公开(公告)号：CN105755449A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610328633.4

申请日：2016-05-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 於俊 ,  黄天源 ,  季佩宇 ,  杨佳奇 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/505

CPC classification number: C23C16/272 ,  C23C16/279 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。

公开(公告)号：CN105226374A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510554010.4

申请日：2015-09-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 黄天源 ,  金成刚 ,  於俊 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑

IPC: H01Q1/22 ,  H05H1/26

Abstract: 本发明涉及一种螺旋波天线系统，包括绝缘管、绕设在绝缘管上的右旋天线、套设在右旋天线外的绝缘层以及套设在绝缘层外的屏蔽套筒，屏蔽套筒的一端呈封闭状且连接有进气管，绝缘管的一端与屏蔽套筒的一端抵接，进气管与所述绝缘管连通，屏蔽套筒的外周面上设置有屏蔽管。本发明具有更高的功率耦合效率，增强电离率，提高等离子体密度，采用水冷天线外加套陶瓷绝缘层，避免寄生放电、微弧放电，具有更好的效率和稳定性，为实现了大功率长时间螺旋波稳定运行提供了保证，为螺旋波等离子体工业应用提供技术支持，能方便应用于不同的真空系统，适用性相较于现有天线也有了极大的提升。

公开(公告)号：CN105226374B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201510554010.4

申请日：2015-09-02

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴雪梅 ,  黄天源 ,  金成刚 ,  於俊 ,  诸葛兰剑

IPC: H01Q1/22 ,  H05H1/26

Abstract: 本发明涉及一种螺旋波天线系统，包括绝缘管、绕设在绝缘管上的右旋天线、套设在右旋天线外的绝缘层以及套设在绝缘层外的屏蔽套筒，屏蔽套筒的一端呈封闭状且连接有进气管，绝缘管的一端与屏蔽套筒的一端抵接，进气管与所述绝缘管连通，屏蔽套筒的外周面上设置有屏蔽管。本发明具有更高的功率耦合效率，增强电离率，提高等离子体密度，采用水冷天线外加套陶瓷绝缘层，避免寄生放电、微弧放电，具有更好的效率和稳定性，为实现了大功率长时间螺旋波稳定运行提供了保证，为螺旋波等离子体工业应用提供技术支持，能方便应用于不同的真空系统，适用性相较于现有天线也有了极大的提升。

公开(公告)号：CN105755449B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201610328633.4

申请日：2016-05-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 吴雪梅 ,  於俊 ,  金成刚 ,  黄天源 ,  季佩宇 ,  杨佳奇 ,  诸葛兰剑

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种采用螺旋波等离子体技术制备纳米晶金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：（1）将Ar气和H2气通入到放电腔室内，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体实现Ar和H2混合气体放电，清洗基片台和Si衬底；（2）关闭H2气，通入Ar气和CH4气体，在轴向磁场的环境下，通过射频调制的螺旋波等离子体在Si衬底上形成纳米晶金刚石薄膜；（3）清洗纳米晶金刚石薄膜表面吸附的CH4气体。本发明通过螺旋波等离子体技术成功地制备了纳米晶金刚石薄膜，所用设备更加简单，工业生产上更容易实现，沉积速率更快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且工艺步骤更简单，工艺参数更易控制。

公开(公告)号：CN205741207U

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201620451446.0

申请日：2016-05-18

Applicant: 苏州大学

Inventor： 於俊 ,  黄天源 ,  季佩宇 ,  杨佳奇 ,  金成刚 ,  吴雪梅 ,  诸葛兰剑

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/27

Abstract: 本实用新型涉及一种螺旋波等离子体化学气相沉积装置，包括真空放电室、与所述真空放电室相连通的真空沉积室，所述真空放电室外环绕有线圈，所述真空放电室内设置有第一进气管、右旋天线，所述右旋天线外套设有屏蔽筒，所述右旋天线的一端穿过一屏蔽管且与射频电源相连接，所述真空沉积室内设置有基片台、第二进气管，所述真空沉积室通过管路连接有抽气组件。本实用新型结构简单、使用方便，通过在真空放电室内产生螺旋波等离子体，在真空沉积室内成功地得到了纳米晶金刚石薄膜，制得的纳米晶金刚石薄膜纯度高、质量好，工业生产上容易实现，沉积速率快，不存在灯丝性能衰减的问题，而且操作简单、易控制。