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公开(公告)号：CN106048531A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610604584.2
申请日：2016-07-28
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/083 , C23C14/358
Abstract: 本发明涉及一种ICP增强多靶磁控溅射装置，包括真空室、设于真空室顶部的三个溅射靶、设于真空室内的ICP线圈和基片台以及与真空室相连通的泵机组，三个溅射靶的直径均为60mm，三个溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°‑50°，三个溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个溅射靶均聚焦于基片台的中心，三个溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，ICP线圈设于溅射靶与基片台之间，ICP线圈连接有第四射频电源，基片台连接有直流稳压电源。本发明还涉及一种使用该装置制备TiO2薄膜的方法。本发明拥有三个溅射靶，三个溅射靶靶位中心聚焦于基片台中心，实现了共聚焦磁控溅射，可获得均匀、较大面积的薄膜，制备出的薄膜致密、纯度高。
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公开(公告)号：CN105755449A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610328633.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/272 , C23C16/279 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105755449B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201610328633.4
申请日：2016-05-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。
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公开(公告)号：CN107124812A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710492001.6
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H05H1/2406 , D06M10/025
Abstract: 本发明涉及一种大气压辉光等离子体发生装置，包括沿水平向平行排列的多个石英管，相邻石英管紧密接触，每个石英管内均插入有丝状电极，丝状电极与石英管紧密接触，相邻两个丝状电极分别与高压交流电源、地相连接，处于最边缘的两个丝状电极均与地相连接。本发明还涉及一种纺织材料处理装置。本发明具有以下有益效果：采用大气压辉光放电模式，产生的等离子体更加均匀，处理效果优于丝状放电的等离子体；特殊结构的双介质DBD放电电极设计，抑制电弧放电效果显著，即使在高电压下也不易击穿；放电间隙小，低电压下也不容易形成丝状的DBD放电，有效的降低了产生辉光放电所需的维持电压；成功产生米量级均匀大气压辉光放电等离子体。
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公开(公告)号：CN205803587U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620802147.7
申请日：2016-07-28
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种ICP增强多靶磁控溅射装置，包括真空室、设于真空室顶部的三个溅射靶、设于真空室内的ICP线圈和基片台以及与真空室相连通的泵机组，三个溅射靶的直径均为60mm，三个溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°-50°，三个溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个溅射靶均聚焦于基片台的中心，三个溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，ICP线圈设于溅射靶与基片台之间，ICP线圈连接有第四射频电源，基片台连接有直流稳压电源。本实用新型拥有三个溅射靶，三个溅射靶靶位中心聚焦于基片台中心，实现了共聚焦磁控溅射，可获得均匀、较大面积的薄膜，制备出的薄膜致密、纯度高。
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公开(公告)号：CN205741207U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620451446.0
申请日：2016-05-18
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/505 , C23C16/27
Abstract: 本实用新型涉及一种螺旋波等离子体化学气相沉积装置，包括真空放电室、与所述真空放电室相连通的真空沉积室，所述真空放电室外环绕有线圈，所述真空放电室内设置有第一进气管、右旋天线，所述右旋天线外套设有屏蔽筒，所述右旋天线的一端穿过一屏蔽管且与射频电源相连接，所述真空沉积室内设置有基片台、第二进气管，所述真空沉积室通过管路连接有抽气组件。本实用新型结构简单、使用方便，通过在真空放电室内产生螺旋波等离子体，在真空沉积室内成功地得到了纳米晶金刚石薄膜，制得的纳米晶金刚石薄膜纯度高、质量好，工业生产上容易实现，沉积速率快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且操作简单、易控制。
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公开(公告)号：CN206977777U
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201720745630.0
申请日：2017-06-26
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本实用新型涉及一种大气压辉光等离子体发生装置，包括沿水平向平行排列的多个石英管，相邻石英管紧密接触，每个石英管内均插入有丝状电极，丝状电极与石英管紧密接触，相邻两个丝状电极分别与高压交流电源、地相连接，处于最边缘的两个丝状电极均与地相连接。本实用新型还涉及一种纺织材料处理装置。本实用新型具有以下有益效果：采用大气压辉光放电模式，产生的等离子体更加均匀，处理效果优于丝状放电的等离子体；特殊结构的双介质DBD放电电极设计，抑制电弧放电效果显著，即使在高电压下也不易击穿，放电间隙小，低电压下也不容易形成丝状的DBD放电，有效的降低了产生辉光放电所需的维持电压；成功产生米量级均匀大气压辉光放电等离子体。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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