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公开(公告)号：CN116223927B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202211735781.X
申请日：2022-12-31
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种圆偏振光电流区分二维Bi2O2Se表面极性的方法，该方法通过测试Bi2O2Se纳米片的圆偏振光电流随离子液体栅压的变化趋势，可简单区分二维Bi2O2Se表面极性；若圆偏振光电流随栅压增大而线性增大，说明Bi2O2Se的初始表面极性为Bi原子截止，其初始表面带正电；若圆偏振光电流幅值随栅压先减小至0，反号后继续反向增大，则说明Bi2O2Se的初始表面极性为Se原子截止，其初始表面带负电。该方法测量准确，简单易行，对样品表面没有破坏，广泛适用于表面具有极性且存在自旋轨道耦合的材料。
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公开(公告)号：CN115753646B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202211479550.7
申请日：2022-11-24
Applicant: 福州大学
IPC: G01N21/27
Abstract: 本发明涉及一种区分p型砷化镓晶向的光电方法，包括：制备p‑GaAs样品及两对条形电极；将样品放置在真空杜瓦瓶里，用引线连接一对电极，并与电压前置放大器相连；激光器发出的激光经过衰减片、斩波器、起偏器、光弹性调制器和透镜，使激光垂直入射到样品上；样品在激光照射下产生光电流，输入电压前置放大器，通过第一、二锁相放大器分别提取普通光电流、圆偏振光相关光电流，让样品连续偏转设定次数，每变化设定角度采集一次电流数据；给前置放大器施加电压再重复测试一次；将样品旋转90°，用引线连接另一对电极，重复上述测试过程；对比得到的数据，根据信号大、小区分[110]晶向、#imgabs0#晶向。该方法有利于简单、快捷、有效地定位p型砷化镓的晶向。
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公开(公告)号：CN117849679A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410019277.2
申请日：2024-01-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，该方法通过测试具有设定厚度Fe4GeTe2的Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结的圆偏振光电流、普通光电导电流和磁场相关的反常霍尔电阻，可简单区分影响异质结铁磁性的主导机制。具体来说，通过测量不同温度条件下的Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结的圆偏振光致电流、普通光电导电流，提取出和自旋轨道耦合强度成正比的有效电场αe，再与不同温度条件下反常霍尔电阻随磁场的变化曲线进行对比，若和αe的趋势一致，证明磁各向异性是影响该材料铁磁性的主导机制之一，若不一致，则证明影响铁磁性的主导机制是界面交换相互作用。本发明方法简单，易于实现，不会损伤材料，适用于具有强自旋轨道耦合的铁磁材料。
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公开(公告)号：CN108920845B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810734873.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 福州大学
IPC: G06F30/367 , H01L29/775
Abstract: 本发明涉及一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法，其特征在于：所述氧化锌线状晶体管包括重掺硅/二氧化硅衬底、氧化锌线状介质以及一对钛电极；所述氧化锌线状晶体管电导可调的方法包括以下步骤：设氧化锌线状晶体管的阈值电压为VG1，某一栅极电压下的电导状态为C1；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~V2范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VG2，可以获得该栅压下的第2电导状态C2；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~Vi范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VGi，可以获得该栅压下的第i电导状态Ci。通过本发明可以对具有良好的电导调节特性氧化锌线状晶体管，获得在同一栅极电压下不同的电导状态。
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公开(公告)号：CN111289832B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010227900.5
申请日：2020-03-27
Applicant: 福州大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提出一种测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，包括如下步骤：步骤S1：制备不同厚度的三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S2：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜表面沉积一对圆形电极，获得测试样品；步骤S3：采用变温圆偏振光致电流测量系统，对不同厚度的测试样品进行变温圆偏振光致电流的测量，获得三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜在不同温度下的圆偏振光致电流。其提出的测算实验装置结构设计简单，易于操作，利于推广应用，试验结果准确，基于实证提出的方法能够简便快捷且有效地改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3的圆偏振光致电流随温度变化趋势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110164999B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910486444.3
申请日：2019-06-05
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种调控硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的方法，具体通过改变激发光的波长从近红外到远红外波段，实现对硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的调控。这是因为在硒化铋薄膜，同时存在表面态和二维电子气，它们产生的圆偏振光电流的方向是相反的。当激发光为近红外波段的光时，表面态和二维电子气都会对圆偏振光致电流产生贡献，而且它们的方向相反，会互相抵消。当激发光为远红外波段的光，且该激发光的能量小于薄膜中Rashba自旋分裂能时，这时的圆偏振光致电流主要来自表面态，二维电子气态的贡献很小。从而，相比于近红外光激发的情况，此时的圆偏振光致电流有显著提升。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN111289832A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010227900.5
申请日：2020-03-27
Applicant: 福州大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明提出一种测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，包括如下步骤：步骤S1：制备不同厚度的三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S2：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜表面沉积一对圆形电极，获得测试样品；步骤S3：采用变温圆偏振光致电流测量系统，对不同厚度的测试样品进行变温圆偏振光致电流的测量，获得三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜在不同温度下的圆偏振光致电流。其提出的测算实验装置结构设计简单，易于操作，利于推广应用，试验结果准确，基于实证提出的方法能够简便快捷且有效地改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3的圆偏振光致电流随温度变化趋势。
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公开(公告)号：CN109884001A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910195613.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分拓扑绝缘体Sb2Te3的圆偏振光致电流和光子拽曳电流的方法。该方法的技术方案为，用1064nm的激光通过起偏器和四分之一波片后照射在样品上，通过转动四分之一波片产生周期变化的偏振光，产生的光电流通过拟合提取出圆偏振激光产生的光电流。测量不同正负入射角下的圆偏振激光产生的光电流，利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的偶函数分量具有不用的奇偶对称性，以及利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的奇函数分量对入射角的不同依赖关系，将圆偏振光致电流和光子拽曳电流进行区分。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN107819067A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710888588.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法。该方法在钛酸锶衬底的（111）晶面上生长拓扑绝缘体Bi2Se3；而后用高斯分布的圆偏振激光在垂直入射的情况下激发拓扑绝缘体Bi2Se3的体态和表面态的光致逆自旋霍尔效应电流，测得当光斑位置在两电极连线的垂直平分线上移动时的光致逆自旋霍尔效应电流；最后，通过建立区分拓扑绝缘体Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的定量拟合模型，并进行模型拟合，得到体态和表面态的光致逆自旋霍尔电流。本发明方法，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用；且所得结果准确。
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