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公开(公告)号：CN115084996B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210235466.4
申请日：2022-03-11
IPC: H01S5/02315 , H01S5/02345 , H01S5/0239
Abstract: 本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流的泄漏的发光装置。一种发光装置，包括：基板；以及层叠体，设置于基板，且具有多个柱状部，柱状部具有：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，与第一导电型不同；以及发光层，设置于第一半导体层与第二半导体层之间，第一半导体层设置于基板与发光层之间，发光层具有c面以及小平面，第二半导体层设置于c面及小平面，第一半导体层具有第一部分、以及径小于第一部分的第二部分，第二部分设置于基板与第一部分之间，在从第一半导体层与发光层的层叠方向俯视下，c面与第二部分重叠，c面的径小于第二部分的径。
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公开(公告)号：CN115084996A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210235466.4
申请日：2022-03-11
IPC: H01S5/02315 , H01S5/02345 , H01S5/0239
Abstract: 本发明提供一种可减少第一半导体层与第二半导体层之间的电流的泄漏的发光装置。一种发光装置，包括：基板；以及层叠体，设置于基板，且具有多个柱状部，柱状部具有：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，与第一导电型不同；以及发光层，设置于第一半导体层与第二半导体层之间，第一半导体层设置于基板与发光层之间，发光层具有c面以及小平面，第二半导体层设置于c面及小平面，第一半导体层具有第一部分、以及径小于第一部分的第二部分，第二部分设置于基板与第一部分之间，在从第一半导体层与发光层的层叠方向俯视下，c面与第二部分重叠，c面的径小于第二部分的径。
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公开(公告)号：CN104576672A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410538767.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 工藤学
IPC: H01L27/146 , G01T1/20
CPC classification number: H01L31/1055 , G06K9/0004 , G06K9/2018 , H01L27/1446 , H01L27/14609 , H01L27/14692 , H01L31/022408 , H01L31/035281 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种比以往更能抑制漏电流的半导体装置及其制造方法。半导体装置(22)具有：配置于下部电极(47)上，通过第一界面(49)与下部电极(47)接触，并具有一种多数载流子的第一载流子保有层(48)；以及配置在第一载流子保有层(48)上并区划出形成与第一载流子保有层(48)导通的导通路径的第二界面(58)，且具有另一种多数载流子的第二载流子保有层(57)。在从垂直于基板表面的方向观察到的俯视观察中，第一界面(49)在第一载流子保有层(48)的轮廓的内侧具有轮廓，在该俯视观察中，第二界面(58)在第一载流子保有层(48)的轮廓的内侧具有轮廓。
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公开(公告)号：CN107039474B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201611150933.4
申请日：2016-12-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 工藤学
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置，在形成光电转换元件的半导体层的工序中，降低电极的导电材料附着于半导体层的可能性。一种光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具备半导体层，所述光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖所述电极的绝缘层的工序；在所述绝缘层中俯视下与所述电极重叠的区域形成开口的工序；在所述绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过所述覆盖层的图案化来形成所述半导体层的工序，在形成所述半导体层的工序中，以所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处的方式，形成所述半导体层。
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公开(公告)号：CN1577796A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410042921.0
申请日：2004-05-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/477 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 提供一扫会在减小中间存在着层间绝缘膜地叠层起来的布线间的寄生电容时产生的缺憾，构成简便而且可靠性高的电子器件。本发明的电子器件，具备在衬底10上形成的半导体层22，在该半导体层22上形成的栅绝缘层31，在该栅绝缘层31上形成的规定图形的栅电极32，把该栅电极上覆盖起来地形成的层间绝缘膜33，在该层间绝缘膜33上形成的源电极36和漏电极37，其特征在于：层间绝缘膜33的构成为以氮浓度在2原子％以上的氮氧化硅为主体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679847B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201510857641.3
申请日：2015-11-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 工藤学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备，其中，光电转换装置具有高光敏度且可靠性高，光电转换装置的制造方法能够稳定地制造该光电转换装置。作为光电转换装置的图像传感器(100)，其特征在于，具备：下部电极(21)，包含高熔点金属；上部电极(25)，配置在下部电极(21)的上层；p型半导体层(23)和n型半导体层(24)，配置在下部电极(21)与上部电极(25)之间；以及中继电极(26)，包含高熔点金属，下部电极(21)和中继电极(26)形成于同一层，在下部电极(21)上形成有高熔点金属的硒化膜、即中间层(22)。
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公开(公告)号：CN104576672B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201410538767.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 工藤学
IPC: H01L27/146 , G01T1/20
Abstract: 本发明提供一种比以往更能抑制漏电流的半导体装置及其制造方法。半导体装置(22)具有：配置于下部电极(47)上，通过第一界面(49)与下部电极(47)接触，并具有一种多数载流子的第一载流子保有层(48)；以及配置在第一载流子保有层(48)上并区划出形成与第一载流子保有层(48)导通的导通路径的第二界面(58)，且具有另一种多数载流子的第二载流子保有层(57)。在从垂直于基板表面的方向观察到的俯视观察中，第一界面(49)在第一载流子保有层(48)的轮廓的内侧具有轮廓，在该俯视观察中，第二界面(58)在第一载流子保有层(48)的轮廓的内侧具有轮廓。
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公开(公告)号：CN108878538A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810320586.8
申请日：2018-04-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 工藤学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种即使设置栅电极等金属膜也会使基板的翘曲得到抑制的半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具备：基板(3)；薄膜晶体管(2)；以及绝缘膜(7)，其位于基板(3)与薄膜晶体管(2)之间，绝缘膜(7)具有第一氧化硅膜(4)、被形成在第一氧化硅膜(4)上的氮化硅膜(5)以及被形成在氮化硅膜(5)上的第二氧化硅膜(6)，第一氧化硅膜(4)的氮浓度与第二氧化硅膜(6)的氮浓度相比而较低。
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公开(公告)号：CN107039474A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611150933.4
申请日：2016-12-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 工藤学
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14623 , H01L27/14629 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L31/022475 , H01L31/02327 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , H01L27/14683 , H01L27/14643
Abstract: 一种光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置，在形成光电转换元件的半导体层的工序中，降低电极的导电材料附着于半导体层的可能性。一种光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具备半导体层，所述光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖所述电极的绝缘层的工序；在所述绝缘层中俯视下与所述电极重叠的区域形成开口的工序；在所述绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过所述覆盖层的图案化来形成所述半导体层的工序，在形成所述半导体层的工序中，以所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处的方式，形成所述半导体层。
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公开(公告)号：CN105679847A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510857641.3
申请日：2015-11-30
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 工藤学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备，其中，光电转换装置具有高光敏度且可靠性高，光电转换装置的制造方法能够稳定地制造该光电转换装置。作为光电转换装置的图像传感器(100)，其特征在于，具备：下部电极(21)，包含高熔点金属；上部电极(25)，配置在下部电极(21)的上层；p型半导体层(23)和n型半导体层(24)，配置在下部电极(21)与上部电极(25)之间；以及中继电极(26)，包含高熔点金属，下部电极(21)和中继电极(26)形成于同一层，在下部电极(21)上形成有高熔点金属的硒化膜、即中间层(22)。
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