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公开(公告)号：CN1577796A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410042921.0
申请日：2004-05-27
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/477 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 提供一扫会在减小中间存在着层间绝缘膜地叠层起来的布线间的寄生电容时产生的缺憾，构成简便而且可靠性高的电子器件。本发明的电子器件，具备在衬底10上形成的半导体层22，在该半导体层22上形成的栅绝缘层31，在该栅绝缘层31上形成的规定图形的栅电极32，把该栅电极上覆盖起来地形成的层间绝缘膜33，在该层间绝缘膜33上形成的源电极36和漏电极37，其特征在于：层间绝缘膜33的构成为以氮浓度在2原子％以上的氮氧化硅为主体。
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