制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示单元

    公开(公告)号:CN101764064B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN200910266363.9

    申请日:2009-12-24

    Abstract: 本发明提供了一种可以能简化步骤的制作薄膜晶体管的方法。该制作薄膜晶体管的方法包括以下步骤:在衬底上顺序形成栅电极和栅极绝缘膜;按照一定形状在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜,所述氧化物半导体膜包括预定的沟道形成区域、预定的源电极形成区域和预定的漏电极形成区域,使得整个氧化物半导体膜的载流子密度和预定的沟道形成区域的载流子密度相同;在所述预定的沟道形成区域形成抑制热传输的掩膜;以及在空气中加热所述氧化物半导体膜,以使所述氧化物半导体膜上没有被所述掩膜覆盖的区域获得比预定的沟道形成区域的载流子密度更高的载流子密度。

    制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示单元

    公开(公告)号:CN101764064A

    公开(公告)日:2010-06-30

    申请号:CN200910266363.9

    申请日:2009-12-24

    Abstract: 本发明提供了一种可以能简化步骤的制作薄膜晶体管的方法。该制作薄膜晶体管的方法包括以下步骤:在衬底上顺序形成栅电极和栅极绝缘膜;按照一定形状在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜,所述氧化物半导体膜包括预定的沟道形成区域、预定的源电极形成区域和预定的漏电极形成区域,使得整个氧化物半导体膜的载流子密度和预定的沟道形成区域的载流子密度相同;在所述预定的沟道形成区域形成抑制热传输的掩膜;以及在空气中加热所述氧化物半导体膜,以使所述氧化物半导体膜上没有被所述掩膜覆盖的区域获得比预定的沟道形成区域的载流子密度更高的载流子密度。

    电润湿装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN101606085A

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200880004732.0

    申请日:2008-02-04

    CPC classification number: G02B26/005 G02B3/14

    Abstract: 本发明公开了一种电润湿装置及其制造方法。根据本发明的电润湿装置(10)可以防止由于高介电常数薄膜的使用而导致的耐压特性的劣化,从而确保具有高可靠性的绝缘结构;并且包括导电性的第一液体(11)、绝缘性的第二液体(12)、限定用于在其中容纳第一和第二液体的液体室(18)的透明基板(14)和盖体(15)、在透明基板(14)的液体室(18)侧的表面上形成的电极层(16)以及在电极层的表面上形成的绝缘层(17)。绝缘层(17)具有由绝缘无机结晶材料制成的第一绝缘膜(17a)和由绝缘无机非晶材料制成的第二绝缘膜(17b)的层压结构,其使得第一绝缘膜(17a)表面的凹凸通过第二绝缘膜(17b)得到缓和,因此可以实现低电压驱动。结果,可以获得耐压强度良好的高可靠性绝缘层。

    透明多层膜及其制造方法以及液体透镜

    公开(公告)号:CN101495303A

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200780027930.4

    申请日:2007-05-25

    CPC classification number: G02B3/14 C23C14/086 G02B26/005 Y10T428/265

    Abstract: 公开了一种制造透明多层膜的方法,该方法使得能够容易地形成透明多层膜而不改变靶材。还公开了一种通过此种方法形成的透明多层膜,以及使用此种透明多层膜的液体透镜。具体地,通过在不存在反应气体或存在反应气体的情形下使用溅射气体溅射由包含Al2O3、Ga2O3和SiO2之一的ZnO制成的靶(3)而在基底上形成透明导电膜,随后通过在存在反应气体的情形下使用溅射气体溅射靶而在透明导电膜上形成透明绝缘膜,从而形成透明多层膜。

Patent Agency Ranking