镀液及镀覆方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102304218B

    公开(公告)日:2013-11-06

    申请号:CN201110128312.7

    申请日:2011-03-15

    CPC classification number: C07D235/08 C25D3/38 H05K3/421 H05K3/423

    Abstract: 镀液及镀覆方法。提供了在导电层的表面沉积铜的铜电镀液,其含有整平剂,该整平剂是某苯并咪唑与某含环氧化物的化合物的反应产物。这种镀液在一定浓度范围内在基板表面沉积一层大体上是平面的铜。还公开了使用这种铜电镀液沉积铜层的方法。提供了一种或多种苯并咪唑化合物与一种或多种含环氧化物的化合物的反应产物,其中至少一种苯并咪唑化合物具有结构式,其中,R1选自H、(C1-C6)烷基、芳基(C1-C6)烷基、羟基(C1-C6)烷基和羟基;每个R2分别选自(C6-C18)芳基、(C1-C6)烷基、芳基(C1-C6)烷基、羟基(C1-C6)烷基和羟基;并且a=0-4,条件是当R1=H时,a>0。

    用于无电镀的稳定的纳米粒子

    公开(公告)号:CN105821397A

    公开(公告)日:2016-08-03

    申请号:CN201610326035.3

    申请日:2011-10-21

    CPC classification number: C23C18/28 C23C18/30

    Abstract: 用于无电镀的稳定的纳米粒子。本发明涉及用来金属化印刷电路板通孔的稳定的无锡的钯催化剂组合物,该组合物包含谷胱甘肽和钯。在该催化剂配方中包括稳定剂,例如,谷胱甘肽,其阻止钯的沉淀和凝聚。提供了一种方法,它包括:a)提供具有多个通孔的衬底;b)将包含一种或多种阳离子表面活性剂的调节剂施加到该通孔;c)将包含稳定剂和钯纳米粒子的催化剂施加到该通孔,其中,所述稳定剂由谷胱甘肽组成,且所述催化剂不含锡;以及d)利用无电镀金属浴将金属沉积到该通孔的壁上。

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