公开(公告)号：CN1852772A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200480026549.2

申请日：2004-06-07

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： C·沃尔德弗里德 ,  Q·韩 ,  O·埃斯科尔西亚 ,  I·L·伯里三世

IPC: B05D3/06 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/324 ,  C23C16/40 ,  C04B41/46 ,  C04B41/50 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04

CPC classification number: C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

Abstract: 具有提高的弹性模量和材料硬度的低介电常数材料。制备所述材料的方法，包括：提供介电材料，用紫外线固化所述介电材料，由此得到紫外线固化的介电材料。紫外线固化得到了具有提高的弹性模量和材料硬度的材料，各自的提高率分别大于或等于约50％。对此紫外线固化的介电材料可进行任选的后紫外线处理。与LIV固化介电材料相比，后紫外线处理减小了材料的介电常数同时保持弹性模量和材料硬度的提高。与加热炉固化相比，紫外线固化的介电材料在固化过程中的总热预算少。

公开(公告)号：CN1537325A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN02814288.8

申请日：2002-07-15

Applicant: 艾克塞利斯技术公司 ,  切马特科技公司

Inventor： Q·韩 ,  C·瓦尔德弗里德 ,  O·埃斯科西亚 ,  R·阿巴诺 ,  I·L·贝里三世 ,  J·詹格 ,  I·巴尔

IPC: H01L21/312

CPC classification number: C01B33/126 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695

Abstract: 弹性模量提高的低介电常数薄膜材料。制造这类薄膜材料的方法包含：提供一种由一种含至少2个Si－CH3基团的树脂制成的多孔甲基倍半硅氧烷－基介电薄膜材料并等离子体固化该多孔薄膜材料，以使该薄膜转化为多孔二氧化硅。多孔薄膜材料的等离子体固化产生一种模量与脱气性提高的薄膜。弹性模量的提高一般大于或约为100％，更典型地，大于或约为200％。该薄膜在低于或约为350℃的一个温度下等离子体固化约15～约120秒钟。该等离子体固化的多孔薄膜材料可任选地进行退火处理。与等离子体固化多孔薄膜材料相比，等离子体固化薄膜的退火可减小薄膜的介电常数，同时保持提高的弹性模量。退火温度一般低于或约为450℃。退火等离子体固化薄膜的介电常数范围为约1.1～约2.4，且弹性模量有所提高。

公开(公告)号：CN1739190A

公开(公告)日：2006-02-22

申请号：CN200480002329.6

申请日：2004-01-16

Applicant: 艾克塞利斯技术公司 ,  JSR株式会社

Inventor： C·沃尔德弗里德 ,  Q·韩 ,  O·埃斯科尔西亚 ,  R·阿尔巴诺 ,  I·L·伯里三世 ,  盐田淳

IPC: H01L21/3065 ,  H01B3/46 ,  C04B41/00 ,  B29C59/14 ,  B32B37/00

Abstract: 具有提高了的弹性模量和材料硬度的低介电常数的多孔材料。制备这种多孔材料的方法包括提供多孔介电材料并用无氟等离子体气体等离子体固化此多孔介电材料以制备无氟等离子体固化的多孔介电材料。多孔介电材料的无氟等离子体固化得到具有提高了的模量和材料硬度以及相当的介电常数的材料。弹性模量的增加一般大于或约为50％。