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公开(公告)号：CN115148625B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210042336.9
申请日：2022-01-14
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供一种基板处理装置以及基板处理设备，能够消减物体间接触时产生的冲击引起的受损及颗粒。根据本发明的实施例的基板处理装置包括：工艺腔室，包括彼此结合而在内部形成处理空间的第一主体和第二主体；夹紧部件，夹紧所述第一主体和所述第二主体；以及防摩擦部件，安装于在所述夹紧部件针对所述第一主体或者所述第二主体所接触的接触区域形成的沟槽中。根据本发明的实施例的基板处理装置具备安装于在第一主体以及第二主体和锁止部件所接触的接触区域形成的沟槽中的防摩擦部件，从而能够消减接触时产生的冲击引起的受损及颗粒。
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公开(公告)号：CN118073230A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311578180.7
申请日：2023-11-23
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明构思提供了一种用于处理基板的装置和方法。该基板处理装置包括：处理模块，该处理模块具有用于送入和取出基板的开口，且该处理模块彼此堆叠；以及气流产生构件，该气流产生构件用于在各处理模块处产生向下气流，并且其中，气流产生构件包括：盘状单元，该盘状单元配置为供应空气；喷洒单元，该喷洒单元配置为设置在处理模块的顶部/上方，并且喷洒单元喷洒从盘状单元供应的空气；以及排放单元，该排放单元配置为将由喷洒单元喷洒的空气排放到处理模块的外部。
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公开(公告)号：CN116364582A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211658649.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供一种处理基板的基板处理方法，该基板包括多个单元，该基板处理方法包括：将处理液供应到该基板的液体处理操作；以及通过供应该处理液并且将激光照射到特定区域来加热该基板的加热操作，该特定区域位于设置了该多个单元的区域之外，其中，当从顶部观察时，该激光被形成为覆盖该特定区域。
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公开(公告)号：CN117198919A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202210613521.9
申请日：2022-05-31
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明构思提供了一种用于处理基板的装置。具体地，该基板处理装置包括：腔室，在腔室中具有处理空间；基板支承单元，该基板支承单元配置为在处理空间中支承基板；流体供应单元，该流体供应单元配置为将处于超临界状态的流体供应至处理空间，其中流体供应单元包括：供应管线，该供应管线设置在腔室的顶壁处；排放单元，该排放单元安装在腔室的顶壁处、且配置为将流体排放至基板，其中排放单元包括：本体，该本体具有用于流体的排放流体通道；喷嘴板，该喷嘴板设置在本体的排放端处；以及阻挡板，该阻挡板在排放流体通道内、且与喷嘴板间隔开。
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公开(公告)号：CN116414008A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211524753.3
申请日：2022-11-30
Applicant: 细美事有限公司
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：壳体，所述壳体具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元被配置为在所述处理空间处支撑并旋转基板；液体供应单元，所述液体供应单元被配置为将液体供应到支撑在所述支撑单元上的基板；后处理单元，所述后处理单元被配置为对支撑在所述支撑单元上的所述基板执行后处理；以及监控单元，所述监控单元被配置为检查由供应到所述基板上的所述液体形成的液膜的状态。
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公开(公告)号：CN116382028A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310004530.2
申请日：2023-01-03
Applicant: 细美事有限公司
IPC: G03F1/80 , H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/027
Abstract: 本发明构思提供一种基板处理装置。基板处理装置包括支承单元，其配置为旋转并支承基板；液体供应单元，其配置为将液体供应至支承于支承单元上的基板；及光学模块，用于加热支承于支承单元上的基板，且其中支承单元包括示教构件，示教构件具有显示与支承单元的中心匹配的参考点的栅格。
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公开(公告)号：CN116364576A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202210917317.6
申请日：2022-08-01
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理设备，包括：在处理空间中支撑和旋转所述基板的支撑单元；将液体供应到由所述支撑单元支撑的所述基板的液体供应单元；以及将光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板的照射模块，其中所述照射模块包括：具有容纳空间的外壳；激光单元，其位于所述容纳空间中并且包括照射激光的激光照射单元，以及照射端，所述照射端具有从所述外壳突出的一个端部并且将从所述激光照射单元照射的所述激光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板；以及冷却单元，其位于所述容纳空间中并冷却所述激光照射单元。
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公开(公告)号：CN115939007A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211073625.1
申请日：2022-09-02
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。本发明构思提供了一种掩模处理装置。该掩模处理装置包括支承单元，该支承单元被配置成支承并旋转掩模，该掩模在其多个单元内具有第一图案并且在该多个单元的区域之外具有第二图案；以及加热单元，该加热单元具有激光照射器，该激光照射器用于将激光照射到支承在该支承单元上的该掩模的特定区域；以及控制器，该控制器被配置成控制该支承单元和该加热单元，并且其中该支承单元包括：支承部，该支承部用于支承该掩模；以及移动台部，该移动台部被配置成移动该支承部的位置，并且其中该控制器控制该移动台部，从而改变支承在该支承部上的该掩模的位置，使得该第二图案被定位在该特定区域处。
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公开(公告)号：CN117253817A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210657317.7
申请日：2022-06-10
Applicant: 细美事有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明构思提供了一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括：高压腔室，该高压腔室配置为形成用于在其中执行超临界处理工艺的处理空间；基板支承单元，该基板支承单元配置为在处理空间处支承基板；流体供应单元，该流体供应单元配置为将处理流体供应至处理空间；以及排出单元，该排出单元配置为排出处理空间的气氛，并且其中流体供应单元包括盖板，该盖板与由基板支承单元支承的基板的处理表面相对，并且具有用于将处理流体供应至处理表面的供应孔。
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