公开(公告)号：CN118019320A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202211510471.8

申请日：2022-11-29

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 黄俊宪 ,  郭有策 ,  王淑如 ,  黄莉萍 ,  陈玉芳 ,  曾俊砚 ,  张子丰 ,  张竣杰

IPC分类号： H10B10/00 ,  H01L27/02

摘要： 本发明公开一种静态随机存取存储器(SRAM)的布局图案，至少包含多条栅极结构位于一基底上并且跨越该多条鳍状结构，以组成多个晶体管分布于该基底上，该多个晶体管包含:两个上拉晶体管(PU)、两个下拉晶体管(PD)，共同组成一栓锁电路(latch)，以及两个存取晶体管(PG)连接该栓锁电路，其中在任一静态随机存取存储器存储单元中，该上拉晶体管(PU)所包含的该鳍状结构定义为一上拉晶体管鳍状结构、该下拉晶体管(PD)所包含的该鳍状结构定义一下拉晶体管鳍状结构、该存取晶体管(PG)所包含的该鳍状结构定义一存取晶体管鳍状结构，其中该下拉晶体管鳍状结构的一宽度比该存取晶体管鳍状结构的宽度更宽。

公开(公告)号：CN117766583A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202211261601.9

申请日：2022-10-14

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 黄奕泉 ,  张子丰 ,  胡登传 ,  陈奕文 ,  林毓翔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

摘要： 本发明实施例提供一种半导体器件，包括：衬底、第一源极/漏极区与第二源极/漏极区以及栅极结构。衬底具有附加的基体部与鳍突出于所述衬底的顶面，其中所述鳍跨过所述附加的基体部。第一源极/漏极区与第二源极/漏极区在所述鳍中。栅极结构跨过所述鳍，位于所述附加的基体部上方，且位于所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间。