公开(公告)号：CN103531660A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310486713.9

申请日：2013-10-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  廖洁 ,  周海芳 ,  赖云锋 ,  俞金玲 ,  龙博 ,  贾宏杰 ,  张红

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1828 ,  H01L21/02474 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。

公开(公告)号：CN103531660B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201310486713.9

申请日：2013-10-17

Applicant: 福州大学

Inventor： 程树英 ,  廖洁 ,  周海芳 ,  赖云锋 ,  俞金玲 ,  龙博 ,  贾宏杰 ,  张红

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。