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公开(公告)号:CN111052331A
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201880056014.1
申请日:2018-08-29
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中,所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。所述方法还包含相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定在所述晶片上检测到的所述缺陷的位置,及基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷。另外,所述方法包含基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是DOI。
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公开(公告)号:CN116583936B
公开(公告)日:2024-12-13
申请号:CN202180081064.7
申请日:2021-12-16
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor: D·W·普利斯 , R·J·拉瑟 , C·伦诺克斯 , K·榭曼 , 林璿正 , T·格鲁斯 , M·冯登霍夫 , O·唐泽拉 , N·纳拉辛汗 , B·萨维尔 , J·拉赫 , J·鲁滨逊
IPC: H01L21/66
Abstract: 自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙包含:基于由一或多个半导体制造子系统获取的具有多个半导体裸片的一或多个半导体装置的表征测量来确定所述一或多个半导体装置上的多个明显致命缺陷;基于由一或多个测试工具子系统获取的测试测量来确定通过至少一个测试的至少一个半导体裸片;使所述表征测量与所述测试测量关联以确定通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的至少一个明显致命缺陷;及基于通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的所述至少一个明显致命缺陷来确定所述一或多个半导体装置上针对基于缺陷的测试覆盖的一或多个间隙区域。
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公开(公告)号:CN117043586A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202280018946.3
申请日:2022-03-06
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor: J·C·鲁滨逊 , S·潘戴夫 , 李诗芳 , M·冯登霍夫 , J·拉赫 , B·萨维尔 , D·W·普利斯 , R·J·拉瑟 , C·V·伦诺克斯 , T·格鲁斯 , O·唐泽拉
IPC: G01N21/88
Abstract: 一种裸片筛选系统可在一或多个制造步骤之后从一或多个线内度量衡工具接收一或多个样本上的裸片群体的裸片分辨度量衡数据,其中所述裸片分辨度量衡数据包含使用所述一或多个线内度量衡工具的一或多个测量配置产生的图像。以此方式,所述裸片分辨度量衡数据为每裸片提供许多测量通道,其中特定测量通道包含来自特定图像的特定像素的数据。控制器可接着从所述裸片分辨度量衡数据产生所述裸片群体的筛选数据,其中所述筛选数据包含所述裸片分辨度量衡数据的所述多个测量通道的子集,且基于所述筛选数据的可变性将所述多个裸片筛选成包含至少离群点裸片的两个或更多个安置类别。
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公开(公告)号:CN111052331B
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN201880056014.1
申请日:2018-08-29
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中,所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。所述方法还包含相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定在所述晶片上检测到的所述缺陷的位置,及基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷。另外,所述方法包含基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是DOI。
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公开(公告)号:CN116583936A
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202180081064.7
申请日:2021-12-16
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor: D·W·普利斯 , R·J·拉瑟 , C·伦诺克斯 , K·榭曼 , 林璿正 , T·格鲁斯 , M·冯登霍夫 , O·唐泽拉 , N·纳拉辛汗 , B·萨维尔 , J·拉赫 , J·鲁滨逊
IPC: H01L21/66
Abstract: 自动识别半导体装置中基于缺陷的测试覆盖间隙包含:基于由一或多个半导体制造子系统获取的具有多个半导体裸片的一或多个半导体装置的表征测量来确定所述一或多个半导体装置上的多个明显致命缺陷;基于由一或多个测试工具子系统获取的测试测量来确定通过至少一个测试的至少一个半导体裸片;使所述表征测量与所述测试测量关联以确定通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的至少一个明显致命缺陷;及基于通过所述至少一个测试的所述至少一个半导体裸片上的所述至少一个明显致命缺陷来确定所述一或多个半导体装置上针对基于缺陷的测试覆盖的一或多个间隙区域。
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公开(公告)号:CN114930511A
公开(公告)日:2022-08-19
申请号:CN202180008085.6
申请日:2021-01-11
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor: D·W·普利斯 , K·L·榭曼 , R·J·拉瑟 , J·C·罗宾逊 , M·冯登霍夫 , B·萨维尔 , R·卡佩尔 , O·唐泽拉 , N·巴蒂 , T·格鲁斯 , A·利姆 , D·萨瑟兰
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种检验系统,其可包含通信地耦合到包含但不限于检验工具或计量工具的一或多个线上样本分析工具的控制器。所述控制器可基于从所述一或多个线上样本分析工具中的至少一者接收的数据识别裸片群体中的缺陷,使用经加权缺陷率模型将指示所述经识别缺陷对所述裸片的可靠性的经预测影响的权重指派给所述经识别缺陷,通过汇总所述群体中的所述相应裸片中的所述经加权缺陷而产生所述群体中的所述裸片的缺陷率分数,及基于所述群体中的所述裸片的所述缺陷率分数而确定一组离群点裸片,其中将所述一组离群点裸片中的至少一些离群点裸片与所述群体隔离。
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