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公开(公告)号：CN118158122A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410149609.9
申请日：2024-02-01
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室 , 东南大学
IPC: H04L43/028 , H04L41/0604 , H04L43/08 , H04L69/22
Abstract: 本申请提供一种报文处理方法、装置、电子设备及计算机程序产品。该报文处理方法包括：基于报文随机存储器RAM的存储状态和上一报文的完整度信息对当前报文进行过滤；报文RAM用于缓存过滤得到的正确报文；对报文RAM中缓存的正确报文进行校验，并根据校验结果判断是否进行告警上报。本申请提供的报文处理方法、装置、电子设备及计算机程序产品，基于报文RAM的实时状态以及上一报文的完整度信息，在控制硬件开销的同时，从报文整体结构层面进行报文过滤，覆盖更多种异常报文结构情况，使过滤地更加准确且彻底，并对过滤的正确报文进行校验和告警上报，进一步保证输入后续信号处理模块的报文的正确性，降低误码率。
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公开(公告)号：CN112929128A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110148962.1
申请日：2021-02-03
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: H04L1/00 , H04B7/0413
Abstract: 本发明公开了一种基于置信度传播的MIMO检测方法、装置，涉及通信领域，其中MIMO检测方法包括：获取MIMO的系统参数；观察节点根据所述系统参数以及各个符号节点的先验概率计算各个接收符号的后验概率的LLR值，并将其传回给各个符号节点；根据观察节点反馈回来的信息，计算符号节点的LLR值；根据观察节点的后验概率的LLR值得到先验概率的LLR值；根据所述先验概率的LLR值计算出符号节点要发给各个观察节点的后验概率值，并开始新一次迭代；迭代完成后，根据需求输出符号；该基于硬件平台的MIMO BP算法的实现方式，采用线性插值的方式进行近似计算，避免了e指数查表需要存储多张表以及地址读取冲突问题，减少了硬件资源的损耗。
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公开(公告)号：CN117978587A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410079121.3
申请日：2024-01-18
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: H04L25/02 , H04B7/0413 , H04L1/00
Abstract: 本发明提供一种基带芯片、信号系统和基带芯片控制方法，属于通信技术领域，该基带芯片包括：信道估计模块，用于根据GAMP算法对所述第一解扰数据和噪声方差进行计算，得到信道估计矩阵，并对所述信道估计矩阵进行子载波‑天线维度的数据转换得到目标矩阵；MIMO信号检测模块，用于采用GAI‑BP算法和乒乓存储技术处理第二解扰数据和目标矩阵得到比特软信息；译码模块，用于对比特软信息进行译码和校验得到原始比特消息，以实现以太帧封装和发送。本发明基带芯片根据消息传递因子图模型构建各模块，以使基带芯片同时具备解扰、信道估计、MIMO检测、信道译码、CRC校验等功能，提高了基带信号处理效率。
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公开(公告)号：CN112929128B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202110148962.1
申请日：2021-02-03
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: H04L1/00 , H04B7/0413
Abstract: 本发明公开了一种基于置信度传播的MIMO检测方法、装置，涉及通信领域，其中MIMO检测方法包括：获取MIMO的系统参数；观察节点根据所述系统参数以及各个符号节点的先验概率计算各个接收符号的后验概率的LLR值，并将其传回给各个符号节点；根据观察节点反馈回来的信息，计算符号节点的LLR值；根据观察节点的后验概率的LLR值得到先验概率的LLR值；根据所述先验概率的LLR值计算出符号节点要发给各个观察节点的后验概率值，并开始新一次迭代；迭代完成后，根据需求输出符号；该基于硬件平台的MIMO BP算法的实现方式，采用线性插值的方式进行近似计算，避免了e指数查表需要存储多张表以及地址读取冲突问题，减少了硬件资源的损耗。
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公开(公告)号：CN115423007A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211018307.5
申请日：2022-08-24
Applicant: 东南大学
IPC: G06K9/62 , G06V20/59 , G06V20/56 , G06V20/58 , G06V20/40 , G06V20/62 , G06V40/16 , G08G1/01 , G08G1/052 , G08B31/00 , G08B21/06
Abstract: 本发明公开了一种基于车载视频识别的营运车辆驾驶员画像分类方法，包括：采集数据，生成主动安全预警信息详细数据表；生成超时疲劳驾驶记录表；提取每一位驾驶员对应的预警记录，生成预警次数记录表；提取预警视频记录数据中的关键数据，计算评价指标；计算车道偏移量；根据评价指标和车道偏移量刻画驾驶员在不同预警类型下的反应程度，得到不同预警类型下驾驶员的分类结果。本发明通过对视频信息的深入提取刻画驾驶员的驾驶行为，根据驾驶行为对驾驶员进行分类来，通过车载实时视频，可以高效准确的捕捉驾驶员的行车特征，对驾驶行为归类、用户画像分析可以为重点营运车辆的行车安全评价体系的建立提供有力理论支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104600098A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510021811.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0684 , H01L29/42368
Abstract: 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
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公开(公告)号：CN104600098B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510021811.4
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。
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公开(公告)号：CN104022112B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201410312125.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极，在源区和多晶硅栅极之间及漏区和多晶硅栅极之间都设有轻掺杂漏区，在源区与P型接触区之间设有N型区，在P型接触区与N型区之间及N型区与源区外侧之间均设有场氧化层且场氧化层位于P型半导体衬底的表面，在P型接触区、源区、轻掺杂漏区、漏区、场氧化层及多晶硅栅极上方设有氧化层，P型半导体衬底由衬底电极引出，源区由金属源电极引出，漏区和N型区均由金属漏电极引出。该结构可以在更小的面积开销下达到更强的静电释放能力。
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公开(公告)号：CN104698279A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510121313.7
申请日：2015-03-19
Applicant: 东南大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管电容-电压特性测试电路中的串联电阻的计算测定方法，首先对金属氧化物半导体场效应晶体管进行不同频率下的电容-电压特性测试；然后基于针对串联电阻效应的金属氧化物半导体场效应晶体管电容-电压特性的修正模型，将数据带入模型中修正出实际电容-电压曲线；最后将输入频率为时，某一扫描电压点对应的测试电容值和实际电容值带入串联电阻的公式，即可得到串联电阻的值。本发明计算方法中模型参数选取较灵活，可以选择积累区与耗尽区区间中的任意C-V测试数据离散点计算串联电阻；也无需考虑电路中器件的结构参数，弥补了传统计算方法中对氧化层电容存在估算误差的缺陷，适用范围广泛。
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公开(公告)号：CN104022112A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410312125.8
申请日：2014-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种栅接地金属氧化物半导体晶体管静电防护结构，包括P型半导体衬底，其上设有P型接触区、源区及漏区，源区及漏区位于P型接触区内且源区和漏区以叉指结构交替分布在P型半导体衬底的表面，在源区和漏区之间区域的正上方设有多晶硅栅极，在源区和多晶硅栅极之间及漏区和多晶硅栅极之间都设有轻掺杂漏区，在源区与P型接触区之间设有N型区，在P型接触区与N型区之间及N型区与源区外侧之间均设有场氧化层且场氧化层位于P型半导体衬底的表面，在P型接触区、源区、轻掺杂漏区、漏区、场氧化层及多晶硅栅极上方设有氧化层，P型半导体衬底由衬底电极引出，源区由金属源电极引出，漏区和N型区均由金属漏电极引出。该结构可以在更小的面积开销下达到更强的静电释放能力。
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