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公开(公告)号：CN103117327B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110403012.5
申请日：2011-10-14
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 可持续能源联盟有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , C09D11/322 , C09D11/52 , Y02E10/50
Abstract: 公开了一种在制造光电器件时采用金属墨来形成金属接触的方法。通过喷墨或气溶胶装置将金属墨有选择地沉积到半导体涂层上。加热合成物至其中金属墨烧穿涂层从而与半导体形成导电接触的选定温度。然后通过光诱导或光辅助电镀将多个金属层沉积到导电接触上。
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公开(公告)号：CN101302632A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810127721.3
申请日：2008-04-03
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： E·雷丁顿 , G·U·德斯麦森 , Z·I·尼亚齐比托瓦 , D·E·克莱利 , M·勒菲弗
IPC: C25D3/02
Abstract: 本发明公开了用于在基底上电镀金属的金属电镀组合物，其包括一种或多种金属离子源和一种或多种具有下式的化合物：R1－A－R3－A－[C(O)－R5－C(O)－A－R3－A]n－R2。该金属电镀组合物包括能影响其整平能力和匀镀能力的化合物。本发明同时公开了在基底上电镀金属的方法。
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公开(公告)号：CN101293852B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200810128749.9
申请日：2008-04-03
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： E·雷丁顿 , G·U·德斯麦森 , Z·I·尼亚齐比托瓦 , D·E·克莱利 , M·勒菲弗
IPC: C07C235/10 , C07C235/08 , C08G65/48 , C25D3/00 , C25D7/00
CPC classification number: C25D3/02 , C08G65/3322 , C08G65/33306 , C08G2650/50 , C08G2650/58 , C08L71/02 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D3/56
Abstract: 本发明公开了金属电镀组合物和方法。该金属电镀组合物具有好的整平能力和匀镀能力。提供了一种化合物，它具有以下的通式：H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((R1CH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)，以及包含该化合物的组合物。还提供了一种使用上述组合物进行电镀的方法。
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公开(公告)号：CN102250319A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110115816.5
申请日：2011-03-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： Z·I·尼亚齐比托瓦 , E·H·纳贾尔 , M·A·热兹尼科 , E·雷丁顿
CPC classification number: C07D233/60 , C25D3/38
Abstract: 提供了在导电层的表面沉积铜的铜电镀液，其含有流平剂，该流平剂是某些咪唑与某些含环氧基的化合物的反应产物。这种镀液在一定的电解质浓度范围内在基板表面沉积一层基本上是平面的铜。还公开了使用这种铜电镀液沉积铜层的方法。
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公开(公告)号：CN101302632B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200810127721.3
申请日：2008-04-03
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： E·雷丁顿 , G·U·德斯麦森 , Z·I·尼亚齐比托瓦 , D·E·克莱利 , M·勒菲弗
IPC: C25D3/02
Abstract: 本发明公开了用于在基底上电镀金属的金属电镀组合物，其包括一种或多种金属离子源和一种或多种具有下式的化合物：R1-A-R3-A-[C(O)-R5-C(O)-A-R3-A]n-R2。该金属电镀组合物包括能影响其整平能力和匀镀能力的化合物。本发明同时公开了在基底上电镀金属的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102888629B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210395534.X
申请日：2011-03-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： Z·I·尼亚齐比托瓦 , E·H·纳贾尔 , M·A·热兹尼科 , E·雷丁顿
IPC: C25D3/38
CPC classification number: C07D233/60 , C25D3/38
Abstract: 本发明提供了在导电层的表面沉积铜的铜电镀液，其含有流平剂，该流平剂是某些咪唑与某些含环氧基的化合物的反应产物。这种镀液在一定的电解质浓度范围内在基板表面沉积一层基本上是平面的铜。还公开了使用这种铜电镀液沉积铜层的方法。
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公开(公告)号：CN102492133A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110430319.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： E·雷丁顿 , G·U·德斯麦森 , Z·I·尼亚齐比托瓦 , D·E·克莱利 , M·勒菲弗
IPC: C08G65/48 , C08G81/00 , C07C235/10 , C07C231/02
CPC classification number: C25D3/02 , C08G65/3322 , C08G65/33306 , C08G2650/50 , C08G2650/58 , C08L71/02 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D3/56
Abstract: 本发明公开了金属电镀组合物和方法。该金属电镀组合物具有好的整平能力和匀镀能力。提供了一种化合物，它具有以下的通式：H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((R1CH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)，以及包含该化合物的组合物。还提供了一种使用上述组合物进行电镀的方法。
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公开(公告)号：CN101293852A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810128749.9
申请日：2008-04-03
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： E·雷丁顿 , G·U·德斯麦森 , Z·I·尼亚齐比托瓦 , D·E·克莱利 , M·勒菲弗
IPC: C07C235/10 , C07C235/08 , C08G65/48 , C25D3/00 , C25D7/00
CPC classification number: C25D3/02 , C08G65/3322 , C08G65/33306 , C08G2650/50 , C08G2650/58 , C08L71/02 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D3/56
Abstract: 本发明公开了金属电镀组合物和方法。该金属电镀组合物具有好的整平能力和匀镀能力。提供了一种化合物，它具有以下的通式：H－A’p－Q－[C(O)－CH2O－((R1CH)t－O)z－CH2－C(O)－NH－A]u－H(I)，以及包含该化合物的组合物。还提供了一种使用上述组合物进行电镀的方法。
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公开(公告)号：CN102492133B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201110430319.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
Inventor： E·雷丁顿 , G·U·德斯麦森 , Z·I·尼亚齐比托瓦 , D·E·克莱利 , M·勒菲弗
IPC: C08G65/48 , C08G81/00 , C07C235/10 , C07C231/02
CPC classification number: C25D3/02 , C08G65/3322 , C08G65/33306 , C08G2650/50 , C08G2650/58 , C08L71/02 , C25D3/32 , C25D3/38 , C25D3/56
Abstract: 本发明公开了金属电镀组合物和方法。该金属电镀组合物具有好的整平能力和匀镀能力。提供了一种化合物，它具有以下的通式：H-A’p-Q-[C(O)-CH2O-((R1CH)t-O)z-CH2-C(O)-NH-A]u-H(I)，以及包含该化合物的组合物。还提供了一种使用上述组合物进行电镀的方法。
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公开(公告)号：CN103117327A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110403012.5
申请日：2011-10-14
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 可持续能源联盟有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022425 , C09D11/322 , C09D11/52 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种在制造光电器件时采用金属墨来形成金属接触的方法。通过喷墨或气溶胶装置将金属墨有选择地沉积到半导体涂层上。加热合成物至其中金属墨烧穿涂层从而与半导体形成导电接触的选定温度。然后通过光诱导或光辅助电镀将多个金属层沉积到导电接触上。
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