-
公开(公告)号：CN102420387B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
-
公开(公告)号：CN101640374B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910160685.5
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
-
公开(公告)号：CN101640374A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910160685.5
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
-
公开(公告)号：CN102403650B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
-
公开(公告)号：CN102420387A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403650A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
-
公开(公告)号：CN101847826B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201010138524.9
申请日：2010-03-19
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/0625 , H01S5/042
CPC classification number: H01S5/0625 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0658 , H01S5/14 , H01S5/22 , H01S5/3216 , H01S5/34333
Abstract: 本发明涉及二分型半导体激光元件及其制造方法、以及其驱动方法。该半导体激光元件可以准确、可靠并容易地形成通过分离槽被分离的第二电极和脊结构。二分型半导体激光元件的制造方法包括以下各工序：(A)在形成第一化合物半导体层(30)、构成发光区域(41)和可饱和吸收区域(42)的化合物半导体层(40)、以及第二化合物半导体层(50)之后，(B)在第二化合物半导体层(50)上形成带状的第二电极(62)，(C)接下来，将第二电极(62)作为蚀刻用掩膜，至少对第二化合物半导体层(50)的一部分进行蚀刻，形成脊结构，(D)然后，以湿蚀刻法在第二电极(62)上形成分离槽(62C)，并且通过分离槽将第二电极分离成第一部分(62A)和第二部分(62B)。
-
公开(公告)号：CN102629732A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210020425.X
申请日：2012-01-29
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0657 , H01S5/141 , H01S5/342 , H01S5/34333 , H01S5/4006 , H01S5/50 , H01S2301/176
Abstract: 本申请提供了一种具有阻止制造成本的增加与成品率和可靠性的减小的结构和构造并包括倾斜波导的次载具、次载具组件和次载具装配方法。具有第一表面并允许包括波导的半导体发光元件固定在第一表面上的次载具，波导具有相对于半导体发光元件的光入射/出射端面的法线倾斜θWG(度)的轴线，并由具有折射率nLE的半导体材料制成，次载具包括：第一表面上的熔接材料层；以及形成于熔接材料层中的对准标记，允许以角度θSM＝sin-1[nLE·sin(θWG)/n0]识别对准标记，其中，半导体发光元件的光入射/出射端面的外部附近的透光介质的折射率是n0。
-
公开(公告)号：CN102629732B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201210020425.X
申请日：2012-01-29
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/0265 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/0657 , H01S5/141 , H01S5/342 , H01S5/34333 , H01S5/4006 , H01S5/50 , H01S2301/176
Abstract: 本申请提供了一种具有阻止制造成本的增加与成品率和可靠性的减小的结构和构造并包括倾斜波导的次载具、次载具组件和次载具装配方法。具有第一表面并允许包括波导的半导体发光元件固定在第一表面上的次载具，波导具有相对于半导体发光元件的光入射/出射端面的法线倾斜θWG(度)的轴线，并由具有折射率nLE的半导体材料制成，次载具包括：第一表面上的熔接材料层；以及形成于熔接材料层中的对准标记，允许以角度θSM＝sin‑1[nLE·sin(θWG)/n0]识别对准标记，其中，半导体发光元件的光入射/出射端面的外部附近的透光介质的折射率是n0。
-
公开(公告)号：CN102315590B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110185441.X
申请日：2011-06-30
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/1064 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0657 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S5/50
Abstract: 本发明提供了一种半导体光放大器，其包括：层叠结构，该层叠结构依次包括由GaN化合物半导体构成并且具有第一导电类型的第一化合物半导体层、具有由GaN化合物半导体构成的光放大区的第三化合物半导体层以及由GaN化合物半导体构成并且具有第二导电类型的第二化合物半导体层；第二电极，其形成于第二化合物半导体层上；以及第一电极，其电连接于第一化合物半导体层。所述层叠结构具有脊状条纹结构。当在光出射端面中的脊状条纹结构以及在光入射端面中的脊状条纹结构的各宽度分别为Wout和Win时，则满足Wout＞Win。从光出射端面起，沿半导体光放大器的轴线而在层叠结构的内部区域中设置载流子非注入区。本发明可获得更大的光输出，并且使输出的激光变得稳定。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.21 seconds)
