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公开(公告)号：CN108085657B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201711472724.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法，包括以下步骤：（1）清洗Si衬底，将清洗后的Si衬底固定在沉积室内的基片台上；（2）将高纯Ar气体从放电室的左端通入到放电室内，实现螺旋波等离子体放电，形成Ar等离子体；（3）向沉积室内通入高纯CH4气体和高纯N2气体，Ar等离子体将高纯CH4气体和高纯N2气体离化，在Si衬底上形成氮掺杂类金刚石薄膜；（4）关闭射频电源和所有气源。本发明氮掺杂类金刚石薄膜沉积速度快；沉积的薄膜氮掺杂类金刚石薄膜表面平整、均匀、致密，沉积质量好；氮掺杂类金刚石薄膜的纯度高，薄膜的内应力降低，提高了薄膜与基体之间的附着力，提高了薄膜强度；设备简单，工业生产上容易实现。
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公开(公告)号：CN110106492A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910367340.0
申请日：2019-05-05
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/503 , C23C16/505 , C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种快速制备垂直石墨烯的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的基片台上；（2）将螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的真空抽至本底真空；（3）往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入Ar，Ar的流量为10-80sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz-60 MHz、射频功率为300-5000W，调节直流电源使轴向磁场强度为100-10000 Gs；（4）继续通入Ar，Ar的流量为10-80sccm，同时往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入CH4，CH4的流量为50-200sccm，在衬底上沉积垂直石墨烯。本发明制备步骤简单，无需加热，对衬底的适用范围宽，能够在衬底上沉积不同形态的垂直石墨烯，制备速度快，制备质量高，且便于实际应用。
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公开(公告)号：CN105338723B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510645834.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种高压高频源驱动的DBD等离子体放电装置，包括高压电源、地电极、支架、进气管、多个放电管和高压电极，高压电源包括驱动电路、辅助电源以及依次电连接的整流电路、逆变电路和变压器，驱动电路与逆变电路电连接，辅助电源给驱动电路供电，支架包括中空的筒体、依次间隔设于筒体内且与筒体密封连接的第一支板、第二支板、第三支板，进气管穿过第三支板、第二支板，放电管包括同心圆式的外石英管和内石英管，外石英管的一端穿过第一支板，进气管与外石英管连通，内石英管的一端穿过第二支板，高压电极包括极板、与极板连接的多个铜棒，极板与变压器的输出端相连接，铜棒穿过第三支板插入内石英管内。本发明放电效率高、稳定、均匀。
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公开(公告)号：CN106246296A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610839872.6
申请日：2016-09-22
Applicant: 苏州大学
IPC: F01N3/01
CPC classification number: F01N3/01
Abstract: 本发明涉及一种空气等离子体处理汽车尾气的装置，包括高压直流电源、相对设置的两个绝缘板，其中一个所述绝缘板上设置有至少一个尾气进口，另一个所述绝缘板上设置有至少一个尾气出口，两个所述绝缘板之间设置有接地电极和多个导电管，所述接地电极与所述高压直流电源的接地端相连接，多个所述导电管均与所述高压直流电源的高压端相连接，多个所述导电管呈环状分布，每个所述导电管沿长度方向均设置有多个钢针。本发明还涉及一种空气等离子体处理汽车尾气的方法。本发明可以获得较大的处理空间；能够快速将本装置安装到汽车排气管上，随时随地方便汽车尾气的处理；能够实现车载化；高效分解且处理能耗低。
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公开(公告)号：CN108529898B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201810657512.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: C03C23/00
Abstract: 本发明涉及一种宽幅等离子体处理玻璃的装置，包括高频高压交流等离子体电源、气体腔室、设于气体腔室外底端的高压电极和分别位于高压电极两侧的两个介质阻挡板，气体腔室上设置有至少一个进气孔和至少一个出气孔，高压电极与高频高压交流等离子体电源相连接，每个介质阻挡板的外侧端连接有第一电极，两个第一电极均与一电阻相连接，电阻与地电极相连接。本发明可在大气压下产生大面积等离子体辉光放电；可将第一电极之间的等离子体引出一定宽度，充分高效的进行材料表面处理，能应用于工业生产流水线，对于大气压下等离子体材料表面处理具有重要意义；可有效改善石英玻璃的水接触角，亲水性明显增加，对改变玻璃亲水性方面具有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108043345B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201711472731.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州大学
IPC: B01J19/08 , C01B21/064
Abstract: 本发明涉及一种电弧放电装置，包括放电腔室、设于放电腔室内的放电阴极、放电阳极、加料斗以及一端伸入所述放电腔室内的钨丝，放电腔室上设置有抽气阀和进气阀，放电阴极与放电阳极之间具有间隙，加料斗位于间隙的上方，放电阴极的一端连接有第一导电杆，放电阳极的一端连接有第二导电杆，第一导电杆或第二导电杆连接有驱动机构，第一导电杆连接有负载电阻，负载电阻与第一电源的负极相连接，钨丝的另一端与第二电源的负极相连接，第一电源的正极、第二导电杆和第二电源的正极均与地相连接。本发明还涉及一种制备氮化硼纳米管的方法。本发明显著增加了电弧放电过程中的稳定性，制备出的氮化硼纳米管比传统工艺的产物尺径更集中，形态更完美。
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公开(公告)号：CN108529898A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810657512.3
申请日：2018-06-25
Applicant: 苏州大学
IPC: C03C23/00
Abstract: 本发明涉及一种宽幅等离子体处理玻璃的装置，包括高频高压交流等离子体电源、气体腔室、设于气体腔室外底端的高压电极和分别位于高压电极两侧的两个介质阻挡板，气体腔室上设置有至少一个进气孔和至少一个出气孔，高压电极与高频高压交流等离子体电源相连接，每个介质阻挡板的外侧端连接有第一电极，两个第一电极均与一电阻相连接，电阻与地电极相连接。本发明可在大气压下产生大面积等离子体辉光放电；可将第一电极之间的等离子体引出一定宽度，充分高效的进行材料表面处理，能应用于工业生产流水线，对于大气压下等离子体材料表面处理具有重要意义；可有效改善石英玻璃的水接触角，亲水性明显增加，对改变玻璃亲水性方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN105226374B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201510554010.4
申请日：2015-09-02
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种螺旋波天线系统，包括绝缘管、绕设在绝缘管上的右旋天线、套设在右旋天线外的绝缘层以及套设在绝缘层外的屏蔽套筒，屏蔽套筒的一端呈封闭状且连接有进气管，绝缘管的一端与屏蔽套筒的一端抵接，进气管与所述绝缘管连通，屏蔽套筒的外周面上设置有屏蔽管。本发明具有更高的功率耦合效率，增强电离率，提高等离子体密度，采用水冷天线外加套陶瓷绝缘层，避免寄生放电、微弧放电，具有更好的效率和稳定性，为实现了大功率长时间螺旋波稳定运行提供了保证，为螺旋波等离子体工业应用提供技术支持，能方便应用于不同的真空系统，适用性相较于现有天线也有了极大的提升。
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公开(公告)号：CN104241061B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410507722.6
申请日：2014-09-28
Applicant: 苏州大学
IPC: H01J1/14
Abstract: 本发明涉及一种抑制二次电子发射的材料，包括石墨壁和碳纤维，所述碳纤维垂直均匀分布在所述石墨壁表面上。本发明电子轰击石墨壁产生二次电子，且二次电子从石墨壁表面以不同角度发射出来，经过碳纤维的多次发射与吸收，能够返回真空的数目所剩无几，这样二次电子的发射系数远小于1，接近于零，那么就起到抑制二次电子发射的作用，低二次电子发射明显增加了壁电势，降低了从等离子体到壁的电子热通量，抑制了壁加热、壁蒸发和等离子体冷却，不会改变壁的特性和等离子体性质。
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公开(公告)号：CN103065954A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310015631.6
申请日：2013-01-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质的制备方法，包括如下步骤：(a)清洗，在Si衬底上沉积HfO2栅介质薄膜，形成HfO2栅介质薄膜/Si衬底的结构；(b)采用多频电容耦合/电感耦合混合型等离子体放电，在室温下，使HfO2薄膜氮化为HfNO薄膜；得到HfNO薄膜/Si衬底的结构；(c)退火，形成HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底的结构，即可得到HfO2薄膜/HfSiNO界面层/Si衬底栅介质。本发明采用多频电容耦合（CCP）/电感耦合（ICP）放电技术，在室温下即可实现HfO2薄膜的氮化，与现代半导体工业的兼容性更好，具有积极的现实意义。
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