公开(公告)号：CN1655377A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510003698.3

申请日：2005-01-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川濑健夫 ,  守谷壮一 ,  原田光明

IPC: H01L51/20 ,  H01L51/40 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管、布线基板、显示装置以及电子设备。本发明的薄膜晶体管备有源电极(3)和漏电极(4)、以接触该源电极(3)和漏电极(4)的方式设置的有机半导体层(5)、以接触到该半导体层(5)的方式设置的栅极绝缘层(6)、经由该栅极绝缘层(6)而相对所述源电极(3)和漏电极(4)处于绝缘状态的栅电极(7)；而且，该栅电极(7)、所述源电极(3)以及漏电极(4)中的至少一个，由主要由导电性材料构成的多孔膜构成。由此，本发明能够提供一种即使在高温多湿的环境中暴露了之后，也能维持高的特性的薄膜晶体管、配置有该薄膜晶体管的布线基板、显示装置以及电子设备。

公开(公告)号：CN100580973C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200510003698.3

申请日：2005-01-06

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川濑健夫 ,  守谷壮一 ,  原田光明

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L51/0022 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管、布线基板、显示装置以及电子设备。本发明的薄膜晶体管备有源电极(3)和漏电极(4)、以接触该源电极(3)和漏电极(4)的方式设置的有机半导体层(5)、以接触到该半导体层(5)的方式设置的栅极绝缘层(6)、经由该栅极绝缘层(6)而相对所述源电极(3)和漏电极(4)处于绝缘状态的栅电极(7)；而且，该栅电极(7)、所述源电极(3)以及漏电极(4)中的至少一个，由主要由导电性材料构成的多孔膜构成。由此，本发明能够提供一种即使在高温多湿的环境中暴露了之后，也能维持高的特性的薄膜晶体管、配置有该薄膜晶体管的布线基板、显示装置以及电子设备。

公开(公告)号：CN100394558C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200510074086.3

申请日：2005-05-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 原田光明 ,  守谷壮一

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/167 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0289 ,  H05K3/002 ,  H05K3/005 ,  H05K3/4069 ,  H05K2203/0126 ,  H05K2203/0221 ,  H05K2203/0783 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种接触孔的形成方法、电路基板的制造方法及电光学装置的制造方法。本发明的方法，在具备基板(20)、在基板(20)上设置的第一电极(34b)、在第一电极(34b)上设置的层间膜(32)、和在层间膜(32)上设置的第二电极(34)的电路基板(10)上，被埋入层间膜(32)的接触孔(H)内、使第一电极(34b)与第二电极(34)导通的、由导电性材料构成的导电部(300)。首先用针(P)一边在层间膜(32)上机械开孔，一边用针(P)所含的溶剂将层间膜(32)化学溶解，形成直达第一电极(34b)的接触孔(H)，在此接触孔(H)内埋入导电性材料形成导电部(300)。

公开(公告)号：CN1585100A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410057835.7

申请日：2004-08-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 守谷壮一 ,  川濑健夫 ,  原田光明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H05B33/26 ,  G06F9/30

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供一种能以低成本制造且空穴注入效率高的电极、并简单地制造这种电极的电极形成方法、可靠性高的薄膜晶体管、使用这种薄膜晶体管的电子电路、有机电致发光元件、显示装置和电子仪器。本发明的薄膜晶体管是顶部栅型薄膜晶体管，其结构中具有互相分离设置的源电极(20a)和漏电极(20b)，位于源电极(20a)和漏电极(20b)之间的有机半导体层(30)，和位于有机半导体层(30)和栅电极(50)之间的栅绝缘层(40)，并进一步搭载在基板(10)上。源电极(20a)和漏电极(20b)分别由基底电极层(21)和表面电极层(22)构成的。表面电极层(22)含有包含Cu、Ni、Co、Ag中至少一种元素的氧化物。

公开(公告)号：CN100416883C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410092597.3

申请日：2004-11-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川濑健夫 ,  原田光明 ,  木村里至 ,  降旗荣道

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L51/0541 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/24 ,  C23C18/31 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供可以用简易的方法制造特性优良的薄膜晶体管的薄膜晶体管的制造方法、通过这种薄膜晶体管的制造方法而制造的薄膜晶体管、以及具备该薄膜晶体管的薄膜晶体管电路、电子器件以及电子设备。本发明的薄膜晶体管的制造方法包括：采用非电解镀在基板(2)上形成源电极和漏电极的第1工序，采用涂敷法至少在源电极(3)和漏电极(4)之间的区域形成有机半导体层(5)的第2工序，采用涂敷法在有机半导体层(5)上形成栅极绝缘层(6)的第3工序，采用涂敷法在栅极绝缘层(6)上以与源电极(3)和漏电极(4)之间的区域重叠的方式而形成栅电极(7)的第4工序。

公开(公告)号：CN1728345A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510074086.3

申请日：2005-05-31

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 原田光明 ,  守谷壮一

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/167 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0289 ,  H05K3/002 ,  H05K3/005 ,  H05K3/4069 ,  H05K2203/0126 ,  H05K2203/0221 ,  H05K2203/0783 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种接触孔的形成方法、电路基板的制造方法及电光学装置的制造方法。本发明的方法，在具备基板(20)、在基板(20)上设置的第一电极(34b)、在第一电极(34b)上设置的层间膜(32)、和在层间膜(32)上设置的第二电极(34)的电路基板(10)上，被埋入层间膜(32)的接触孔(H)内、使第一电极(34b)与第二电极(34)导通的、由导电性材料构成的导电部(300)。首先用针(P)一边在层间膜(32)上机械开孔，一边用针(P)所含的溶剂将层间膜(32)化学溶解，形成直达第一电极(34b)的接触孔(H)，在此接触孔(H)内埋入导电性材料形成导电部(300)。

公开(公告)号：CN101179049A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710165892.0

申请日：2007-11-07

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 守谷壮一 ,  川濑健夫 ,  原田光明 ,  佐伯勇久 ,  奥山智幸 ,  保刈宏文 ,  青木敬

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H05K3/00 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种接触孔的形成方法，包括：在基板上形成作为电极或布线而被图案化的第一导电层的第一工序；在基板和第一导电层上形成绝缘层的第二工序；对电极或布线上的绝缘层，从该绝缘层的面向上方，以5度～80度的范围内的角度插入切削器具的第三工序；从绝缘层抽出切削器具，在该绝缘层形成到达电极或布线的倾斜的开口部的第四工序。由此，提供在使用针等的物理的接触孔的形成中，不易产生导通不良的接触孔的形成方法、使用该方法的电路基板、半导体装置的制造方法。

公开(公告)号：CN1333440C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200410057835.7

申请日：2004-08-18

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 守谷壮一 ,  川濑健夫 ,  原田光明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H05B33/26 ,  G06F9/30

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明提供一种能以低成本制造且空穴注入效率高的电极、并简单地制造这种电极的电极形成方法、可靠性高的薄膜晶体管、使用这种薄膜晶体管的电子电路、有机电致发光元件、显示装置和电子仪器。本发明的薄膜晶体管是顶部栅型薄膜晶体管，其结构中具有互相分离设置的源电极(20a)和漏电极(20b)，位于源电极(20a)和漏电极(20b)之间的有机半导体层(30)，和位于有机半导体层(30)和栅电极(50)之间的栅绝缘层(40)，并进一步搭载在基板(10)上。源电极(20a)和漏电极(20b)分别由基底电极层(21)和表面电极层(22)构成的。表面电极层(22)含有包含Cu、Ni、Co、Ag中至少一种元素的氧化物。

公开(公告)号：CN1619856A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410092597.3

申请日：2004-11-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川濑健夫 ,  原田光明 ,  木村里至 ,  降旗荣道

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/20 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L51/0541 ,  C23C18/1605 ,  C23C18/1893 ,  C23C18/2086 ,  C23C18/24 ,  C23C18/31 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/055 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明提供可以用简易的方法制造特性优良的薄膜晶体管的薄膜晶体管的制造方法、通过这种薄膜晶体管的制造方法而制造的薄膜晶体管、以及具备该薄膜晶体管的薄膜晶体管电路、电子器件以及电子设备。本发明的薄膜晶体管的制造方法包括：采用非电解镀在基板(2)上形成源电极和漏电极的第1工序，采用涂敷法至少在源电极(3)和漏电极(4)之间的区域形成有机半导体层(5)的第2工序，采用涂敷法在有机半导体层(5)上形成栅极绝缘层(6)的第3工序，采用涂敷法在栅极绝缘层(6)上以与源电极(3)和漏电极(4)之间的区域重叠的方式而形成栅电极(7)的第4工序。