公开(公告)号：CN1196759C

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN00105586.0

申请日：2000-03-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  李在锡 ,  金硕珍 ,  张斗远

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01B13/145 ,  C01B33/1417 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/22 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件化学机械抛光(CMP)的金属氧化物浆料的制备方法。在预定的压力下，将水中的金属氧化物悬浮物通过分散室的孔口分散，同时使用两个增压泵使作用于分散室的压力保持恒定，其结果限制或降低了大于或等于1微米的大颗粒的产生。金属氧化物浆料的颗粒尺寸是均匀的，其颗粒尺寸分布范围窄，显示了极好的抛光性能，显著地降低了微划痕出现的几率，适用于超集成半导体器件的CMP方法。

公开(公告)号：CN1296049A

公开(公告)日：2001-05-23

申请号：CN00109525.0

申请日：2000-06-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  金硕珍 ,  李在锡 ,  张斗远

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物,它由A12O3/SiO2复合体基金属氧化物粉末、去离子水和添加剂组成,所述金属氧化物粉末包括A12O3/SiO2复合体作为主要组份。本发明抛光组合物具有很高的去除速率,并在抛光后不产生微划痕,适用于器件晶片表面的全面平整化。

公开(公告)号：CN1285384A

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN00105586.0

申请日：2000-03-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  李在锡 ,  金硕珍 ,  张斗远

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01B13/145 ,  C01B33/1417 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/22 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件化学机械抛光(CMP)的金属氧化物浆料的制备方法。在预定的压力下,将水中的金属氧化物悬浮物通过分散室的孔口分散,同时使用两个增压泵使作用于分散室的压力保持恒定,其结果限制或降低了大于或等于1微米的大颗粒的产生。金属氧化物浆料的颗粒尺寸是均匀的,其颗粒尺寸分布范围窄,显示了极好的抛光性能,显著地降低了微划痕出现的几率,适用于超集成半导体器件的CMP方法。

公开(公告)号：CN1171963C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN00109525.0

申请日：2000-06-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  金硕珍 ,  李在锡 ,  张斗远

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/3212

Abstract: 本发明涉及一种抛光组合物，它由Al2O3/SiO2复合体基金属氧化物粉末、去离子水和添加剂组成，所述金属氧化物粉末包括Al2O3/SiO2复合体作为主要组份。本发明抛光组合物具有很高的去除速率，并在抛光后不产生微划痕，适用于器件晶片表面的全面平整化。

公开(公告)号：CN1131288C

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN99111114.1

申请日：1999-07-23

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  李在锡 ,  金硕珍 ,  李荣基 ,  张斗远

IPC: C09G1/08

Abstract: 本发明涉及包含30-99wt%的去离子水、0.1-50wt%的金属氧化物粉末和0.01-20wt%的环胺的抛光组合物。该抛光组合物可用于制备集成电路用的薄膜进行化学机械抛光，并具有抛光后在薄膜上留下的微小划痕减至最少的效果。因此它可应用于高度集成电路如浅槽隔离的制备工艺。

公开(公告)号：CN1113945C

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN99800657.2

申请日：1999-03-19

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  李在锡 ,  金硕珍 ,  张斗远

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法，其中将含有1～50重%的金属氧化物和50～99重%的水的混合物在一个预混合罐中进行混合，借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流动速度不低于100米/秒，将混合物传输至一个分散室中，并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。本发明的浆料的颗粒具有更窄的颗粒分布，并且显示出30～500纳米的超细颗粒大小。此外，本发明的浆料在其制备的全过程中几乎没有或根本没有污染，并且不表现出尾料现象，从而避免了μ-划痕。因此本发明的浆料可用于通过CMP工艺使浅沟隔离、层间绝缘和中间金属绝缘的平面化。

公开(公告)号：CN1268967A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN99800657.2

申请日：1999-03-19

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  李在锡 ,  金硕珍 ,  张斗远

IPC: C09G1/02

CPC classification number: C09G1/02 ,  C09K3/1463

Abstract: 本发明公开了一种适用于半导体器件的金属氧化物CMP浆料的制备方法,其中将含有1～50重%的金属氧化物和50～99重%的水的混合物在一个预混合罐中进行混合,借助于一个传输泵通过用高压泵加压以使流动速度不低于100米/秒,将混合物传输至一个分散室中,并在分散室中通过两个孔口进行反方向碰撞分散。本发明的浆料的颗粒具有更窄的颗粒分布,并且显示出30～500纳米的超细颗粒大小。此外,本发明的浆料在其制备的全过程中几乎没有或根本没有污染,并且不表现出尾料现象,从而避免了μ－划痕。因此本发明的浆料可用于通过CMP工艺使浅沟隔离、层间绝缘和中间金属绝缘的平面化。