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公开(公告)号：CN1171963C
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN00109525.0
申请日：2000-06-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物，它由Al2O3/SiO2复合体基金属氧化物粉末、去离子水和添加剂组成，所述金属氧化物粉末包括Al2O3/SiO2复合体作为主要组份。本发明抛光组合物具有很高的去除速率，并在抛光后不产生微划痕，适用于器件晶片表面的全面平整化。
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公开(公告)号：CN1113945C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN99800657.2
申请日：1999-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法，其中将含有1～50重%的金属氧化物和50～99重%的水的混合物在一个预混合罐中进行混合，借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流动速度不低于100米/秒，将混合物传输至一个分散室中，并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。本发明的浆料的颗粒具有更窄的颗粒分布，并且显示出30～500纳米的超细颗粒大小。此外，本发明的浆料在其制备的全过程中几乎没有或根本没有污染，并且不表现出尾料现象，从而避免了μ-划痕。因此本发明的浆料可用于通过CMP工艺使浅沟隔离、层间绝缘和中间金属绝缘的平面化。
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公开(公告)号：CN1268967A
公开(公告)日：2000-10-04
申请号：CN99800657.2
申请日：1999-03-19
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法,其中将含有1～50重%的金属氧化物和50～99重%的水的混合物在一个预混合罐中进行混合,借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流动速度不低于100米/秒,将混合物传输至一个分散室中,并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。本发明的浆料的颗粒具有更窄的颗粒分布,并且显示出30～500纳米的超细颗粒大小。此外,本发明的浆料在其制备的全过程中几乎没有或根本没有污染,并且不表现出尾料现象,从而避免了μ－划痕。因此本发明的浆料可用于通过CMP工艺使浅沟隔离、层间绝缘和中间金属绝缘的平面化。
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公开(公告)号：CN1757699A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510079007.8
申请日：2005-06-17
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/304
CPC classification number: C11D3/14 , C09G1/02 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/263 , C11D11/0047 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了一种具有较低化学蚀刻速率和较高机械抛光速率的金属CMP浆料组合物。通过使用较高的机械研磨剂浓度(例如≥8重量％)，并结合足够量的湿润剂，可以实现较高的机械抛光速率，并抑制所抛光的下伏面(例如绝缘层、导电线路等)的微擦痕。所述浆料组合物还包括高度稳定的金属丙二胺四乙酸(M－PDTA)络合物，其可用于抑制金属氧化物重新粘附到所抛光的金属表面上和/或通过与金属表面螯合而抑制金属表面的氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1296049A
公开(公告)日：2001-05-23
申请号：CN00109525.0
申请日：2000-06-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物,它由A12O3/SiO2复合体基金属氧化物粉末、去离子水和添加剂组成,所述金属氧化物粉末包括A12O3/SiO2复合体作为主要组份。本发明抛光组合物具有很高的去除速率,并在抛光后不产生微划痕,适用于器件晶片表面的全面平整化。
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公开(公告)号：CN1285384A
公开(公告)日：2001-02-28
申请号：CN00105586.0
申请日：2000-03-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , C01B13/145 , C01B33/1417 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件化学机械抛光(CMP)的金属氧化物浆料的制备方法。在预定的压力下,将水中的金属氧化物悬浮物通过分散室的孔口分散,同时使用两个增压泵使作用于分散室的压力保持恒定,其结果限制或降低了大于或等于1微米的大颗粒的产生。金属氧化物浆料的颗粒尺寸是均匀的,其颗粒尺寸分布范围窄,显示了极好的抛光性能,显著地降低了微划痕出现的几率,适用于超集成半导体器件的CMP方法。
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公开(公告)号：CN1243370C
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN02815444.4
申请日：2002-08-06
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/3212 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种在制造半导体设备中用于金属布线CMP(化学机械抛光)工艺的组合物，包括过氧化氢、无机酸、丙二胺四乙酸(PDTA)-金属络合物、羧酸、金属氧化物粉末和去离子水，其中PDTA-金属络合物通过防止研磨后的钨氧化物再粘附到抛光后的表面上，在全面改进抛光性能和抛光性能的可重复性方面以及在改进浆液组合物的分散稳定性方面起主要的作用。
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公开(公告)号：CN1196759C
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN00105586.0
申请日：2000-03-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/302
CPC classification number: C09G1/02 , C01B13/145 , C01B33/1417 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C09K3/1463
Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件化学机械抛光(CMP)的金属氧化物浆料的制备方法。在预定的压力下，将水中的金属氧化物悬浮物通过分散室的孔口分散，同时使用两个增压泵使作用于分散室的压力保持恒定，其结果限制或降低了大于或等于1微米的大颗粒的产生。金属氧化物浆料的颗粒尺寸是均匀的，其颗粒尺寸分布范围窄，显示了极好的抛光性能，显著地降低了微划痕出现的几率，适用于超集成半导体器件的CMP方法。
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公开(公告)号：CN100374527C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200510079007.8
申请日：2005-06-17
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09K13/06 , H01L21/304
CPC classification number: C11D3/14 , C09G1/02 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/263 , C11D11/0047 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供了一种具有较低化学蚀刻速率和较高机械抛光速率的金属CMP浆料组合物。通过使用较高的机械研磨剂浓度(例如≥8重量%)，并结合足够量的湿润剂，可以实现较高的机械抛光速率，并抑制所抛光的下伏面(例如绝缘层、导电线路等)的微擦痕。所述浆料组合物还包括高度稳定的金属丙二胺四乙酸(M-PDTA)络合物，其可用于抑制金属氧化物重新粘附到所抛光的金属表面上和/或通过与金属表面螯合而抑制金属表面的氧化。
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