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公开(公告)号：CN116964461A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280018925.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 使用内嵌缺陷部分平均测试进行半导体自适应测试的系统及方法经配置以：接收来自内嵌缺陷部分平均测试(I‑PAT)系统的多个I‑PAT分数，其中所述多个I‑PAT分数是通过所述I‑PAT系统基于多个半导体裸片的半导体裸片数据而产生，其中所述半导体裸片数据包含所述多个半导体裸片的特性化测量，其中所述多个I‑PAT分数中的每一I‑PAT分数表示通过所述I‑PAT系统基于所述多个半导体裸片中的对应半导体裸片的特性化测量而确定的加权缺陷率；在动态决策过程期间，将一或多个规则应用到所述多个I‑PAT分数；及基于所述动态决策过程来产生所述多个半导体裸片中的至少一个半导体裸片的一或多个自适应测试。
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公开(公告)号：CN116583936B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202180081064.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： D·W·普利斯 , R·J·拉瑟 , C·伦诺克斯 , K·榭曼 , 林璿正 , T·格鲁斯 , M·冯登霍夫 , O·唐泽拉 , N·纳拉辛汗 , B·萨维尔 , J·拉赫 , J·鲁滨逊
IPC: H01L21/66
Abstract: 自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙包含：基于由一或多个半导体制造子系统获取的具有多个半导体裸片的一或多个半导体装置的表征测量来确定所述一或多个半导体装置上的多个明显致命缺陷；基于由一或多个测试工具子系统获取的测试测量来确定通过至少一个测试的至少一个半导体裸片；使所述表征测量与所述测试测量关联以确定通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的至少一个明显致命缺陷；及基于通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的所述至少一个明显致命缺陷来确定所述一或多个半导体装置上针对基于缺陷的测试覆盖的一或多个间隙区域。
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公开(公告)号：CN116583936A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180081064.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： D·W·普利斯 , R·J·拉瑟 , C·伦诺克斯 , K·榭曼 , 林璿正 , T·格鲁斯 , M·冯登霍夫 , O·唐泽拉 , N·纳拉辛汗 , B·萨维尔 , J·拉赫 , J·鲁滨逊
IPC: H01L21/66
Abstract: 自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙包含：基于由一或多个半导体制造子系统获取的具有多个半导体裸片的一或多个半导体装置的表征测量来确定所述一或多个半导体装置上的多个明显致命缺陷；基于由一或多个测试工具子系统获取的测试测量来确定通过至少一个测试的至少一个半导体裸片；使所述表征测量与所述测试测量关联以确定通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的至少一个明显致命缺陷；及基于通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的所述至少一个明显致命缺陷来确定所述一或多个半导体装置上针对基于缺陷的测试覆盖的一或多个间隙区域。
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