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公开(公告)号：CN1156932C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN99810568.6
申请日：1999-12-24
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M6/164 , H01M6/166 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明涉及一种用于电池的、不含水的电解质组合物，它包括氟代苯组份和碳酸酯组份的混合物，其中氟代苯组份和碳酸酯组份的体积比在50∶50～5∶95之间。从电池的低温性能、电池寿命和高温放电能力来看，本发明的不含水的电解质组合物相对于只使用碳酸酯溶剂的电解质组合物具有明显的优点。
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公开(公告)号：CN1317160A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN99810568.6
申请日：1999-12-24
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M6/164 , H01M6/166 , H01M10/0525 , H01M10/0568 , H01M10/0569
Abstract: 本发明涉及一种用于电池的、不含水的电解质组合物，它包括氟代苯组份和碳酸酯组份的混合物，其中氟代苯组份和碳酸酯组份的体积比在50∶50～5∶95之间。从电池的低温性能、电池寿命和高温放电能力来看，本发明的不含水的电解质组合物相对于只使用碳酸酯溶剂的电解质组合物具有明显的优点。
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公开(公告)号：CN1196759C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN00105586.0
申请日：2000-03-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , C01B13/145 , C01B33/1417 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件化学机械抛光(CMP)的金属氧化物浆料的制备方法。在预定的压力下，将水中的金属氧化物悬浮物通过分散室的孔口分散，同时使用两个增压泵使作用于分散室的压力保持恒定，其结果限制或降低了大于或等于1微米的大颗粒的产生。金属氧化物浆料的颗粒尺寸是均匀的，其颗粒尺寸分布范围窄，显示了极好的抛光性能，显著地降低了微划痕出现的几率，适用于超集成半导体器件的CMP方法。
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公开(公告)号：CN101452208B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN200810185741.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/028 , H01L21/82 , H01L27/146
CPC classification number: G03F7/033
Abstract: 本发明提供了一种用于垫片保护层的光敏树脂组合物以及利用该光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。该组合物包括(A)碱溶性树脂、(B)活性不饱和化合物、(C)光引发剂以及(D)溶剂。(A)碱溶性树脂包括这样的共聚物，该共聚物包括5至50wt％的具有以下化学式1的构成单元、1至25wt％的具有以下化学式2的构成单元以及45至90wt％的具有以下化学式3的构成单元，并且提供了一种利用光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。在下述化学式中，R11至R13、R21至R24以及R31至R33与在具体实施方式中所定义的相同。用于垫片保护层的光敏树脂组合物具有良好的图案化和蚀刻性能以及耐化学性，因此可以提供没有下部外敷层的图像传感器，。
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公开(公告)号：CN1113934C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN99126313.8
申请日：1999-12-15
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 公开的是一种用作高折射率、导电率和透明度涂层的聚合物组合物，该组合物含有2-20重%的一种固含量为1.2-1.5重%的聚噻吩基导电聚合物水溶液；0.5-20重%的一种固含量为14-16重%的高折射率无机溶胶溶液；50-97.4重%的一种含有1-3个碳原子的醇；0.1-10重%的一种酰胺溶剂；0.005-0.1重%的可溶于水或醇的树脂粘合剂和0.005-0.05重%的一种含有磺酸基团(SO3H)的单体掺杂剂。该组合物可以用于CRT外玻璃和其它透明的基材，使生成的薄膜具有1.6-2.0的折射率、90-98%的透明度和1×103-1×108Ω/□的表面电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1171963C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN00109525.0
申请日：2000-06-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物，它由Al2O3/SiO2复合体基金属氧化物粉末、去离子水和添加剂组成，所述金属氧化物粉末包括Al2O3/SiO2复合体作为主要组份。本发明抛光组合物具有很高的去除速率，并在抛光后不产生微划痕，适用于器件晶片表面的全面平整化。
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公开(公告)号：CN1113945C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN99800657.2
申请日：1999-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法，其中将含有1～50重%的金属氧化物和50～99重%的水的混合物在一个预混合罐中进行混合，借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流动速度不低于100米/秒，将混合物传输至一个分散室中，并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。本发明的浆料的颗粒具有更窄的颗粒分布，并且显示出30～500纳米的超细颗粒大小。此外，本发明的浆料在其制备的全过程中几乎没有或根本没有污染，并且不表现出尾料现象，从而避免了μ-划痕。因此本发明的浆料可用于通过CMP工艺使浅沟隔离、层间绝缘和中间金属绝缘的平面化。
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公开(公告)号：CN1268967A
公开(公告)日：2000-10-04
申请号：CN99800657.2
申请日：1999-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法,其中将含有1～50重%的金属氧化物和50～99重%的水的混合物在一个预混合罐中进行混合,借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流动速度不低于100米/秒,将混合物传输至一个分散室中,并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。本发明的浆料的颗粒具有更窄的颗粒分布,并且显示出30～500纳米的超细颗粒大小。此外,本发明的浆料在其制备的全过程中几乎没有或根本没有污染,并且不表现出尾料现象,从而避免了μ－划痕。因此本发明的浆料可用于通过CMP工艺使浅沟隔离、层间绝缘和中间金属绝缘的平面化。
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公开(公告)号：CN101452208A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810185741.6
申请日：2008-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/028 , H01L21/82 , H01L27/146
CPC classification number: G03F7/033
Abstract: 本发明提供了一种用于垫片保护层的光敏树脂组合物以及利用该光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。该组合物包括(A)碱溶性树脂、(B)活性不饱和化合物、(C)光引发剂以及(D)溶剂。(A)碱溶性树脂包括这样的共聚物，该共聚物包括5至50wt％的具有以上化学式1的构成单元、1至25wt％的具有以上化学式2的构成单元以及45至90wt％的具有以上化学式3的构成单元，并且提供了一种利用光敏树脂组合物来制造图像传感器的方法。在下述化学式中，R11至R13、R21至R24以及R31至R33与在具体实施方式中所定义的相同。用于垫片保护层的光敏树脂组合物具有良好的图案化和蚀刻性能以及耐化学性，因此可以提供没有下部外敷层的图像传感器。
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