学气相沉积法直接生长石墨烯掩膜层，石墨烯掩膜层通过刻蚀形成了光栅状条纹，石墨烯掩膜层上通过金属有机物化学气相沉积生长氮化镓层。有益效果：石墨烯掩膜层结构可以有效地降低氮化镓位错，提高其生长质量；由于石墨烯是二维材料，可以降低掩膜层带来的低角度晶界缺陷；同时也利用石墨烯散热性好的特点，从而大幅提高氮化镓器件的散热性能；石墨烯掩膜层与氮化镓层由弱的范德华力结合的特点也使得氮化镓层易于剥离。本结构同时也可以应用于除氮化镓以外的III‑V族化合物半导体。
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