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公开(公告)号：CN116723621A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310704341.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种螺旋波等离子体粒子注入辅助容性耦合等离子体放电装置，其包括螺旋波等离子体粒子发生系统、多级容性耦合等离子体放电系统、以及粒子筛；本发明的目标粒子前驱体通过右螺旋半波长天线和永磁铁的作用，形成放电气体，通过粒子筛对其进行粒子筛选，其进入反应腔体，泵组对反应腔体抽真空，调节CCP上极板与CCP下极板之间的间距并通电形成电压，在CCP上极板或CCP下极板间形成反应等离子体。本发明在CCP上极板或CCP下极板上设置衬底，可对衬底进行刻蚀、沉积和改性。
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公开(公告)号：CN108085657B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201711472724.6
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种基于螺旋波等离子体技术制备氮掺杂类金刚石薄膜的方法，包括以下步骤：（1）清洗Si衬底，将清洗后的Si衬底固定在沉积室内的基片台上；（2）将高纯Ar气体从放电室的左端通入到放电室内，实现螺旋波等离子体放电，形成Ar等离子体；（3）向沉积室内通入高纯CH4气体和高纯N2气体，Ar等离子体将高纯CH4气体和高纯N2气体离化，在Si衬底上形成氮掺杂类金刚石薄膜；（4）关闭射频电源和所有气源。本发明氮掺杂类金刚石薄膜沉积速度快；沉积的薄膜氮掺杂类金刚石薄膜表面平整、均匀、致密，沉积质量好；氮掺杂类金刚石薄膜的纯度高，薄膜的内应力降低，提高了薄膜与基体之间的附着力，提高了薄膜强度；设备简单，工业生产上容易实现。
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公开(公告)号：CN110106492A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910367340.0
申请日：2019-05-05
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/503 , C23C16/505 , C01B32/186
Abstract: 本发明涉及一种快速制备垂直石墨烯的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的基片台上；（2）将螺旋波等离子体化学气相沉积装置内的真空抽至本底真空；（3）往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入Ar，Ar的流量为10-80sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz-60 MHz、射频功率为300-5000W，调节直流电源使轴向磁场强度为100-10000 Gs；（4）继续通入Ar，Ar的流量为10-80sccm，同时往螺旋波等离子体化学气相沉积装置内通入CH4，CH4的流量为50-200sccm，在衬底上沉积垂直石墨烯。本发明制备步骤简单，无需加热，对衬底的适用范围宽，能够在衬底上沉积不同形态的垂直石墨烯，制备速度快，制备质量高，且便于实际应用。
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公开(公告)号：CN116315608A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310204173.4
申请日：2023-03-06
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率浸没式水冷螺旋天线，包括壳体，所述壳体两端设置前端板和后端板，一内石英管穿过壳体，内石英管的上套设天线；前端板的外侧设置外石英管；后端板的外侧设置第一后密封板，第一后密封板上设置有连通所述壳体内腔的进水水路和出水水路，进水水路连接进水管用以给向壳体内输送冷却液，出水水路连接出水管以排放所述冷却液，天线浸没在所述冷却液中。本发明的有益效果是：通过循环水对天线进行冷却，从而解决了螺旋波天线高功率稳态长时间放电的难题；且装配简单、体积小。
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公开(公告)号：CN116251577A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310263006.7
申请日：2023-03-17
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直石墨烯纳米片负载二氧化钛异质结及其制备方法，其包括衬底，所述衬底上垂直间距设置有若干个石墨烯纳米片，所述石墨烯纳米片的顶部通过磁控溅射包覆有二氧化钛纳米层，所述石墨烯纳米片的厚度为100～200nm、高度为1000～1300nm，相邻所述石墨烯纳米片之间的间距为150～250nm；所述二氧化钛纳米层的厚度为150～250nm。本发明具有微腔结构、高比表面积的特点，形成具有异质结的VGs/TiO2光催化剂，以提升太阳光的利用率和光生载流子的输运速率；本发明的制备方法可于室温条件下进行沉积垂直石墨烯(VGs)，降低了制备难度，垂直石墨烯生长速率更高，生成的垂直石墨烯质量更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115821223A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211586408.2
申请日：2022-12-09
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了螺旋波等离子体束辅助磁控溅射装置，包括反应区腔体，发生器、真空发生器、磁控溅射装置、沉积装置、电磁铁装置和充气装置，沉积装置包括一可在所述发生器和真空发生器之间摆动的摆动杆，以及可360°旋转地设置在所述摆动杆的自由端上的沉积台。本发明的有益效果是：将高参数螺旋波等离子体与磁控溅射相结合，综合了螺旋波等离子体高电离率可控参数的优势和磁控溅射稳态溅射的优势，无需高温高压的条件下制备高性能C/Si基纳米功能材料；并解决了溅射过程中的散热、溅射均匀度等问题，通过多路气体输送通道送入放电气体，反应气体或稀释气体，优化气相反应，有助于增强反应活性，提升成膜基团浓度。
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公开(公告)号：CN114205985A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111435114.5
申请日：2021-11-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种小束径螺旋波等离子体产生装置及产生方法，包括：射频天线、真空系统和磁场源；真空系统包括：源区变径石英管和与其连接的扩散区石英管，源区变径石英管包括：宽部和与其相连的窄部，宽部的另一端连接进气部件，所述窄部从扩散区石英管一端延伸至内部，窄部的自由端设置为等离子体射流出口，所述扩散区石英管另一端设置有真空抽气口；射频天线包裹于源区变径石英管外侧，呈右螺旋状；射频天线与射频电源连接；磁场源包括：六块弱磁环形磁铁和两块强磁环形磁铁，环形磁铁圈设于射频天线外。本发明通过新的设计思路使螺旋波等离子体装置小型化、结构简单化、等离子体束流直径与长度可控化，拓展了高密度螺旋波等离子体研究与应用。
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公开(公告)号：CN109010797B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201810789170.0
申请日：2018-07-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种治疗心肌肥厚或心力衰竭的Tat‑SPK2肽及其应用，所述Tat‑SPK2肽从N端到C端的氨基酸序列为YGRKKRRQRRRGGSGDGLLYEVLNGLLDRPD。Tat‑SPK2肽能够应用在制备治疗人类心肌肥厚或心力衰竭药物中。Tat‑SPK2肽能够减轻异丙肾上腺素所致的小鼠心肌肥厚，Tat‑SPK2对心肌肥厚或心力衰竭具有防治作用，其心脏保护作用机制与自噬无关，而是通过上调SIRT3和Bcl‑2，下调BNIP3而产生。
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公开(公告)号：CN109989048A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910367381.X
申请日：2019-05-05
Applicant: 苏州大学
IPC: C23C16/32 , C23C16/517
Abstract: 本发明涉及一种利用螺旋波等离子体技术制备碳化硅薄膜的方法，包括以下步骤：（1）将衬底置于真空沉积室内的基片台上；（2）将真空放电室和真空沉积室内的真空抽至本底真空；（3）从螺旋波天线尾部将Ar气通入到放电腔室内，Ar气的流量为20‑100sccm，打开射频电源和直流电源，调节射频电源的射频频率为2MHz‑60 MHz、射频功率为200‑3000W，调节直流电源使轴向磁场强度为200‑5000 Gs；（4）将有机硅烷液体加热蒸发成气体，通入到真空沉积室内，在衬底上沉积碳化硅薄膜。本发明碳化硅薄膜制备的速度非常快，达到了0.93 mm/h，且制备的碳化硅薄膜均匀致密，具有粗糙度低、高的杨氏模量及显微硬度优势，且制备方法操作简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN109010797A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810789170.0
申请日：2018-07-18
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种治疗心肌肥厚或心力衰竭的Tat‑SPK2肽及其应用，所述Tat‑SPK2肽从N端到C端的氨基酸序列为YGRKKRRQRRRGGSGDGLLYEV LNGLLDRPD。Tat‑SPK2肽能够应用在制备治疗人类心肌肥厚或心力衰竭药物中。Tat‑SPK2肽能够减轻异丙肾上腺素所致的小鼠心肌肥厚，Tat‑SPK2对心肌肥厚或心力衰竭具有防治作用，其心脏保护作用机制与自噬无关，而是通过上调SIRT3和Bcl‑2，下调BNIP3而产生。
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