识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷

    公开(公告)号:CN111052331A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201880056014.1

    申请日:2018-08-29

    Abstract: 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中,所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。所述方法还包含相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定在所述晶片上检测到的所述缺陷的位置,及基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷。另外,所述方法包含基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是DOI。

    用于线内筛选的成像反射法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117043586A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202280018946.3

    申请日:2022-03-06

    Abstract: 一种裸片筛选系统可在一或多个制造步骤之后从一或多个线内度量衡工具接收一或多个样本上的裸片群体的裸片分辨度量衡数据,其中所述裸片分辨度量衡数据包含使用所述一或多个线内度量衡工具的一或多个测量配置产生的图像。以此方式,所述裸片分辨度量衡数据为每裸片提供许多测量通道,其中特定测量通道包含来自特定图像的特定像素的数据。控制器可接着从所述裸片分辨度量衡数据产生所述裸片群体的筛选数据,其中所述筛选数据包含所述裸片分辨度量衡数据的所述多个测量通道的子集,且基于所述筛选数据的可变性将所述多个裸片筛选成包含至少离群点裸片的两个或更多个安置类别。

    识别检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷的系统及方法

    公开(公告)号:CN111052331B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201880056014.1

    申请日:2018-08-29

    Abstract: 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中,所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。所述方法还包含相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定在所述晶片上检测到的所述缺陷的位置,及基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷。另外,所述方法包含基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是DOI。

    高级线上零件平均测试
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114930511A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202180008085.6

    申请日:2021-01-11

    Abstract: 本发明涉及一种检验系统,其可包含通信地耦合到包含但不限于检验工具或计量工具的一或多个线上样本分析工具的控制器。所述控制器可基于从所述一或多个线上样本分析工具中的至少一者接收的数据识别裸片群体中的缺陷,使用经加权缺陷率模型将指示所述经识别缺陷对所述裸片的可靠性的经预测影响的权重指派给所述经识别缺陷,通过汇总所述群体中的所述相应裸片中的所述经加权缺陷而产生所述群体中的所述裸片的缺陷率分数,及基于所述群体中的所述裸片的所述缺陷率分数而确定一组离群点裸片,其中将所述一组离群点裸片中的至少一些离群点裸片与所述群体隔离。

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