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公开(公告)号：CN118198141A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410320981.1
申请日：2024-03-20
Applicant: 绍兴文理学院
IPC: H01L29/786 , H01L29/66 , H01L29/51
Abstract: 本发明提供一种日盲紫外薄膜场效应晶体管及其制备方法。所述日盲紫外薄膜场效应晶体管包括依次层叠设置的Si衬底、Er2O3介质层和Ga2O3薄膜，所述Ga2O3薄膜中掺杂有Zn，所述Ga2O3薄膜的表面设有金属源电极和金属漏电极，所述Si衬底的背面设有金属栅电极。提供的日盲紫外薄膜场效应晶体管，通过采用Er2O3介质层代替传统的SiO2介质薄膜，提高场效应晶体管的栅控性能，减少漏电流；在Er2O3介质层表面沉积Ga2O3薄膜，可以大幅度的提升Ga2O3薄膜的结晶性能，降低暗电流；此外，通过Zn掺杂补偿Ga2O3薄膜在制备过程中产生的n型载流子，进一步降低场效应晶体管的暗电流。制备得到的日盲紫外薄膜场效应晶体管，具有优异的日盲紫外线探测能力，并且制备方法简单，生产成本低。
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