公开(公告)号：CN106298916B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201510273696.X

申请日：2015-05-26

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 孙千媖 ,  刘恩铨 ,  陈明新 ,  童宇诚 ,  杨智伟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中，该半导体元件包含多个鳍状结构，设置于一基底上，其中，该鳍状结构的至少一具有一尖端；以及一虚置栅极结构，设置于该基底上，其中，该虚置栅极结构包含一延伸部位，该延伸部位覆盖该尖端。

公开(公告)号：CN106298916A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510273696.X

申请日：2015-05-26

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 孙千媖 ,  刘恩铨 ,  陈明新 ,  童宇诚 ,  杨智伟

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中，该半导体元件包含多个鳍状结构，设置于一基底上，其中，该鳍状结构的至少一具有一尖端；以及一虚置栅极结构，设置于该基底上，其中，该虚置栅极结构包含一延伸部位，该延伸部位覆盖该尖端。