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公开(公告)号：CN118198141A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410320981.1
申请日：2024-03-20
Applicant: 绍兴文理学院
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供一种日盲紫外薄膜场效应晶体管及其制备方法。所述日盲紫外薄膜场效应晶体管包括依次层叠设置的Si衬底、Er2O3介质层和Ga2O3薄膜，所述Ga2O3薄膜中掺杂有Zn，所述Ga2O3薄膜的表面设有金属源电极和金属漏电极，所述Si衬底的背面设有金属栅电极。提供的日盲紫外薄膜场效应晶体管，通过采用Er2O3介质层代替传统的SiO2介质薄膜，提高场效应晶体管的栅控性能，减少漏电流；在Er2O3介质层表面沉积Ga2O3薄膜，可以大幅度的提升Ga2O3薄膜的结晶性能，降低暗电流；此外，通过Zn掺杂补偿Ga2O3薄膜在制备过程中产生的n型载流子，进一步降低场效应晶体管的暗电流。制备得到的日盲紫外薄膜场效应晶体管，具有优异的日盲紫外线探测能力，并且制备方法简单，生产成本低。
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公开(公告)号：CN111118449A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911388696.9
申请日：2019-12-30
Applicant: 绍兴文理学院
Abstract: 本发明提供一种表面等离子体纳米复合材料及其制备方法，包括基体材料，在基体材料表面溅射沉积金属钛薄膜，在金属钛薄膜表面溅射沉积铝铜合金薄膜，采用四氯化碳气相刻蚀的方法去除铝铜合金薄膜中的金属铝得到纳米多孔铜薄膜，在纳米多孔铜薄膜表面溅射沉积氮化钛薄膜，本发明提供了一种表面等离子体纳米复合材料及其制备方法，其目的在于克服现有技术中的成本高的缺陷，其制备方法简单、成本低、与硅气相工艺兼容。
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公开(公告)号：CN106229372B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610836245.7
申请日：2016-09-21
Applicant: 绍兴文理学院
IPC: H01L31/055 , G02B6/122
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 本发明涉及一种氧化镱光子晶体选择性辐射器，属于热辐射技术领域，包括基体材料和沉积在基体材料上的氧化镱薄膜，基体材料为碳化硅，氧化镱薄膜表面通过光刻刻蚀出周期性孔洞整列，形成二维光子晶体。本发明具有优异的选择性红外辐射特性，可以大幅提高热光伏系统的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN104659195A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410813263.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 绍兴文理学院
Abstract: 本发明公开了一种反射式白光LED光源，其特征在于：包括可透光基板、蓝光LED、反射镜、黄色荧光粉层，所述反射镜内表面涂覆所述黄色荧光粉层，所述基板上设置所述蓝光LED，所述基板的上方架置所述反射镜。本发明使用可透光的网状或十字基板不仅减少了基板材料的使用，降低成本，由反射面过来的光线可直接通过基板未遮挡部分射出，从而极大地简化了反射光学系统。将荧光粉远离LED，涂覆于反射面上，使得热源分散，LED取光效率大幅提高，并有利于获得均匀、柔和的漫反射白光。
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公开(公告)号：CN107104162B
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201710370878.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 绍兴文理学院
IPC: H01L31/054 , H01L31/055
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107104162A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710370878.8
申请日：2017-05-23
Applicant: 绍兴文理学院
IPC: H01L31/054 , H01L31/055
CPC classification number: Y02E10/52 , H01L31/054 , H01L31/055
Abstract: 本发明提供了一种选择性红外辐射器，包括基体材料硅、沉积在基体材料上的氧化铒厚膜以及沉积在氧化铒厚膜上的一维Si/Er2O3光子晶体。其中，一维Si/Er2O3光子晶体由交替沉积在氧化铒厚膜上的硅薄膜和氧化铒薄膜两种介质材料。本发明提供的选择性红外辐射器可获得极窄的选择性红外辐射光谱，从而大幅提高TPV系统的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106928303A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710199670.4
申请日：2017-03-30
Applicant: 绍兴文理学院
IPC: C07J1/00 , A61K31/5685 , A61P35/00
CPC classification number: C07J1/0011
Abstract: 本发明涉及一种螺环化合物及其制备方法和应用，属于甾族化合物技术领域。以该螺环化合物I及其水合物作为活性成分，并配以前药、药学上可接受的盐或药学上可接受的载体形成药物组合物。将发明应用于抗肿瘤等领域，具有较强的抑制癌细胞的能力，为研制新的抗肿瘤药物提供了先导化合物。
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公开(公告)号：CN109870862A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910178621.1
申请日：2019-03-11
Applicant: 绍兴文理学院
IPC: G02F1/1523 , G02F1/153 , G02F1/155 , B82Y10/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种平面显示器件，包括透明衬底，透明衬底上设有由三个电致变色器件为一组的电致变色器件阵列，电致变色器件上设有有源矩阵控制阵列，电致变色器件包括透明导电薄膜，透明导电薄膜上沉积有一层下透明介质，下透明介质上沉积有一层纳米金属阵列，纳米金属阵列上沉积有一层上透明介质，上透明介质和透明导电薄膜上分别设有上金属电极和下金属电极，上金属电极和下金属电极与有源矩阵控制阵列上的控制单元连接，三个电致变色器件中的纳米金属阵列的金属纳米颗粒大小均不相同，单个电致变色器件中的金属纳米颗粒大小相同，上透明介质的厚度大于下透明介质的厚度，本发明提供了一种结构简单、能耗低、刷新速度快的平面显示器件。
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公开(公告)号：CN108511583A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810535024.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 绍兴文理学院
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明属于照明技术领域，具体涉及一种白光LED及其制备方法，包括碳化硅衬底、近紫外发光二极管、铕掺杂硅碳氧层及两个金属电极，所述碳化硅衬底上表面设置有铕掺杂硅碳氧层和金属电极，且金属电极位于铕掺杂硅碳氧层正中心，所述碳化硅衬底下表面设置有近紫外发光二极管，所述近紫外发光二极管下表面设置有金属电极。本发明解决了现有白光LED技术中需要专门生产荧光粉并涂覆的问题，简化了白光LED生产工艺，实现高效白光照明。
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公开(公告)号：CN104851956B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201510184893.4
申请日：2015-04-20
Applicant: 绍兴文理学院
Abstract: 本发明涉及一种近紫外激发白光LED光源，其包括六面筒状基板、近紫外LED芯片、圆筒状透明壳体、二氧化钛膜、荧光粉层以及高反射器壁；其中，所述近紫外LED芯片封装于六面筒状基板上；所述圆筒状透明壳体套设在六面筒状基板外，其内壁依次涂有所述二氧化钛膜层和荧光粉层；所述高反射器壁设置在圆筒状透明壳体和六面筒状基板之间的上下两端。本发明的近紫外激发白光LED光源充分利用了各种散热手段，可有效降低芯片结温，并可获得柔和的立体光源照明效果。
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