公开(公告)号：CN118829862A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202380025900.9

申请日：2023-01-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·斯洛格斯纳特 ,  M·穆萨奇 ,  J·克罗伊策 ,  M·S·桑托罗 ,  D·坦格雷迪

IPC: G01L19/06 ,  B81B3/00 ,  G01N27/22

Abstract: 一种环境传感器(100)，所述环境传感器具有：MEMS元件(10)；ASIC元件(20)，所述ASIC元件借助至少两个键合引线(2a、2b)与所述MEMS元件(10)电连接，其中，所述ASIC元件(20)具有分析处理电路(40、50、60)，所述分析处理电路构造为用于，对附接到所述MEMS元件(10)的焊盘(3a、3b)上的至少两个键合引线(2a、2b)之间的寄生电容(Cp)进行求取和分析处理，以便检测在所述环境传感器(100)上的材料沉积。

公开(公告)号：CN116671004A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180089373.9

申请日：2021-12-13

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·穆萨奇 ,  D·坦格雷迪 ,  F·戴维 ,  G·卡扎尼加 ,  M·S·桑托罗

IPC: H03F3/72

Abstract: 本发明涉及一种用于电容式压力传感器(109)的模拟前端架构(100)，所述模拟前端架构具有低噪声放大器单元(101)，所述低噪声放大器单元用于低噪声地放大所述电容式压力传感器(109)的信号，其中，所述低噪声放大器单元(101)包括第一积分器单元(103)和第二积分器单元(105)、反馈单元(107)和启动单元(108)，所述第一积分器单元和第二积分器单元用于对馈入到所述低噪声放大器单元(101)的输入端口(INP，INN)中的电荷进行积分并且用于将经积分的电荷输出给所述低噪声放大器单元(101)的输出端口(OUT1，OU2)，其中，所述反馈单元(107)设立用于，将经积分的电荷从所述积分器单元(105)中重新馈入到所述低噪声放大器单元(101)的输入端口(INP，INN)中，并且其中，所述启动单元(108)能够在第一切换状态与第二切换状态之间切换并且设立用于，在所述第一切换状态中将馈入到所述输入端口(INP，INN)中的电荷从所述第一积分器单元(103)旁边经过传导到所述第二积分器单元(105)中并且从所述第二积分器单元(105)传导到所述反馈单元(107)中，并且在所述第二切换状态中将馈入到所述输入端口(INP，INN)中的电荷直接传导到所述第一积分器单元(103)中。

公开(公告)号：CN116670480A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180083094.1

申请日：2021-11-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·穆萨奇 ,  D·坦格雷迪 ,  F·戴维 ,  G·卡扎尼加 ,  M·S·桑托罗

IPC: G01L9/12

Abstract: 本发明涉及一种用于电容式压力传感器(109)的模拟式前端架构(100)，所述模拟式前端架构具有低噪声放大器单元(101)，所述低噪声放大器单元用于对所述电容式压力传感器(109)的传感器信号以低噪声的方式进行放大，其中，所述低噪声放大器单元(101)包括第一积分器单元(103)和第二积分器单元(105)，其中，所述第一积分器单元(103)与所述低噪声放大器单元(101)的输入端子(INP、INN)连接，并构造为矩形波串积分器并且设置为用于根据矩形波串积分技术对所述电容式压力传感器(109)的传感器信号进行放大，并且其中，所述第二积分器单元(105)与所述低噪声放大器单元(101)的输出端子(OUT1、OUT2)连接并且设置为用于对所述第一积分器单元(103)的经放大的电压信号进行积分。

公开(公告)号：CN118843596A

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202380025899.X

申请日：2023-01-30

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： D·斯洛格斯纳特 ,  M·穆萨奇 ,  D·坦格雷迪

IPC: B81C99/00 ,  G01D5/24 ,  G01L25/00 ,  G01L27/00 ,  G01L9/12 ,  G01R31/52

Abstract: 本发明涉及一种电容式传感器(100)，所述电容式传感器具有：MEMS元件(10)，所述MEMS元件具有电容式惠斯通桥式电路(21)；ASIC元件(20)，其中，所述ASIC元件(20)构造用于求取所述电容式惠斯通桥式电路(21)的至少一个参考电容的测量值，其中，用于求取所述参考电容(CRef1、CRef2)的操控信号(A1、A2)能够被施加到所述电容式惠斯通桥式电路(21)的相应的供电线路(D1、D2)上，其中，所述ASIC元件(20)构造用于，读取并且分析处理所述参考电容(CRef1、CRef2)的测量值，其中，由所述参考电容(CRef1、CRef2)的值能够求取所述电容式传感器(100)的至少一个短路电阻(RKS)的电阻值。

公开(公告)号：CN116249875A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202180067217.2

申请日：2021-09-16

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： G·波扎托 ,  M·穆萨奇 ,  D·坦格雷迪 ,  M·S·桑托罗 ,  G·卡扎尼加

IPC: G01D21/00

Abstract: 本发明涉及一种用于测试电子电路内的传感器的方法.所述传感器包括在惠斯通电桥电路的第一支路中的第一传感器元件和第一参考元件以及在与所述第一支路平行的第二支路中的第二传感器元件和第二参考元件。所述惠斯通电桥电路具有用于第一参考信号的第一输入端和用于第二参考信号的第二输入端，所述输入端分别与所述支路连接。所述参考信号借助操控逻辑单元提供。所述第一支路具有在所述第一传感器元件和所述第一参考元件之间的第一信号输出端。所述第二支路具有在所述第二传感器元件和所述第二参考元件之间的第二信号输出端。能够在所述第一信号输出端上确定第一有用信号并且在所述第二信号输出端上确定第二有用信号。所述第一信号输出端通过第一开关与放大器的第一放大器输入端连接，所述第二信号输出端通过第二开关与所述放大器的第二放大器输入端连接。所述方法包括以下步骤：断开所述第一开关或所述第二开关；施加预给定的第一和/或第二参考信号；如下地分析处理所述第一或第二有用信号：是否存在所述传感器的损坏或在所述传感器和所述电子电路之间的电连接的损坏。