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公开(公告)号：CN102403650A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN102403650B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110369269.3
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/062
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN102420387A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101635434A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910159940.4
申请日：2009-07-23
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/0658 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0652 , H01S5/1064 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种能够进行自脉动工作，并能够充分地减少激光的相干性并稳定地获取低噪声激光的激光二极管。该激光二极管包括：在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振器长度方向延伸的包括至少一个激光器条的激光器芯片，其中所述激光器条沿谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸收区，且可饱和吸收区中的激光器条的宽度大于增益区中的激光器条的宽度。
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公开(公告)号：CN102420387B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110358564.9
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101640374B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200910160685.5
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN101635434B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200910159940.4
申请日：2009-07-23
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/0658 , H01S5/0425 , H01S5/0602 , H01S5/0652 , H01S5/1064 , H01S5/22 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种能够进行自脉动工作，并能够充分地减少激光的相干性并稳定地获取低噪声激光的激光二极管。该激光二极管包括：在彼此相向的第一端面与第二端面之间沿谐振器长度方向延伸的包括至少一个激光器条的激光器芯片，其中所述激光器条沿谐振器长度方向包括增益区与可饱和吸收区，且可饱和吸收区中的激光器条的宽度大于增益区中的激光器条的宽度。
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公开(公告)号：CN101640374A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910160685.5
申请日：2009-07-29
Applicant: 索尼株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/06216 , H01S5/0428
Abstract: 本发明提供一种具有简单结构和配置的超短脉冲/超高功率激光二极管的驱动方法。在驱动该激光二极管的方法中，通过比阈值电流值高10倍以上的脉冲电流驱动该激光二极管。该脉冲电流的宽度优选地为10纳秒以下，并且该脉冲电流的值具体地为0.4安以上。
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公开(公告)号：CN102684067B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210062338.0
申请日：2012-03-09
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01S5/0602 , B82Y20/00 , H01S5/0425 , H01S5/0625 , H01S5/1064 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/166
Abstract: 本发明涉及激光二极管元件组件及其驱动方法。一种激光二极管元件组件包括：激光二极管元件；以及光反射器，其中，激光二极管元件包括(a)层压结构体，所述层压结构体通过顺序层压由GaN基化合物半导体制成的第一导电型第一化合物半导体层，由GaN基化合物半导体制成且包括发光区域的第三化合物半导体层，以及由GaN基化合物半导体制成的第二导电型第二化合物半导体层而构成，第二导电型与第一导电型不同，(b)第二电极，形成在第二化合物半导体层上，(c)第一电极，电连接至第一化合物半导体层，层压结构体包括脊条形结构，脊条形结构的最小宽度Wmin和最大宽度Wmax满足1＜Wmax/Wmin＜3.3或6≤Wmax/Wmin≤13.3。
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公开(公告)号：CN102195232B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201110045868.X
申请日：2011-02-24
Applicant: 索尼公司 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种锁模半导体激光器件及其驱动方法，所述锁模半导体激光器件包括：层压结构，其中，逐次地层压第一化合物半导体层、具有发光区域的第三化合物半导体层和第二化合物半导体层，以及第二电极和第一电极；其中，层压结构形成在具有极性的化合物半导体基板上，第三化合物半导体层包括具有势阱层和势垒层的量子阱结构，势阱层具有1nm以上且10nm以下的深度，势垒层具有2×1018cm-3以上且1×1020cm-3以下的掺杂浓度，以及使电流从第二电极经由层压结构流至第一电极，而在发光区域中生成光脉冲。
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