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公开(公告)号：CN111786257A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010537365.3
申请日：2020-06-12
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种光电二极管波长控制方法及光电二极管，该方法包括：控制半导体温度控制器对光电二极管芯片进行温度调控；控制光电二极管芯片在每到达一个目标温度时激射出波长包含对应目标波长的目标激光，目标波长与目标温度相关，目标激光具有频谱宽度。通过本申请的技术方案可以通过调控光电二极管芯片的温度从而使光电二极管芯片激射出不同波长的激光，进而减少了光电二极管芯片与TO器件的使用，减少了安装、组合复杂度，同时节约了成本和工艺周期。
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公开(公告)号：CN109164602B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201811149036.0
申请日：2018-09-29
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
Abstract: 一种具有改进结构的光波导相位调制器芯片，包括基片，所述基片上设有Y波导，所述Y波导包括入射光波导及与所述入射光波导相连接的两个分支光波导；所述基片上还设有位于所述入射光波导两侧的预相位调制电极组、位于两个所述分支光波导两侧的高速相位调制电极组、位于两个所述分支光波导之间的补偿相位调制电极、位于两个所述分支光波导远离所述入射光波导一端的定向耦合器及与所述定向耦合器相连接的输出光波导；该具有改进结构的光波导相位调制器芯片具有预相位调制功能、调制带宽大且能够输出两路光功率不同的光信号。
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公开(公告)号：CN112635612A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011612845.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
IPC: H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电探测技术领域，公开了一种光电芯片和光电芯片的制备方法。其中，光电芯片的制备方法包括以下步骤：在衬底上形成外延结构；在外延结构上形成扩散阻挡介质膜；通过光刻将扩散阻挡介质膜分隔为同心的内圆探测区域和外环探测区域，外环探测区域环绕内圆探测区域；并通过光刻将内圆探测区域分为多个内圆区域，将外环探测区域分为多个外环区域；对内圆探测区域和外环探测区域进行扩散，形成PN结；在扩散阻挡介质膜上形成增透膜。这样，通过光刻将扩散阻挡介质膜划分为多个外环区域和多个内圆区域，多个区域分别进行独立探测，从而有效地增加了对入射光斑位置的探测精度，进而有效地避免了对激光位置跟踪造成的误判。
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公开(公告)号：CN112635389B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202011585283.2
申请日：2020-12-28
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及半导体蚀刻技术领域，具体涉及一种蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法。蚀刻装置包括蚀刻治具以及蚀刻机，蚀刻机包括蚀刻液缸以及喷嘴，蚀刻治具位于蚀刻液缸内，并能够在蚀刻液缸内旋转，喷嘴位于蚀刻治具的上方，且喷嘴用于喷洒蚀刻液，蚀刻治具包括治具本体，治具本体上开设有凹槽，凹槽的内壁形成用于放置待蚀刻晶片的蚀刻区域，且治具本体的边缘还形成有排液口。蚀刻方法包括将待蚀刻晶片放置在蚀刻装置内，使蚀刻治具在蚀刻液缸内旋转，以及将喷嘴打开对待蚀刻晶片喷洒蚀刻液，多余的蚀刻液会从排液口流出。针对如InP/InGaAs非标准晶片碎片时，该蚀刻治具也同样适用，旋转时的离心力和凹槽的侧壁起到限位作用，满足非标准晶片的蚀刻工艺需求。
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公开(公告)号：CN112593200B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202011585281.3
申请日：2020-12-28
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体镀膜技术领域，具体涉及一种镀膜治具、镀膜装置及镀膜方法。镀膜装置包括镀膜治具以及镀膜机，镀膜治具安装在镀膜机上，镀膜治具包括治具本体，治具本体形成有自治具本体正面贯穿至治具本体背面的镀膜空间，治具本体正面相对设置的两侧分别开设有凹槽，凹槽的内壁形成用于放置待镀膜芯片的放置区域，且凹槽的内壁的截面形状呈V字形。镀膜方法包括将待镀膜芯片放置在镀膜装置的镀膜治具内以及将镀膜治具送入镀膜机。由于凹槽的内壁的截面形状呈V字形，可以成角度放置待镀膜芯片，以便同时对待镀膜芯片的两个表面和90度夹角进行镀膜，并且，治具本体中间是空心的，方便从下往上对待镀膜芯片的两个表面和90度夹角镀上一层薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111061127A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911413929.6
申请日：2019-12-31
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种聚酰亚胺固化方法，该方法包括：将聚酰亚胺旋涂于预处理后的晶片表面；将已涂聚酰亚胺的晶片在第一预设温度烘烤第一预设时长；对经过第一预设时长烘烤后的晶片通过相应的光刻掩膜版进行曝光；对曝光后的晶片进行显影；将显影后的晶片放入烘箱内，充入惰性气体；按预设温度调控规则对烘箱进行温度调控，使烘箱内的晶片表面的聚酰亚胺固化在晶片表面。通过本申请能够防止固化后聚酰亚胺在后续的光刻腐蚀、酸碱清洗、退火等处理环节出现鼓包、脱落、变形等现象，从而提高涂有聚酰亚胺的产品的成品率。
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公开(公告)号：CN118738032B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411230589.4
申请日：2024-09-04
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
IPC: H01L25/04 , H01L31/101
Abstract: 本申请提供了光电探测芯片、距离传感器及电子设备。光电探测芯片包括衬底、第一子芯片、N电极层、及第二子芯片。第一子芯片设于衬底的一侧。N电极层设于第一子芯片背离衬底的一侧。第二子芯片设于N电极层背离衬底的一侧。其中，第一子芯片与第二子芯片均通过N电极层传输载流子。本申请提供了光电探测芯片、距离传感器及电子设备，通过采用两个子芯片共用N电极层，各自采用子P电极层分别输出，再将电信号汇聚至总P电极部输出的方式，在使用单一芯片量子效率不变的情况下，使光电探测芯片的响应度输出变成了两个芯片响应度之和，提高了光电探测芯片的响应度，从而提高了光电探测芯片的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN112687757B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011553853.X
申请日：2020-12-24
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
IPC: H01L31/102 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及一种光电芯片制作方法，包括：在基片正面的标记区域内形成凹槽，所述凹槽的深度大于等于所述基片光吸收层的厚度；在所述基片的外延层表面淀积钝化膜；在所述钝化膜上形成扩散区；在所述扩散区进行扩散工艺；在所述基片表面生长增透膜；在所述扩散区内的增透膜上形成电极引线孔；在所述基片的表面淀积金属膜；在所述基片钝化膜上形成电极以及在所述凹槽内形成背面对位标记，所述电极连接所述电极引线孔；将所述基片背面进行减薄至所需厚度，以及对所述基片背面进行抛光；根据所述基片正面标记区域内的背面对位标记进行背面对准；在所述基片的背面进行背面光刻工艺。本发明工艺流程简单，背面对准精度高。
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公开(公告)号：CN112736099A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011613121.5
申请日：2020-12-30
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
IPC: H01L27/142 , H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及探测设备技术领域，公开了一种光探测器芯片阵列和光探测器芯片阵列的制备方法。光探测器芯片阵列包括：多个雪崩光探测器芯片单元，雪崩光探测器芯片单元包括光敏面和电极层；电极层包括电极环和电极焊盘，电极环围绕光敏面设置，电极焊盘与电极环电连接；多个光敏面呈直线线阵排布，相邻两个光敏面之间具有间隔间距。本发明实施例提供的光探测器芯片阵列通过将多个光敏面呈直线线阵排布，且相邻两个光敏面之间具有间隔间距，从而有效地提升了激光雷达的探测分辨率，并且由于直接采用雪崩光探测器芯片组成阵列，也大大缩小了采用器件组装空间，从而有效的解决了激光探测分辨率差、雪崩光探测器集成芯片体积大的问题。
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公开(公告)号：CN119384053A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411942146.8
申请日：2024-12-27
Applicant: 芯思杰技术(深圳)股份有限公司
Abstract: 本申请提供了光电芯片及其制备方法、平衡光电探测器、光通信设备。光电芯片包括第一芯片、第二芯片及电极组件，第一芯片与第二芯片由同一个晶圆制备得到，第一芯片由晶圆的第一部分制备得到，第二芯片由晶圆的第二部分制备得到，第一部分与第二部分相连接且相邻设置；电极组件连接第一芯片与第二芯片。本申请采用在同一晶圆上相邻部分形成的第一芯片与第二芯片组合为光电芯片，提高了光电芯片的信噪比，提高了平衡光电探测器的探测性能；且通过电极组件将第一芯片与第二芯片组合在一起，缩小了光电芯片的整体尺寸，提高了产出；采用背面入光的方式，节省封装工艺中的焊线工艺，进一步减少因为焊线引起的串扰从而提高信噪比。
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